专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种零维掺杂溴纳米晶的制备方法及其产品和应用-CN202110777018.2有效
  • 臧志刚;蒋思奇;赵双易 - 重庆大学
  • 2021-07-09 - 2023-02-21 - C09K11/61
  • 本发明涉及一种零维掺杂溴纳米晶的制备方法及其产品和应用,属于纳米晶材料制备技术领域。本发明公开了一种零维掺杂溴纳米晶的制备方法,主要采用热注入的方法进行制备,实现对零维溴纳米晶进行铅掺杂,可以在零维溴纳米晶自身拥有的自陷态激子蓝光宽光谱发射的基础上,新出现由铅掺杂引起的自陷态激子红光宽光谱发射,使其可以在零维铅掺杂溴中同时出现两种自陷态激子发射,这两种发射的PLQY相当且都具有宽的发射光谱,因此出现了覆盖整个可见光光谱的白光发射;同时由于自陷态激子导致的宽的斯托克斯位移,几乎没有自吸收现象
  • 一种掺杂铯铜溴纳米制备方法及其产品应用
  • [发明专利]一种基于光电探测器及制备方法-CN201910151450.3有效
  • 吕燕飞;徐竹华;赵士超 - 杭州电子科技大学
  • 2019-02-28 - 2021-02-02 - H01L31/101
  • 本发明公开了一种基于光电探测器及制备方法,从下到上依次为衬底层、第一电极层、钙钛矿光敏层、第二电极层、器件保护层;所述的钙钛矿光敏层厚度10‑22纳米;所述的钙钛矿光敏层从下到上依次为第一碘化铅层、第一钙钛矿CsPbI3光敏层、碘化铯、第二钙钛矿CsPbI3光敏层、第二碘化铅层;所述的钙钛矿光敏层采用化学气相沉积法制备本发明中采用化学气相沉积法交替沉积碘化铯和碘化铅,碘化铯和碘化铅从界面处发生化学反应生成钙钛矿薄膜层,形成三明治结构,这种结构有利于提高钙钛矿薄膜的稳定性。
  • 一种基于铯铅碘光电探测器制备方法
  • [发明专利]一种薄膜的制备方法及其应用-CN202011389563.6有效
  • 佘利敏;谢振杨;张伟风 - 河南大学
  • 2020-12-02 - 2022-02-15 - C23C14/24
  • 本发明公开了一种薄膜的制备方法,属于半导体材料技术领域。包括以下步骤:S1、在真空条件下,将二碘化锡和碘化铯分别加热至440℃和210℃,并同时向基底沉积二碘化锡和碘化铯,冷却至室温,制得薄膜前驱体;其中,沉积的过程中,所述二碘化锡和碘化铯分别以0.5层/min的速率共沉积25~35min;所述基底温度为‑33~‑23℃;S2、将基底上沉积的薄膜前驱体在温度为100~120℃进行退火处理,即得薄膜。本发明提供的薄膜的制备方法工艺简单、薄膜质量高,特别适合用于开发高性能的无铅钙钛矿太阳能电池。
  • 一种铯锡碘薄膜制备方法及其应用

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