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[发明专利]Flash闪存的写操作、擦除操作方法及装置-CN201410505228.6有效
发明人：史卫东;李军;李星;潘松 -专利权人：上海东软载波微电子有限公司
申请日： 2014-09-26 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：一种Flash闪存的写操作、擦除操作方法及装置，所述Flash闪存的写操作方法包括：接收对所述Flash闪存的写操作指令；获取所述写操作指令中包含的虚拟地址；根据预设的虚拟地址与实际地址的映射关系，获取所述虚拟地址在所述Flash闪存中对应的实际地址；其中，所述Flash闪存中的页为行与列的矩阵结构，一个虚拟地址对应的实际地址为所述矩阵结构中同一行的多个列地址；将待写入数据写入所述虚拟地址对应的实际地址中的空白地址。采用所述写操作、擦除操作方法及装置，可以有效减少Flash闪存的擦除次数，提高Flash闪存的使用寿命。
虚拟地址实际地址写操作擦除操作写操作指令矩阵结构待写入数据空白地址使用寿命映射关系有效减少列地址擦除预设写入

[发明专利]一种数据快速写入FLASH闪存的方法及系统-CN202010913070.1在审
发明人：韩标 -专利权人：北京百瑞互联技术有限公司
申请日： 2020-09-03 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种数据快速写入FLASH闪存的方法、系统、存储介质及设备，属于数据存储技术领域。该数据快速写入FLASH闪存的方法包括：对存储数据添加第一标志位信息，第一标志位信息标识存储数据的有效性；将存储数据写入FLASH闪存中，包括：对FLASH闪存进行检索，判断FLASH闪存中的对应写入位置上是否存在与存储数据相同类型的已存数据本申请的应用避免FLASH闪存存储时大量的擦除次数，提高FLASH闪存数据的读写速度，提升用户体验。
一种数据快速写入 flash 闪存方法系统

[发明专利]一种Flash闪存的写操作方法及装置-CN201610888884.8有效
发明人：陈诚;陈光胜 -专利权人：上海东软载波微电子有限公司
申请日： 2016-10-11 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： G06F12/06 文献下载
摘要：一种Flash闪存的写操作方法及装置，所述Flash闪存的页为行与列的矩阵结构，每一行对应一个EEPROM地址，所述方法包括：接收对EEPROM地址的写操作指令，获取所述Flash闪存中与所述EEPROM判断所述目标地址是否能够写入所述写操作指令对应的待写入数据；当所述目标地址能够写入所述写操作指令对应的待写入数据时，将所述待写入数据写入所述目标地址；当所述目标地址中无法写入所述待写入数据时，在所述目标地址所处的Flash闪存的页上查找空白列地址，并将所述待写入数据写入至所述空白列地址中。上述方案能够有效减少Flash闪存的擦除次数，提高Flash闪存的使用寿命。
一种 flash 闪存操作方法装置

[发明专利]一种芯片内密钥的安全存储方法-CN202111596443.8在审
发明人：黄超;何杰 -专利权人：杭州万高科技股份有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： G06F21/79 文献下载
摘要：本发明提出一种芯片内密钥的安全存储方法利用芯片上电之后重新bootrom引导的特性，在bootrom引导流程中获取芯片用户在闪存flash中的配置，用户根据需求设置芯片的密钥，并配置密钥在加密模块的读写权限；闪存flash中的配置可以按地址空间分为密钥配置区和密钥存储区；其中密钥配置区可以配置加密模块密钥的读保护和写保护，密钥存储区存放了芯片的密钥；芯片上电之后加密模块会从闪存flash中下载密钥以供模块内的加密算法使用；闪存flash中的密钥存储区始终是读保护的，任何时候都不能读到密钥，在确定使用的芯片密钥之后，将整个闪存flash中密钥存储区配置为写保护，同时写保护是不可逆的，密钥将会固化在闪存flash中，这样可以保证密钥不能被任何用户在后续使用中更改
一种芯片密钥安全存储方法

[发明专利]闪存系统离线状态下数据块数据保存时长获取系统和方法-CN202210064005.5在审
发明人：孙飞 -专利权人：上海颖存半导体科技有限公司
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G11C16/30 文献下载
摘要：本发明实施例提供的闪存系统离线状态下数据块数据保存时长获取系统和方法，涉及半导体领域，包括Nand flash、闪存控制模块、电源开关模块、独立电源模块及独立时钟信号模块，其中，独立时钟信号模块用于当闪存系统处于离线状态时，记录该闪存系统的掉电时间；闪存控制模块用于当闪存系统上电时，计算闪存系统的掉电时间与上电时间之间的时间间隔，得到闪存系统的离线时长；闪存控制模块还用于当闪存系统上电时，分别计算Nand flash中各个数据块的数据写满时间与掉电时间之间的时间间隔，得到各个数据块的初始数据保存时长，能够准确计算闪存系统离线状态时的各个数据块的最终数据保存时长，提高了Nand flash的性能。
闪存系统离线状态数据保存获取方法

[实用新型]提高FLASH配置FPGA成功率的配置管理器-CN201922186357.4有效
发明人：彭维华;李飞;景海涛;周严 -专利权人：武汉卓目科技有限公司;上海卫星工程研究所
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： G06F15/78 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种提高FLASH配置FPGA成功率的配置管理器，包括定时器模块、配置加载切换模块、闪存切换控制模块以及多片FLASH；所述定时器模块与所述配置加载切换模块相连，用于设置每片FLASH对FPGA加载的门限时间并传输给所述配置加载切换模块；所述配置加载切换模块与FPGA的DONE管脚以及所述闪存切换模块相连，所述闪存切换控制模块与多个所述FLASH相连，多个所述FLASH相并联且与FPGA的配置管脚相连，所述配置加载切换模块用于在FPGA加载的门限时间到达后且FPGA加载不成功时，控制闪存切换控制模块切换到下一片FLASH对FPGA进行配置。本实用新型提高了FLASH配置FPGA的成功率，从而提高了系统的整体可靠率；采用定时器模块精确了FPGA加载的时间管理。
提高 flash 配置 fpga 成功率管理器

[发明专利]一种电源模块升级方法及相关装置-CN201811547227.2在审
发明人：华要宇;张兆峰 -专利权人：郑州云海信息技术有限公司
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： G06F8/65 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种电源模块升级方法，包括：通过以太网接收所述服务器转发的电源升级程序；将所述电源升级程序转移到单片机闪存区flash；在所述单片机闪存区flash运行所述电源升级程序，以升级所述电源模块本申请实施例使得数据采集终端通过以太网接收所述服务器转发的电源升级程序后，可以自动将其转移到单片机闪存区flash，并在单片机闪存区flash运行所述电源升级程序，完成对电源模块的升级，实现了电源模块的远程自动升级
电源模块升级程序单片机闪存区电源升级以太网服务器转发数据采集终端远程自动升级相关装置申请

[发明专利]一种闪存烧写方法、单板、上位机及系统-CN201510375705.6在审
发明人：林坤 -专利权人：深圳市中兴微电子技术有限公司
申请日： 2015-06-30 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： G06F9/445 文献下载
摘要：本发明公开了一种闪存(Flash)烧写方法，包括：创建每个Flash烧写单板串口的下载线程后，运行每个Flash烧写单板串口的下载线程；根据每个Flash烧写单板串口的下载线程的运行结果运行第二文件，根据第二文件的运行结果读取每个通串线(USB)闪存盘中的第一镜像文件，其中，所述第一镜像文件包括带有根文件系统的微内核；根据微内核和根文件系统的运行结果对每个Flash烧写单板Flash进行分区操作和格式化操作，将每个USB闪存盘中的第二镜像文件烧写至每个Flash烧写单板Flash。本发明还公开了一种Flash烧写单板、上位机及系统。
一种闪存方法单板上位系统

[发明专利]一种闪存封装芯片-CN201310153357.9有效
发明人：胡洪;舒清明;张赛;张建军;刘江 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2013-04-27 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种闪存封装芯片，包含：基板；闪存（Flash）芯片；拓展芯片，与Flash芯片相互连接并封装在基板上。本发明的闪存封装芯片通过将单独的Flash芯片和拓展芯片进行封装，复杂度较低、设计和生产周期较短、成本较低；Flash芯片的容量可扩展；而且两个芯片可并行工作，可以执行不同的指令操作；另外可以把不同工艺的Flash芯片和拓展芯片封装的一起，复用现有的芯片资源，降低开发成本，而且可以对单个的芯片进行更换，降低更换成本。
一种闪存封装芯片

[实用新型]模块化存储装置-CN201020628433.9无效
发明人：严希茂 -专利权人：深圳市浩天电子技术开发有限公司
申请日： 2010-11-26 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： G06F1/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种模块化存储装置，包括PC主板，在所述主板上集成有固态硬盘的控制集成电路，所述固态硬盘为闪存模块(flash module)，该闪存模块是由颗粒和电子器件组成。现今的SSD如果损坏，将会导致整个磁盘不能使用(flash颗粒坏了将会导致其他的也不能工作)，而flash module将控制闪存的IC跟闪存隔离，易于升级更损坏维修，大大的减低了生产成本跟以后维修成本
模块化存储装置

[发明专利]使用Flash闪存的存储空间代替EEPROM的方法-CN201110163421.2无效
发明人：袁猛 -专利权人：南京LG新港显示有限公司
申请日： 2011-06-17 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明公开一种使用Flash闪存的存储空间代替EEPROM的方法，将Flash闪存的存储空间分为程序存储空间以及数据存储空间，所述数据存储空间中包含有10个子空间，从而可实现数据存储空间共100万次的读写次数，符合EEPROM100万次的读写要求，从而充分利用Flash闪存空间以降低成本。
使用 flash 闪存存储空间代替 eeprom 方法

[发明专利]一种闪存烧写方法、烧写电路、闪存及设备-CN202310079459.4在审
发明人：王德平;郑红丽;何学文;赵慧超;关忠旭;王斯博;杨慧凯;李林男;包呼日查;徐珊珊;龚娜娜 -专利权人：合肥智芯半导体有限公司;中国第一汽车股份有限公司
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明提出一种闪存烧写方法、烧写电路、闪存及设备，通过在闪存控制器中内置SRAM存储器，通过SRAM存储器缓存Flash扇区的值，以实现硬件电路自动完成对Flash阵列的烧写擦除操作。本申请有效提高Flash同地址多次烧写的效率和便利性，提高Flash的存储实用性；有效降低Flash同地址多次烧写所占用的软件开销和CPU负荷，提高MCU系统的执行效率；所增加的控制电路均为纯数字逻辑设计
一种闪存方法电路设备

[实用新型]MTV播放器紧凑式闪存卡控制线路装置-CN200520060398.4无效
发明人：林哲斌;王惠明;戴运强 -专利权人：东莞市富旭电子有限公司
申请日： 2005-06-29 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种使用FLASH存储器作为储存媒体的MTV播放器紧凑式闪存卡控制线路装置。本实用新型目的在于提供一种采用内置FLASH存储器作为储存媒体，使MTV播放器传输、读写速度快。本实用新型的电源输出端连接CPU中央处理器，FLASH存储器连接一个将FLASH界面转为标准的紧凑式闪存界面的紧凑式闪存驱动器，紧凑式闪存驱动器连接CPU中央处理器，电源输出端连接紧凑式闪存驱动器。
mtv 播放紧凑闪存卡控制线路装置

[发明专利]一种轻型嵌入式系统的闪存管理方法-CN202011314074.4有效
发明人：尹鋆晖;李峥;王强;张权;刘海涛;李伟;王世勇;李席;张磊;李春海;张向平;李涛;李义真;李科;张祖;董聪;唐仲;孙天运 -专利权人：石家庄科林电气股份有限公司
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：一种轻型嵌入式系统的闪存管理方法，涉及存储技术领域。闪存中存储几种数据，每种数据有固定的长度和预定的存储数量，包括：针对每一种数据制作数据表头，表示数据在闪存中的存储状态；设置闪存的当前分配位置以及结束位置，统一为各种数据分配空间；闪存连续、滚动使用；闪存回收步骤统一回收可分配的闪存空间采用本发明，不需要提前划分存储区域，让开发更稳定快捷；按需求的字节分配空间而不是按扇区分配，节省了flash的使用空间；存储空间滚动循环使用，各个位置的擦写次数基本相同，延长了flash的使用寿命，节约了成本，降低了Flash选择的需求。
一种轻型嵌入式系统闪存管理方法

[发明专利]一种嵌入式应用日志优化方法、系统、设备及存储介质-CN202111229415.2在审
发明人：倪海;李恩虎;侯宁;史晓江;卢云飞;黄晓英 -专利权人：绿能慧充数字技术有限公司
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种嵌入式应用日志优化方法、系统、设备及存储介质，将系统内存进行分配得到内存，并将日志文件写入至文件内存中，有效的减小了应用负载，在文件内存中将日志文件通过高压缩工具进行压缩后，转载至flash闪存内，极大地减小了flash闪存的擦写和擦写时间，并有效的缓解了flash闪存的空间，可存储更多的日志，同时flash闪存的擦写时间的减少将极大地规避异常掉电造成的文件系统破坏，日志文件的压缩和存储都由低优先级的脚本进行操作
一种嵌入式应用日志优化方法系统设备存储介质

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