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[发明专利]轴向多阴极真空镀膜设备及复合梯度镀膜的方法-CN202310863652.7在审
发明人：魏耕;向兀;柳成荫;李健 -专利权人：武汉大学
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明公开了轴向多阴极真空镀膜设备及复合梯度镀膜的方法，在多阴极靶头上设有一个中心电极和若干个侧边电极，中心电极位于多阴极靶头的中心处，侧边电极围绕着中心电极设置；中心电极连接着中心靶材丝，侧边电极连接着侧边靶材丝，中心靶材丝沿着管道中心线设置，侧边靶材围绕着中心靶材螺旋设置；中心靶材和侧边靶材由若干带孔的陶瓷组件连接；中心电极与第一溅射电源连接，侧边电极与第二溅射电源连接。不仅解决了部分合金靶材丝无法加工而使用的问题，同时也能在镀膜的过程中保证薄膜的成分、膜厚和结构的横向、轴向均匀性，且调节薄膜的组分比例。
轴向阴极真空镀膜设备复合梯度镀膜方法

[发明专利]一种高阶模阻尼腔及使用方法-CN202310570317.8在审
发明人：郝雪瑞;王纪科;魏耕;李健;王沛林;叶旷旷 -专利权人：武汉大学
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H05H7/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种高阶模阻尼腔及使用方法，涉及粒子加速器技术领域，其中高阶模阻尼腔，包括：球形腔体；束管型吸收器，其包括沿球形腔体相对设置的第一束管和第二束管，第一束管、第二束管和球形腔体连通，且第一束管的直径大于第二束管的直径；多个矩形波导吸收器，其围绕第一束管倾斜设置在球形腔体上，矩形波导吸收器与球形腔体连通，且矩形波导吸收器的倾斜角度可调节。本发明可满足光源束流稳定性对高阶模提出的抑制要求，可实现高阶模的深度阻尼。
一种高阶模阻尼使用方法

[发明专利]带偏压的管内壁磁控溅射镀膜设备及方法-CN202310619161.8在审
发明人：魏耕;李健;向兀 -专利权人：武汉大学
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本申请公开了带偏压的管内壁磁控溅射镀膜设备及方法。本设备包括：真空电极，安装在待镀的样品管的一端，其电极与样品管内放置的靶材连接；陶瓷绝缘件，一端与样品管连接，另一端接真空过渡腔；真空过渡腔，向样品管通入或抽出工艺气体以维持辉光放电所需气压；电磁铁，在通电后在靶材表面形成磁场；溅射电源，与真空电极、真空过渡腔电连接；偏压电源，与样品管、真空过渡腔电连接，陶瓷件使得过渡腔与样品管之间电绝缘。在镀膜时，待镀样品管在适合的工艺气压和磁场下，靶材溅射出粒子在样品表面成膜同时可以对样品管施加独立控制的正偏压，可以沉积不同性质，质量更佳的薄膜，可以调控薄膜的物化性能和表面粗糙度。获得缺陷更少的薄膜，或者沉积致密/柱状的多层复合薄膜。
偏压内壁磁控溅射镀膜设备方法

[发明专利]一种制备CrCN薄膜的方法-CN202010128321.5有效
发明人：李志荣;李迎春;郭力铜;赵丹;魏耕 -专利权人：广东汇成真空科技股份有限公司
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： C23C14/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用高功率脉冲磁控溅射制备的CrCN薄膜方法，属于表面处理领域。本发明采用高功率脉冲磁控溅射技术，在304不锈钢和高速钢工件上首先沉积金属Cr粘结层，然后沉积成分和硬度梯度变化的CrN硬质支撑层，最后沉积CrCN。该涂层总厚度为0.3‑5μm，硬度达到1668 HV，与工件的附着力5B，在钢丝绒摩擦实验中3000次无磨痕，耐腐蚀性能优良，在盐雾环境中768小时不生锈。可以作为腐蚀性介质中工作的结构的保护涂层，延长使用寿命。
一种制备 crcn 薄膜方法

[发明专利]一种利用非平衡磁控溅射技术制备Fe-Si薄膜的方法-CN201910152980.X有效
发明人：章嵩;魏耕;涂溶;王传彬;沈强;张联盟 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种可控靶材表面磁场强度的非平衡磁控溅射沉积方法制备Fe‑Si薄膜的工艺，采用改进的双靶非平衡磁控溅射沉积技术，以Fe‑Si合金靶为磁控对靶，在沉积过程中调节磁控对靶之间的相对距离，得Fe‑Si薄膜。本发明通过增加一对可以调整磁控对靶的相对距离的支架，且左右磁控管采用闭合非平衡磁场的设计，靶材的离化率高，有利于制备电阻率高的Fe‑Si薄膜，并可通过改变对靶间距离调整样品电阻率，产品质量稳定，电阻率高，且涉及的沉积工艺简单、重现性好，适合推广应用。
一种利用平衡磁控溅射技术制备 fe si 薄膜方法