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[发明专利]一种促进铌酸钾钠基无铅压电陶瓷冷烧结的方法-CN202110739722.9有效
发明人：林枞;邓宝玉;吴啸;高旻;赵纯林 -专利权人：福州大学
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种还原气氛热处理粉体促进铌酸钾钠基无铅压电陶瓷冷烧结的方法。首先制备铌酸钾钠粉体，然后在还原气氛下进行热处理，以提高粉体的润湿性并促进冷烧结的进行，随后在铌酸钾钠粉体中加入去离子水进行研磨，在设定的温度和单轴压力下进行成型，随后烘干、烧结，得到性能优异的KNN陶瓷本发明工艺步骤简单，易于操作，对粉体表面润湿性进行改善，解决了冷烧结过程中液相在KNN颗粒表面分布不均匀的问题，使富钾相更完整地包裹在KNN颗粒表面，有效抑制K、Na元素的挥发，减少KNN陶瓷化学计量比的偏移，改善铌酸钾钠基陶瓷的性能。
一种促进铌酸钾钠基无铅压电陶瓷烧结方法

[发明专利]一种铌酸钾钠基陶瓷的制备方法-CN201810201069.9在审
发明人：林枞;巫芳婷;马建章;詹红兵;余兴 -专利权人：福州大学
申请日： 2018-03-12 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌酸钾钠基陶瓷的制备方法，首先制备铌酸钾钠纳米粉体，然后在铌酸钾钠纳米粉体中加入一定比例的研磨溶液，在设定温度和压力下成型，然后在500‑1000℃下热处理可以得到成型密度超过90%的KNN本发明工艺步骤简单，易于操作，可以降低KNN陶瓷的烧结温度，从而解决了KNN陶瓷中高温下钾钠离子挥发问题，节约时间和能源，提高了生产工艺的灵活度。
铌酸钾钠基陶瓷陶瓷纳米粉体制备成型热处理工艺步骤挥发问题钾钠离子制备铌酸铌酸钾钠烧结研磨灵活度中高温钾钠生产工艺节约能源

[发明专利]一种高效促成骨铌酸钾钠基压电植入材料及其制备方法与应用-CN201811532820.X有效
发明人：宁成云;姚甜甜;陈俊祺;肖才榕;王珍高;张珂嘉;胡诗迁 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明属于促成骨植入体的技术领域，公开了一种高效促成骨铌酸钾钠基压电植入材料及其制备方法与应用。方法为1)将五氧化二铌、碳酸钾、碳酸钠和掺杂元素化合物进行球磨，获得球磨粉体；将球磨粉体进行煅烧，获得元素掺杂铌酸钾钠基陶瓷粉；掺杂元素化合物为含硒、钙、锌、铁中一种以上元素的化合物；2)将元素掺杂铌酸钾钠基陶瓷粉与粘结剂混合均匀，造粒、成型、排胶、致密烧结，极化处理，得到铌酸钾钠基压电植入材料。
一种高效促成骨铌酸钾钠基压电植入材料及其制备方法应用

[发明专利]一种水热法制备钙钛矿型片状铌酸钾钠的方法-CN201510635906.5无效
发明人：杨秀英;张德庆;程章洁;石峰 -专利权人：齐齐哈尔大学
申请日： 2015-09-30 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： C01G33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种水热法制备钙钛矿型片状铌酸钾钠的方法，属于功能陶瓷材料领域，其特征在于以氢氧化钠、氢氧化钾、五氧化二铌为原料，碱液浓度为10mol/L，钾钠离子摩尔比为3:1，五氧化二铌的浓度为0.035mol将初始产物干燥后放入马弗炉中450-600℃温度下保温2-4h，得到钙钛矿型铌酸钾钠，显现为六边形或类似圆形片状，厚度为0.1-0.5μm，平面尺寸范围为1.5-4.0μm。该发明方法原料易得价格低廉，设备简单，工艺易控制，在铌酸钾钠二维材料制备以及铌酸钾钠基压电陶瓷织构化研究方面有较好的应用前景。
一种法制备钙钛矿型片状铌酸钾钠方法

[发明专利]一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其低温烧结制备方法-CN200810239628.1无效
发明人：李敬锋;王轲 -专利权人：清华大学
申请日： 2008-12-12 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了属于功能陶瓷材料技术领域的一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其低温烧结制备方法。铌酸钾钠基无铅压电陶瓷，通式为：(1-x)(Na_0.52+yK_0.48)NbO_3+y/2-xLiNbO₃，0.058方法为，称取配料，将原料加入到球磨罐中球磨，烘干后得到混合料粉，将混合料粉在空气中预烧，随炉冷却，合成碱金属铌酸盐；将碱金属铌酸盐粉球磨粉碎，冷压成型后，冷等静压，得到碱金属铌酸盐预烧坯体，将冷等静压后的预烧坯体在空气中无压烧结，随炉冷却，得到铌酸钾钠基无铅压电陶瓷。制备的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷化学成分波动较小，性能稳定，压电性能优异，致密度非常高。
一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其低温烧结制备方法

[发明专利]一种高压电性能的锂锰掺杂钙钛矿结构铌钽酸钾钠无铅压电单晶及其制备方法-CN201410154971.1有效
发明人：郑立梅;霍晓青;张锐;王军军;桑士晶;王锐;杨彬;曹文武 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2014-04-17 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：一种高压电性能的锂锰掺杂钙钛矿结构铌钽酸钾钠无铅压电单晶及其制备方法，它涉及一种钙钛矿结构铌钽酸钾钠无铅压电单晶及其制备方法。本发明的目的是要解决现有发明制备的铌酸钾钠晶体及锂、钽或锰掺杂铌酸钾钠晶体存在漏电，组份不均匀，机电耦合系数和压电系数低的问题。本发明可获得一种高压电性能的锂锰掺杂钙钛矿结构铌钽酸钾钠无铅压电单晶。
一种高压电性能掺杂钙钛矿结构铌钽酸钾钠无铅压电及其制备方法

[发明专利]一种铌酸钾钠基压电陶瓷及其制备方法和应用-CN201911219303.1有效
发明人：李敏;杨小红;陈建兵 -专利权人：池州学院
申请日： 2019-12-03 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明提供了一种铌酸钾钠基压电陶瓷及其制备方法和应用，属于压电陶瓷技术领域。本发明提供的铌酸钾钠基压电陶瓷，通式为K0.48Na0.52Sb0.10Nb本发明通过添加特定用量的氧化锰作为烧结助剂，有效地降低了Na2O和K2O在烧结过程中的挥发量，使制备得到的铌酸钾钠基压电陶瓷具有良好的致密性，且不易受潮，同时解决了现有技术中掺杂Sb元素的铌酸钾钠基压电陶瓷致密性差的技术缺陷。实施例结果表明，本发明制备得到的铌酸钾钠基压电陶瓷在40kV/cm电场下应变达到0.15％，在70kV/cm电场下，应变达到0.23％，致密度达到98％。
一种铌酸钾钠基压电陶瓷及其制备方法应用

[发明专利]一种铌酸钾钠粉体的合成方法及应用-CN202010716101.4有效
发明人：张树君;夏方诠 -专利权人：济南新维陶瓷科技有限公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明提供了一种铌酸钾钠粉体的合成方法及应用。，而后控制温度与Nb2O5粉体反应，收集反应得到的固体沉淀，经洗涤、真空干燥得到产物；该方法以较低温度实现熔盐法制备铌酸钾钠粉体在此基础上，本发明采用无胶制胚工艺，将铌酸钾钠前驱体装模后加二次蒸馏水，再在特定温度、压力下热压成型；该制坯工艺不需要排胶过程，制备的铌酸钾钠胚体密度高，利于进一步合成高性能的铌酸钾钠压电陶瓷。
一种铌酸钾钠粉体合成方法应用

[发明专利]一种钙钛矿型铌酸钾钠基陶瓷及其制备方法-CN202311029308.4有效
发明人：高大强;李博森;熊城 -专利权人：兰州大学
申请日： 2023-08-16 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿型铌酸钾钠基陶瓷及其制备方法，利用三种具有不同相变温度的铌酸钾钠基陶瓷组分预合成粉体混合后干压烧结制备具有较好温度稳定性的连续相变铌酸钾钠基陶瓷。本发明通过研钵进行充分研磨混合过筛后，对三种组分混合陶瓷粉体进行干压成型，利用速升温烧结方式，设置不同的烧结温度，成功制备了较高压电性能和良好温度稳定性的连续相变铌酸钾钠基陶瓷。这种在较宽温区发生连续相变的铌酸钾钠基陶瓷具有较高的压电常数、平面机电耦合系数和良好的温度稳定性，其压电常数可达370 pC/N，kp达到0.53，T
一种钙钛矿型铌酸钾钠基陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种镍颗粒分散锂掺杂铌酸钾钠压电驱动器的制备方法-CN200910080665.7无效
发明人：张海龙;孔德才;张波萍;张永军 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2009-03-25 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： H02N2/00 文献下载
摘要：一种镍颗粒分散锂掺杂铌酸钾钠压电驱动器的制备方法，属于压电驱动器技术领域。本发明采用氧化物混合法合成锂掺杂铌酸钾钠粉末，在1～40vol％Ni成分范围内添加金属镍粉末获得不同镍含量的锂掺杂铌酸钾钠/镍混合粉末，按照设定的镍成分梯度形貌在模具中逐层铺粉、压模成型，通过控制气氛烧结制备镍颗粒分散锂掺杂铌酸钾钠多层复合材料经过切割成形、被覆银电极、牵引导线、极化处理等工艺步骤，组装锂掺杂铌酸钾钠/镍压电驱动器，其中各复合层的厚度为0.2～0.5毫米，层数为3～7层。
一种颗粒分散掺杂铌酸钾钠压电驱动器制备方法

[发明专利]铌酸钾钠基无铅压电陶瓷压电材料及其制备方法-CN200710017813.1无效
发明人：杜红亮;刘代军;周万城;罗发;朱冬梅;苏晓磊;王晓燕 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2007-05-10 - 公布日： 2008-11-12 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明是一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷压电材料及其制备方法，通过添加Bi离子使铌酸钾钠陶瓷的铁电性能增强，进而提高其压电性能。本发明的原材料包括无水碳酸钾、无水碳酸钠、五氧化二铌，还添加有三氧化二铋，其化学计量比为(K_0.5Na_0.5)NbO₃+xwt％Bi₂O₃无铅压电陶瓷，其中0.0≤x≤1，通过配料、烘干研磨、造粒、成型、烧结和被银电极后极化过程，获得铌酸钾钠基无铅压电陶瓷压电材料，有效改善了铌酸钾钠体系压电陶瓷的烧结特性
铌酸钾钠基无铅压电陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]铌酸钾钠系压电陶瓷及其制备方法、电子设备-CN202210070183.9在审
发明人：高大强;张曙光;高美珍;廖忠新;李博森 -专利权人：广东奥迪威传感科技股份有限公司;兰州大学
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明涉及一种铌酸钾钠系压电陶瓷，该铌酸钾钠系压电陶瓷具有如下通式：(0.96‑x)(K0.48Na0.52)Nb铌酸钾钠系压电陶瓷，在离子掺杂的三元系组分铌酸钾钠系无铅压电陶瓷引入了CaZrO3为新体系源，在能够保持良好的压电性能的同时，可以使T0此外，该铌酸钾钠系压电陶瓷的制备工艺简单，原料无毒无害，适用于工业化大规模生产。
铌酸钾钠系压电陶瓷及其制备方法电子设备

[发明专利]一种水热法结合后期热处理工艺制备铌酸钾钠棒的方法-CN201410420282.0有效
发明人：杨秀英;张德庆;石峰;程章洁;徐婷婷 -专利权人：齐齐哈尔大学
申请日： 2014-08-25 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： C01G33/00 文献下载
摘要：本发明的水热法结合后期热处理工艺制备铌酸钾钠棒的方法，其特征在于以氢氧化钾、氢氧化钠、氧化铌为原料，氢氧化钾、氢氧化钠同时充当水热反应的矿化剂，以去离子水为水热反应溶剂。按着一定K/Na摩尔比配制碱溶液浓度为14mol/L，氧化铌浓度为0.05mol/L，水热温度为160℃，反应时间为8h，反应结束后去除上层反应液，将底部的白色沉淀物用去离子水洗涤、分离，对得到的上层溶液进行干燥后得到初始产物将初始产物放入马弗炉中400℃温度下保温1.5h，得到最终产物铌酸钾钠棒，直径约5μm，长度28~100μm，经检测其成分为[（K_xNa_1-x）NbO铌酸钾钠棒状特性明显，分散性好，结晶完善。该发明方法原料易得且价格低廉，实验设备简单，工艺流程易于控制，制备的铌酸钾钠棒在铌酸钾钠基无铅压电陶瓷制备及应用等方面有着较好的发展前景。
一种水热法结合后期热处理工艺制备铌酸钾钠棒方法

[发明专利]一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法-CN202210514423.X有效
发明人：何强;聂京凯;韩钰;卢铃;田一;樊超 -专利权人：国网智能电网研究院有限公司;国网湖南省电力有限公司电力科学研究院
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明涉及功能陶瓷材料领域，具体涉及一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法。本发明提供的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的制备方法，包括如下步骤：将压电陶瓷粗品在60‑120℃的环境中依次进行交流电场极化和直流电场极化，得到所述压电陶瓷。本发明提供的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的制备方法使压电陶瓷的压电系数有明显提高，而反向压电系数在温度变化过程中稳定性得到提高。
一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法-CN202210036677.5在审
发明人：李敬锋 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明涉及功能陶瓷材料技术领域，具体而言涉及一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法。本发明制备方法采用固相法，直接将陶瓷粉制备成多层结构铌酸钾钠基无铅压电陶瓷，从而实现良好的温度稳定性。本发明制备方法制备的多层结构铌酸钾钠基无铅压电陶瓷中每层的成分可调控，每层陶瓷均具有多相共存结构，转变温度从一层依次上升到另一层。每层组分采用相似的化学成分，以确保良好的共烧和易于控制在高温下的扩散。最终使得到的多层铌酸钾钠基压电陶瓷样品在保留较高的压电性能的同时兼具较好的温度稳定性。本发明制备方法操作简便、周期短、成本低、能耗少。
一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法