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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]磁极辅助非平衡磁控溅射装置-CN201610906281.6有效
发明人：石永敬 -专利权人：重庆科技学院
申请日： 2016-10-18 - 公布日： 2017-11-03 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种磁极辅助非平衡磁控溅射装置，包括真空室、非平衡磁控电极、辅助磁极和衬底承载架，衬底承载架设置在真空室的下侧，非平衡磁控电极设置在真空室上侧的中心位置处，辅助磁极设置在非平衡磁控电极的两侧；或者非平衡磁控电极均匀分布在以真空室上侧中心为圆心的同一圆周上，辅助磁极均匀分布在真空室内壁的等高线上和/或设置在真空室上侧的中心位置处，当存在偶数个非平衡磁控电极时，至少一对并排设置的非平衡磁控电极的两侧设置有辅助磁极，当存在奇数个非平衡磁控电极时，均匀分布在真空室内壁的等高线上的辅助磁极的个数等于非平衡磁控电极的个数。
磁极辅助平衡磁控溅射装置

[发明专利]射频偏置溅射装置及溅射方法-CN201610132641.1在审
发明人：石永敬 -专利权人：重庆科技学院
申请日： 2016-03-09 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：所述射频偏置溅射装置包括真空室、偏置对应电极、至少两个辅助磁极、至少一个非平衡磁控电极以及两个射频电源，每一非平衡磁控电极设有非平衡磁场，所述偏置对应电极和至少两个辅助磁极固定在真空室内的一端，至少两个辅助磁极对称分布在偏置对应电极的两侧，所述至少一非平衡磁控电极固定在真空室内的另一端，所述偏置对应电极和非平衡磁控电极分别与射频电源电连接，所述偏置对应电极与真空室绝缘，所述至少两个辅助磁极与非平衡磁控电极形成闭合场。
射频偏置溅射装置方法

[发明专利]一种磁控及非平衡式磁控物理溅镀ZrCN于微型钻头的方法-CN200510091900.2无效
发明人：张子望 -专利权人：叡邦微波科技股份有限公司
申请日： 2005-08-15 - 公布日： 2006-02-22 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种磁控及非平衡式磁控物理溅镀ZrCN于微型钻头的方法，是使用磁控及非平衡式磁控物理溅镀方式，针对炉内温度、偏压、表面清洁、以及所导入气体的流量做良好的控制，将超硬膜溅镀在微小钻头上，以增加钻头本身的强度
一种平衡式磁控物理 zrcn 微型钻头方法

[发明专利]一种利用非平衡磁控溅射技术制备Fe-Si薄膜的方法-CN201910152980.X有效
发明人：章嵩;魏耕;涂溶;王传彬;沈强;张联盟 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种可控靶材表面磁场强度的非平衡磁控溅射沉积方法制备Fe‑Si薄膜的工艺，采用改进的双靶非平衡磁控溅射沉积技术，以Fe‑Si合金靶为磁控对靶，在沉积过程中调节磁控对靶之间的相对距离，得Fe‑Si本发明通过增加一对可以调整磁控对靶的相对距离的支架，且左右磁控管采用闭合非平衡磁场的设计，靶材的离化率高，有利于制备电阻率高的Fe‑Si薄膜，并可通过改变对靶间距离调整样品电阻率，产品质量稳定，电阻率高
一种利用平衡磁控溅射技术制备 fe si 薄膜方法

[发明专利]磁控及非平衡式磁控物理溅镀多层覆合超硬薄膜之方法-CN200510098824.8无效
发明人：张子望 -专利权人：叡邦微波科技股份有限公司
申请日： 2005-09-01 - 公布日： 2006-02-08 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种使用磁控及非平衡式磁控物理溅镀多层覆合超硬薄膜之方法，其步骤如下：先载入被镀物，将被镀物处于真空环境，以电热器控制进行预先加热，并利用高电压电源供应器(High Voltage Power Supply，HVPS)控制电压与温度，分阶段进行离子轰击，去除被镀物表面氧化层，使用磁控及非平衡式磁控溅射，在被镀物上进行镀膜进行冷却，镀膜工作完成；如上述步骤，通过控制温度、电压、表面清洁，达成表面粗糙度良好而且原子堆栈致密的超硬膜层
平衡式磁控物理多层覆合超硬薄膜方法

[发明专利]一种非平衡磁场的高能脉冲磁控镀膜机及其制作加工工艺-CN202011295338.6有效
发明人：林海天;胡致富;李立升 -专利权人：东莞市华升真空镀膜科技有限公司
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种非平衡磁场的高能脉冲磁控镀膜机，包括镀膜腔室以及安装在镀膜腔室内的转盘、安装治具、磁控阴极组件和离子源；所述安装治具固定在转盘上方；所述磁控阴极组件设置至少一组；每组所述磁控阴极组件分别包过若干个位于转盘外周的磁控阴极；相邻的所述磁控阴极之间的磁场闭合；所述离子源与磁控阴极耦合，在镀膜工艺中，在镀膜前，先对材料进行四次刻蚀，本设计可以提高产品的离化率以及改变材料的显微晶结构，镀膜效果好。
一种平衡磁场高能脉冲镀膜及其制作加工工艺

[发明专利]一种实现高脉冲功率磁控放电方法-CN201010301411.6无效
发明人：牟宗信;牟晓东;贾莉;郝胜智;王春;董闯 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2010-02-09 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01J37/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现高脉冲功率磁控放电方法，属于电工工程技术领域。其特征是该方法实现了通过调整横向磁场特性和非平衡磁场特性与磁控靶辉光放电的放电条件、瞬态特性相匹配，由电源的谐振特性与磁控靶的谐振特性相匹配，实现自触发和形成高脉冲功率磁控放电；磁控靶前设置空心阴极结构提高自触发等离子体的初始密度和放电功率密度，实现高脉冲功率磁控放电；与现有高脉冲功率磁控放电方法相比具有结构简单，对放电系统和电源要求低，工作可靠，从而实现更高工作效率和可靠性的放电方法。
一种实现脉冲功率放电方法

[实用新型]一种平衡磁控节能装置-CN202320350243.2有效
发明人：高才 -专利权人：南京朗熙环保科技有限公司
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： E06B9/32 文献下载
摘要：本实用新型涉及平衡磁控节能装置技术领域，公开了一种平衡磁控节能装置，本实用新型解决了现有的平衡磁控节能装置长时间固定百叶窗时易损坏线圈，导致平衡磁控节能装置的使用寿命较短的问题。一种平衡磁控节能装置，包括百叶窗，上定位磁条以及下定位磁条，百叶窗外表面设置有固定组件，固定组件一侧内部设置有升降组件，固定组件下端设置有磁控定位组件，升降组件包括导向组件以及卡合组件，磁控定位组件包括控制部件以及定位部件，通过固定组件、导向组件、卡合组件、控制部件和定位部件的设置，实现了延长平衡磁控节能装置使用寿命的问题，解决了现有的平衡磁控节能装置将百叶窗固定时长时间通电，易导致线圈损坏，缩短使用寿命的问题。
一种平衡节能装置

[发明专利]太赫波的生成-CN200780032419.3有效
发明人： Y·科瑞布力特;B·G·坦齐莱维奇 -专利权人：太赫技术有限公司
申请日： 2007-04-24 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：一种THz光子生成方法，所述方法包括以下的步骤：提供磁振子增益介质；其中所述磁振子增益介质有助于生成非平衡磁振子；以及将非平衡电子注入所述磁振子增益介质内。非平衡电子在所述磁振子增益介质中的传播导致了生成所述非平衡磁振子。在非平衡磁振子之间的相互作用导致了THz光子的生成。
太赫波生成

[发明专利]闭合磁场非平衡磁控溅射镀膜设备-CN201210142280.0无效
发明人：金广福 -专利权人：爱发科中北真空（沈阳）有限公司
申请日： 2012-05-09 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种闭合磁场非平衡磁控溅射镀膜设备，主要应用于高离化率的反应磁控溅射镀膜领域。本发明包括镀膜室、镀膜室门、工件转架、圆柱磁控靶、充气系统、靶挡板及真空抽气口，镀膜室门通过铰链固定在镀膜室上，在镀膜室的外壁上设有真空抽气口，在镀膜室的下盖上设有工件转架，在镀膜室的上盖上设有圆柱磁控靶和充气系统，工件转架与偏压电源相连接；其特点是圆柱磁控靶的设置数量为大于或等于4的偶数个，圆柱磁控靶磁铁的磁极面向被镀工件设置，并使各圆柱磁控靶之间形成闭合的磁回路；奇数圆柱磁控靶的磁极是N-S-N，偶数圆柱磁控靶的磁极是S-N-S，或者奇数圆柱磁控靶的磁极是S-N-S，偶数圆柱磁控靶的磁极是N-S-N。
闭合磁场平衡磁控溅射镀膜设备

[实用新型]一种闭合磁场非平衡磁控溅射镀膜设备-CN201220209547.9有效
发明人：金广福 -专利权人：爱发科中北真空（沈阳）有限公司
申请日： 2012-05-09 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种闭合磁场非平衡磁控溅射镀膜设备，主要应用于高离化率的反应磁控溅射镀膜领域。本实用新型包括镀膜室、镀膜室门、工件转架、圆柱磁控靶、充气系统、靶挡板及真空抽气口，镀膜室门通过铰链固定在镀膜室上，在镀膜室的外壁上设有真空抽气口，在镀膜室的下盖上设有工件转架，在镀膜室的上盖上设有圆柱磁控靶和充气系统，工件转架与偏压电源相连接；其特点是圆柱磁控靶的设置数量为大于或等于4的偶数个，圆柱磁控靶磁铁的磁极面向被镀工件设置，并使各圆柱磁控靶之间形成闭合的磁回路；奇数圆柱磁控靶的磁极是N-S-N，偶数圆柱磁控靶的磁极是S-N-S，或者奇数圆柱磁控靶的磁极是S-N-S，偶数圆柱磁控靶的磁极是N-S-N。
一种闭合磁场平衡磁控溅射镀膜设备

[发明专利]一种高功率脉冲等离子体增强复合磁控溅射沉积装置及其使用方法-CN201310729760.1有效
发明人：王启民;王成勇;伍尚华;邹长伟 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2013-12-26 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜材料技术领域，尤其涉及一种高功率脉冲等离子体增强复合磁控溅射沉积装置，包括真空室、磁控靶、工件架和旋转支座，磁控靶包括高功率脉冲磁控溅射靶和脉冲直流磁控靶，固定在真空室内，呈九十度对向设置，其磁场布局方式相反，形成闭合场；每个磁控靶的磁场布局方式都为非平衡磁场。
一种功率脉冲等离子体增强复合磁控溅射沉积装置及其使用方法

[实用新型]一种电机转子及电机-CN202023023579.3有效
发明人：郭志发;曹平山 -专利权人：苏州瑞诺盟新能源电机有限公司
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H02K1/27 文献下载
摘要：本实用新型目的在于提供一种电机转子及电机，该电机转子包括：铁芯，在铁芯两侧分别依次设置有盖板和平衡块，其中，盖板由非导磁材料制成，盖板的厚度大于或等于1mm，平衡块由导磁材料制成。用导磁材料加工平衡块比用非导磁材料价格更便宜，用导磁材料加工平衡块比用非导磁材料加工更容易，而且通过增大非导磁材料盖板的厚度可以降低转子的漏磁。
一种电机转子

[发明专利]会切磁场约束ICP增强电离的非平衡磁控溅射薄膜沉积装置-CN200910010112.4无效
发明人：任春生;张家良;王德真;王友年 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2009-01-13 - 公布日： 2009-07-08 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明属等离子体薄膜沉积技术领域，涉及会切磁场约束ICP增强电离的非平衡磁控溅射薄膜沉积装置。其特征在于，装置主体为一非平衡磁控；在非平衡磁控溅射靶与样品台之间加入ICP增强电离放电，使磁控溅射产物电离度得到有效提高；在非平衡磁控溅射靶下方分别加入三圈环状永久磁铁，与非平衡磁控溅射磁场闭合，沿放电室壁产生一闭合磁场分布，有效约束放电等离子体，进一步提高磁控溅射产物电离度，改善放电等离子体空间分布的均匀性；本发明的效果在于，在大大提高了非平衡磁控溅射放电等离子体密度与空间分布均匀性的基础上，利用该装置可以制备出高质量薄膜
磁场约束 icp 增强电离平衡磁控溅射薄膜沉积装置

[发明专利]一种中空玻璃内置窗帘的磁控传动结构-CN201110040518.4无效
发明人：李龙 -专利权人：李龙
申请日： 2011-02-18 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： E06B9/68 文献下载
摘要：本发明一种中空玻璃内置窗帘的磁控传动结构，由中空玻璃内外两块磁控滑块组成磁力不接触传动装置，密封在中空玻璃内的传动拉绳，平衡配重块，安装在平衡配重块的动滑轮，窗帘等组成，窗帘向下时可通过窗帘及窗帘下横杆的重量重力拉动自然展开，窗帘向上收拢通过外力用磁控滑块拉动拉绳提起。其特点为：安装有动滑轮平衡配重块，与内磁控滑块各为独立，均可在侧框架内自由上下移动，内磁控滑块布置在平衡配重块的上端，中空玻璃外对应的位置有外磁控滑块。优点在于结构简单，可大幅度的减少驱动外磁控滑块的驱动力，使用时更加轻松方便，并且，任何时候均能使连接内置窗帘和平衡配重块拉绳处于绷紧状态，可明显的提高这类使用磁控滑块控制的中空玻璃内置窗帘运行的可靠性和耐久性
一种中空玻璃内置窗帘传动结构

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