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[发明专利]层压系统、IC薄片、IC薄片卷、以及IC芯片的制造方法-CN200580025879.4有效
发明人：渡边了介;楠本直人;中村理 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2005-07-28 - 公布日： 2007-07-18 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：从衬底上剥离薄膜集成电路，并且为了提高制造产量有效地密封剥离的薄膜集成电路。本发明提供一种层压系统，包括：传送装置，用于传送提供有多个薄膜集成电路的衬底；第一剥离装置，用于将薄膜集成电路的第一表面结合到第一薄片构件，以从该衬底剥离该薄膜集成电路；第二剥离装置，用于将薄膜集成电路的第二表面结合到第二薄片构件，以从第一薄片构件剥离薄膜集成电路；和密封装置，用于在第二薄片构件和第三薄片构件之间插入该薄膜集成电路，以用第二薄片构件和第三薄片构件密封该薄膜集成电路。
层压系统 ic 薄片以及芯片制造方法

[发明专利]薄膜集成电路器件的制造方法,非接触薄膜集成电路器件及其制造方法,以及包含非接触薄膜集成电路器件的ID标签和硬币-CN200480037193.2有效
发明人：山崎舜平;小森美帆;佐藤由里香;细木和江;荻田香 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2004-12-14 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：为了提供以低成本大量生产的薄膜集成电路，根据本发明的薄膜集成电路的制造方法包括下列步骤：在衬底上面形成剥离层；在剥离层上面形成底部薄膜；在底部薄膜上面形成多个薄膜集成电路器件；在多个薄膜集成电路器件之间的边界处形成凹槽；以及在凹槽中引入包含卤素氟化物的气体或液体，从而去除剥离层；因而使多个薄膜集成电路器件相互分离。
薄膜集成电路器件制造方法接触及其以及包含 id 标签硬币

[发明专利]一种LCC谐振变流器的电磁功率元件集成装置-CN201910352733.4有效
发明人：邓成;贺靖宇 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2019-04-29 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种LCC谐振变流器的电磁功率元件集成装置，其中包括三个柔性带材集成绕组、两个E型磁芯；第一柔性带材集成绕组绕制在第一E型磁芯的右边柱上；第二柔性带材集成绕组绕制第二E型磁芯的右边柱上；第三柔性带材集成绕组绕制在两个磁芯的左边柱上；第一、第二柔性带材集成绕组均由里到外依次排列为绝缘薄膜、导体薄膜、电介质薄膜、导体薄膜；第三柔性带材集成绕组均由里到外依次排列为绝缘薄膜、导体薄膜、电介质薄膜、导体薄膜、绝缘薄膜、导体薄膜、电介质薄膜、导体薄膜。本发明从实际出发，将电磁功率元件集成至一对E型磁芯中，有效的缩减了LCC谐振变流器的体积，减小了寄生参数对电路的影响，提高了电路的功率密度。
一种 lcc 谐振变流器电磁功率元件集成装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200610088624.9有效
发明人：楠本直人;鹤目卓也 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2006-05-31 - 公布日： 2006-12-06 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：提供一种低成本和薄厚度的薄膜集成电路，不像常规玻璃基板或单晶硅基板，该薄膜集成电路适于大规模生产，以及一种薄膜集成电路装置或具有该薄膜集成电路的IC芯片的结构和工艺。半导体装置的制造方法包括以下步骤：在硅基板的一个表面上形成第一绝缘薄膜、在该第一绝缘薄膜上形成至少具有两个薄膜集成电路的层、形成覆盖该具有薄膜集成电路的层的树脂层、形成覆盖该树脂层的薄膜、研磨硅基板的形成具有薄膜集成电路的层的一个表面的背面
半导体装置及其制造方法

[发明专利]一种薄膜集成天线及其制作方法-CN00109333.9无效
发明人：邱宏;张翼;任玉荣 -专利权人：北京科大天宇微电子材料技术开发有限公司
申请日： 2000-05-29 - 公布日： 2004-03-17 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜集成天线及其采用了镀膜技术和半导体集成电路技术制作该薄膜集成天线的方法。薄膜集成天线由基板(1，2)及在在基板上生成由金属薄膜(3)和铁电体薄膜(5)相互交替而构成的3-50层复合薄膜组成，制作方法由选择基板、在基板上镀金属薄膜、在基板上生成金属薄膜/铁电体薄膜双层膜及多层膜本发明的优点在于金属薄膜集成天线可取代块状金属天线，减少了天线制作工艺过程中的材料耗损，提高了材料的使用效率。
一种薄膜集成天线及其制作方法

[发明专利]无引线平面表贴式微波薄膜混合集成电路及其集成方法-CN201410775353.9在审
发明人：杨成刚;刘学林;卢生贵;王德成;沈金晶;杨晓琴 -专利权人：贵州振华风光半导体有限公司
申请日： 2014-12-15 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：无引线平面表贴式微波薄膜混合集成电路及其集成方法，该集成电路由薄膜陶瓷基片、薄膜导带、薄膜阻带、薄膜电容、薄膜电感、片式元器件、半导体裸芯片和管帽组成；薄膜陶瓷基片正面与底面之间有通孔；薄膜导带、薄膜阻带、薄膜电容、薄膜电感集成在薄膜陶瓷基片正面，底面用绝缘介质薄膜保护；薄膜陶瓷基片的底面为平面型对外连接端；管帽装贴在薄膜陶瓷基片的正面；半导体芯片包括正装型半导体裸芯片和倒装型半导体裸芯片，前者有键合丝与薄膜阻带连接,后者有球脚与薄膜导带/键合区焊接。集成方法包括备料、造孔、清洗、形成图形网络、焊接、组装、键合、封帽步骤。本发明广泛应用于装备系统小型化、高频、高可靠的领域。
引线平面式微薄膜混合集成电路及其集成方法

[发明专利]一种集成式接近开关、接近开关系统及接近开关制造方法-CN201911064394.6在审
发明人：张文伟;宋瑞潮 -专利权人：中国科学院西安光学精密机械研究所;西安中科阿尔法电子科技有限公司
申请日： 2019-11-04 - 公布日： 2020-03-13 - 主分类号： H03K17/95 文献下载
摘要：本发明属于集成式开关及其加工方法，具体涉及一种集成式接近开关、接近开关系统及接近开关制造方法，解决了现有技术中霍尔接近开关无法实现全自动化标准生产和体积大的技术问题。其中，集成式接近开关包括霍尔集成电路，以及设置于霍尔集成电路背面的磁性薄膜层，霍尔集成电路和磁性薄膜层之间设有绝缘层，所述磁性薄膜层的N极在上S极在下或S极在上N极在下；霍尔集成电路、绝缘层和磁性薄膜层封装于一体；或将磁性薄膜层替换为磁铁。上述集成式接近开关的加工方法采用溅射或粘贴的方式将磁性薄膜层或磁铁集成于霍尔集成电路上。该集成式接近开关还可以用于集成式接近开关系统，将磁性物体与集成式接近开关相对布置。
一种集成接近开关系统制造方法

[发明专利]无引线球脚表贴式微波薄膜混合集成电路及其集成方法-CN201410775738.5在审
发明人：杨成刚;黄晓山;刘学林;卢生贵;赵晓辉;徐勇 -专利权人：贵州振华风光半导体有限公司
申请日： 2014-12-15 - 公布日： 2015-04-01 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：无引线球脚表贴式微波薄膜混合集成电路及其集成方法，该集成电路由薄膜陶瓷基片、薄膜导带、薄膜阻带、薄膜电容、薄膜电感、片式元器件、半导体裸芯片和管帽组成；薄膜陶瓷基片正面与底面之间有通孔；薄膜导带、薄膜阻带、薄膜电容、薄膜电感集成在薄膜陶瓷基片的正面，底面用绝缘介质薄膜保护；薄膜陶瓷基片底面为球脚型对外连接端；管帽装贴在薄膜陶瓷基片的正面；正装型半导体裸芯片有键合丝与薄膜阻带连接,倒装型有球脚与金属球的球脚焊接集成方法包括备料、造孔、清洗、形成图形网络、焊接、组装、键合、封帽等步骤。使用本发明的器件应用广泛，特别适用于装备系统小型化的领域。
引线球脚表贴式微薄膜混合集成电路及其集成方法

[发明专利]制造集成电路的方法-CN200580009341.4有效
发明人：鹤目卓也;丸山纯矢;道前芳隆 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2005-03-15 - 公布日： 2007-03-21 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：还没有提出一种用于分开通过具有新颖性结构的薄膜形成的集成电路的方法或者将集成电路移置到另一底层的方法，也就是移置方法。根据本发明，在隔离通过释放层形成在衬底上具有新颖性结构的薄膜的集成电路的情况下，在固定薄膜集成电路的状态中去除释放层，将薄膜集成电路移置到具有粘接表面的支撑衬底，并移置薄膜集成电路。
制造集成电路方法

[发明专利]高密度薄膜混合集成电路的集成方法-CN201210492815.7有效
发明人：杨成刚;苏贵东 -专利权人：贵州振华风光半导体有限公司
申请日： 2012-11-28 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：本发明公开了一种高密度薄膜混合集成电路的集成方法，该方法是先采用薄膜制作工艺，制作含有薄膜导带、阻带及键合区的底座基片及小陶瓷基片，小陶瓷基片与底座基片连接的引脚以薄膜方式分别从小陶瓷基片的两面制作在与底座基片集成的同一端；接着在引脚键合区和底座基片相应的键合区形成金球；然后，采用薄膜混合集成方式，在小陶瓷基片的正反面集成一个以上半导体芯片或片式元器件，并完成半导体芯片的引线键合；最后，将集成后的小基片垂直集成在底座基片上，完成高密度薄膜混合集成电路。本发明采用三维竖向垂直集成，将一个以上半导体芯片或片式元器件垂直集成在同一底座基片上，实现高密度三维集成，提高薄膜混合集成电路的集成度。
高密度薄膜混合集成电路集成方法

[实用新型]一种带金锡共晶焊盘的薄膜集成电路-CN202122056496.2有效
发明人：范赟棋 -专利权人：众芯坚亥半导体技术（安徽）有限公司
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L23/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带金锡共晶焊盘的薄膜集成电路。本实用新型，包括PCB板，PCB板顶部的一端中心处安装有薄膜集成电路，PCB板顶部靠近薄膜集成电路的两侧开设有滑槽，滑槽的内部滑动连接有滑块，滑块的顶部安装有防护板，防护板顶部的两侧开设有散热孔，PCB板顶部靠近薄膜集成电路一端的两侧对称安装有两组第一固定杆，第一固定杆的顶部安装有第一固定轴，第一固定轴的外表面转动安装有第一活动轴。本实用新型，通过利用防护板在滑槽上移动到薄膜集成电路的上方直至完全盖住薄膜集成电路，再通过螺栓使防护板固定住，这样就不会因为薄膜集成电路在受到尖锐物体触碰时导致薄膜集成电路的损坏，避免了薄膜集成电路的损坏
一种带金锡共晶焊盘薄膜集成电路

[发明专利]在衬底的同一平面上集成多方阻薄膜电阻的工艺技术-CN201410264222.4在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：北京飞宇微电子有限责任公司
申请日： 2014-06-12 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： H01L21/782 文献下载
摘要：一种在衬底的同一平面上集成多方阻薄膜电阻的实用化的工艺技术，采用这种技术方案能够在衬底的同一平面的任意位置上集成多个不同方阻的薄膜电阻和互联导带，提高了薄膜混合集成电路的集成度，进一步缩小薄膜混合集成电路产品的体积、减轻重量，从而能进一步提高薄膜混合集成电路整体性能和可靠性。
衬底同一平面集成多方薄膜电阻工艺技术

[发明专利]智能标签、其制作方法、及具备其的商品的管理方法-CN200410007026.5有效
发明人：荒井康行;石川明;高山彻;丸山纯矢;后藤裕吾;大野由美子;馆村祐子 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2004-02-24 - 公布日： 2004-09-01 - 主分类号： G06K19/077 文献下载
摘要：用硅片制成的集成电路由于其厚度厚，如果搭载到容纳商品的容器自身上，势必使容器的表面出现凸凹不平，这样就会给商品的设计性带来负面影响。本发明的目的是提供一种厚度极薄的薄膜集成电路，以及具备该薄膜集成电路的薄膜集成电路器件。本发明的薄膜集成电路有一个特征是它和常规的用硅片形成的集成电路不同，具有作为激活区(比如如果是薄膜晶体管，则指沟道形成区域)的半导体膜。由于本发明的薄膜集成电路厚度极其薄，所以即使搭载到卡或容器等商品，也不会损伤商品的设计性。
智能标签制作方法具备商品管理方法

[实用新型]一种集成式接近开关及系统-CN201921878365.9有效
发明人：张文伟;宋瑞潮 -专利权人：中国科学院西安光学精密机械研究所;西安中科阿尔法电子科技有限公司
申请日： 2019-11-04 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H03K17/95 文献下载
摘要：本实用新型属于集成式接近开关，具体涉及一种集成式接近开关及系统，解决了现有技术中霍尔接近开关无法实现全自动化标准生产和体积大的技术问题。其中，集成式接近开关包括霍尔集成电路，以及设置于霍尔集成电路背面的磁性薄膜层，霍尔集成电路和磁性薄膜层之间设有绝缘层，所述磁性薄膜层的N极在上S极在下或S极在上N极在下；霍尔集成电路、绝缘层和磁性薄膜层封装于一体；或将磁性薄膜层替换为磁铁。该集成式接近开关还可以用于集成式接近开关系统，将磁性物体与集成式接近开关相对布置。
一种集成接近开关系统

[实用新型]集成式薄膜开关电路和电子装置-CN202122986261.3有效
发明人：高向海;孙长安;黄金玲 -专利权人：北京飞宇微电子电路有限责任公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L27/01 文献下载
摘要：本实用新型涉及混合集成电路技术领域，具体涉及集成式薄膜开关电路和电子装置。该集成式薄膜开关电路，包括底座和封装件，其中底座上设有薄膜基板，薄膜基板包括电阻和带状导线；薄膜基板具有安装区，安装区上安装有多个裸芯片，且多个裸芯片以及电阻之间通过带状导线电连接；封装件与底座固定连接，用以封装多个裸芯片和所述薄膜基板。本实用新型提供的集成式薄膜开关电路，通过采用薄膜混合集成电路的形式实现功率开关电路各模块的集成，不仅有效降低了功率开关电路的尺寸，实现了功率开关电路的小型化，而且提高了电路的可靠性。
集成薄膜开关电路电子装置

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