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[发明专利]一种高纯氧化铌或氧化钽中锆含量的测定方法-CN201310157954.9无效
发明人：高玉峰;朱玲梅;马步洋;王浩冰 -专利权人：江苏美特林科特殊合金有限公司
申请日： 2013-04-28 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： G01N21/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯氧化铌或氧化钽中锆含量的测定方法，该方法包括以下步骤：熔样、浸取微量锆与铁共沉淀、洗涤沉淀、掩蔽干扰元素、显色、测定吸光度。本测定方法利用氧化铌和或氧化钽的氢氧化钾和碳酸钾熔融物，用水浸取时，得到可溶性的铌酸钾或钽酸钾，在碱性溶液中，再以少量的铁为载体，使锆沉淀与铌酸钾或钽酸钾溶液完全分离，锆铁沉淀再用盐酸溶解，利用偶氮胂Ⅲ本测定方法操作简单，能使得金属锆不受铌、钽等金属离子的干扰而分离出来，锆含量的测定结果准确度高。
一种高纯氧化钽中锆含量测定方法

[发明专利]用于铝合金的细化剂及其制备方法-CN202211384037.X在审
发明人：路洪洲;徐佐;郭爱民;张振栋;王巍;于小川;王文军;师彦春 -专利权人：中信金属股份有限公司;中信戴卡股份有限公司;中国中信集团有限公司;锦州钒业有限责任公司
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C22C21/00 文献下载
摘要：本发明公开一种用于铝合金的细化剂的制备方法，细化剂为AlNb(X)B，X为镧和铈中任一，X为镧时，提供氟铌酸钾、铝镧合金、氟硼酸钾和铝，并将其置于反应炉内加热反应，反应后所生成的氟铝酸倒出后对所述反应产物进行浇铸，得到所述铝铌镧硼；X为铈时，提供氟铌酸钾、铝铈合金、氟硼酸钾和铝，并将其置于反应炉内加热反应，反应后所生成的氟铝酸盐倒出后对所述反应产物进行浇铸，得到所述铝铌铈硼。该制备方法中，采用氟铌酸钾作为铌源，价格低、经济性强。本方法制备的细化剂，反应温度在700‑900℃内，反应温度低，铝液烧损量小，反应充分，反应时间在10‑60分钟，效率高。
用于铝合金细化及其制备方法

[发明专利]一种铌酸钠钾基无铅压电陶瓷及其制备方法-CN202111165902.7有效
发明人：李景雷;罗力晨;王明文;杨帅;吴杰;李飞 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌酸钠钾基无铅压电陶瓷及其制备方法，铌酸钾钠基压电陶瓷的化学式为(1‑x)(K0.5Na0.5)NbO，得到预烧粉料后二次球磨并烘干，得到二次球磨粉料；向二次球磨粉料中添加粘合剂造粒，再进行过筛后压制成型，得到陶瓷素胚；排胶去除有机粘合剂后高温烧结，得到烧结陶瓷；将烧结陶瓷两侧表面被银并高压极化，制得铌酸钠钾基无铅压电陶瓷通过组分设计和工艺优化有效改善了铌酸钠钾基陶瓷的烧结特性，抑制了钠、钾元素的挥发，降低气孔率，提高陶瓷致密度，进而提高了介电常数，降低了损耗，改善KNN基陶瓷的综合性能。
一种铌酸钠钾基无铅压电陶瓷及其制备方法

[发明专利]具有减少的铅含量的压电陶瓷材料-CN201480050911.3有效
发明人： E·亨尼希;A·基纳斯特;M·特普费尔;M·霍夫曼 -专利权人： PI陶瓷有限责任公司
申请日： 2014-08-07 - 公布日： 2018-01-16 - 主分类号： H01L41/187 文献下载
摘要：本发明涉及基于铌酸钾钠(KNN)具有减少的铅含量的并且具有一定基本组成的压电陶瓷材料。
具有减少含量压电陶瓷材料

[发明专利]一种钽铌酸钾晶体与电极形成欧姆接触的电光元件及制备方法-CN202211521235.6在审
发明人：刘冰;胡申奥;王旭平;邱程程;禹化健;乔攀雨;张绍东 -专利权人：山东省科学院新材料研究所
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及光电功能晶体器件电极制备技术领域，具体涉及一种钽铌酸钾晶体与电极形成欧姆接触的电光元件及制备方法。该电光元件的制备方法，包括如下步骤：(1)采用离子掺杂生长的钽铌酸钾晶体，对其进行光学级抛光；(2)用磁控溅射在钽铌酸钾晶体表面镀双层金属薄膜电极；(3)在紫外激光辐照的条件下对镀膜晶体进行快速退火。采用离子掺杂的钽铌酸钾晶体，减小金属和晶体间的势垒宽度，使电子或空穴更容易发生隧穿，降低实现欧姆接触所需的退火温度。同时通过在退火过程加入激光辐照，进一步降低使钽铌酸钾晶体与电极形成欧姆接触的退火温度，避免高温退火对晶体内部的破坏，制得的电光元件光学质量好，电学性能稳定。
一种钽铌酸钾晶体电极形成欧姆接触电光元件制备方法

[发明专利]一种铌酸钾/聚偏氟乙烯高介电复合材料的制备方法-CN201210404713.5有效
发明人：侯育冬;葛海燕;朱满康;刘晶冰;王如志;张铭;宋雪梅;汪浩;严辉 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2012-10-22 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：一种铌酸钾/聚偏氟乙烯高介电复合材料的制备方法，属于介电复合材料技术领域。将聚偏氟乙烯加入DMF中，超声20~40min，得到聚偏氟乙烯的浓度为10~50wt%的透明溶液A；将铌酸钾加入到透明溶液A中，超声5~20min，把得到的悬浊液倒入玻璃皿中，置于80~120°C下烘干成膜，即可得到铌酸钾/聚偏氟乙烯复合薄膜B，铌酸钾与聚偏氟乙烯质量比为1∶9~5∶5；将铌酸钾/聚偏氟乙烯复合薄膜B折叠后放入热压模具中，然后将磨具放在粉末压片机上热压成型。
一种铌酸钾聚偏氟乙烯高介电复合材料制备方法

[发明专利]反射式光学偏转器-CN202010929231.6有效
发明人：田浩;王宇;谭鹏;孟祥达;周忠祥 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2020-09-07 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G02B26/08 文献下载
摘要：包括锰掺杂钽铌酸钾单晶，所述锰掺杂钽铌酸钾单晶的高度按预设斜率变化；所述锰掺杂钽铌酸钾单晶高度方向的两个侧面分别连接电极，两个电极分别连接电源的两极；所述锰掺杂钽铌酸钾单晶连接电源后，沿高度变化的方向形成变化的电场；锰掺杂钽铌酸钾单晶在变化的电场下产生不同程度的形变，在反射面呈现不同的倾角，使其产生的反射光束具有不同的偏转角度。
反射光学偏转

[发明专利]提高铌酸钾锂晶片中锂含量的方法-CN200310108225.0无效
发明人：刘军芳;徐军;周国清;何晓明;王海丽;张连翰;杭寅;周圣明;赵广军 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2003-10-28 - 公布日： 2004-10-27 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：一种提高铌酸钾锂单晶片中锂含量的方法，包括如下具体步骤：在铂金坩埚内，放置带气孔的K₂O、Li₂O和Nb₂O₅混合料块；将双面抛光或单面抛光的铌酸钾锂晶片置于或悬于铂金丝上，加上覆盖有K₂O、Li₂O和Nb₂O₅混合粉料和热电偶的坩埚盖，坩埚顶部加铂金盖密闭，置于电阻炉中；该电阻炉加热升温至800～1200℃，恒温50～100小时，Li₂O扩散到铌酸钾锂晶片中，缓慢降温，从而提高了铌酸钾锂晶片中Li含量。本发明克服了高Li含量的铌酸钾锂晶体难以生长的问题，可用于半导体近红外激光倍频。
提高铌酸钾锂晶片含量方法

[发明专利]表面包覆压电材料的锂离子电池正极材料及其制备方法-CN201910222253.6在审
发明人：郁彩艳;司梦婷;赵慧玲;白莹 -专利权人：河南大学
申请日： 2019-03-22 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种表面包覆压电材料的锂离子电池正极材料及其制备方法，电池正极材料表面包覆了一层具有压电效应的压电材料；所述压电材料包括具有压电性能的钛酸钡、铌酸锂、铌酸钠、钽酸锂、偏铌酸钾钠和偏铌酸锶钡中的任一种或多种
压电材料锂离子电池正极材料表面包覆正极活性材料制备电化学循环性能电池正极材料电解质结构稳定性影响和破坏锂离子电池安全性能包覆改性活性材料偏铌酸钾体相结构压电特性压电效应压电性能正极本体铌酸锶钡包覆层界面膜钛酸钡钽酸锂铌酸钠铌酸锂锂离子热解扩散生长保证

[发明专利]铌酸钾钠锂-锆酸铋钠钾-钪酸铋三元系无铅压电陶瓷-CN201710298760.9有效
发明人：陈敏;吴波;吴文娟 -专利权人：成都信息工程大学
申请日： 2017-04-27 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了铌酸钾钠锂‑锆酸铋钠钾‑钪酸铋三元系无铅压电陶瓷，解决了陶瓷无法在高压电常数的情况下依然能保证较高的居里温度的问题。
铌酸钾钠锂锆酸铋钠钾钪酸铋三元系无铅压电陶瓷

[发明专利]压电陶瓷组成物和压电陶瓷-CN200680039413.4有效
发明人：福冈修一;江口知宣;中久保仁 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2006-10-27 - 公布日： 2008-10-22 - 主分类号： C04B35/00 文献下载
摘要：提供一种压电陶瓷组成物，该压电陶瓷组成物具有含有铌酸钾/钠/锂、和钛酸铋/钠、和铁酸铋的组成。
压电陶瓷组成

[发明专利]一种制备七氟铌酸钾的方法-CN202211383994.0在审
发明人：李杰;于小川;路洪洲;郭爱民;徐佐;吴银军;刘飞;滕晓慧;张玉驰;张丹;张振栋;王巍 -专利权人：中信金属股份有限公司;锦州钒业有限责任公司;中国中信集团有限公司
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C01G33/00 文献下载
摘要：本发明公开一种制备七氟铌酸钾的方法，包括如下步骤：步骤一：提供氢氟酸溶液和五氧化二铌，将两者混合加热，所述氢氟酸溶液中的氢氟酸和所述五氧化二铌的重量比为1.0526～3.159；步骤二：向步骤一的产物中加入钾盐，所述钾盐的阴离子是能够与氢离子反应生成水和在加热的反应温度下易挥发的气体的阴离子；步骤三：对步骤二的产物进行结晶、干燥，得到所述七氟铌酸钾。该方法能得到高纯度的七氟铌酸钾。
一种制备七氟铌酸钾方法

[发明专利]一种掺碳铌酸钾压电催化剂的制备方法及其在全分解水制备双氧水中的应用-CN202210508107.1在审
发明人：王梦晔;何佳庆;高峰;王浩伟;林佳慧;刘芳艳;王彪;黄丰 -专利权人：中山大学
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： B01J23/20 文献下载
摘要：本发明属于催化全分解水技术领域，具体涉及一种掺碳铌酸钾压电催化剂的制备方法及其在全分解水制备双氧水中的应用，本发明以铌酸钾单晶作为催化剂，掺杂碳元素增加其极性，通过往氧化铌和葡萄糖混合物中加入氢氧化钾溶液，经水热反应和焙烧处理后制备得到掺碳铌酸钾。然后以上述掺碳铌酸钾作为压电催化剂，利用压电效应，通过压电催化全分解水制备得到双氧水，进而实现了双氧水的绿色高效制备，为发展绿色高效的双氧水制备技术提供了新的方向和策略。
一种掺碳铌酸钾压电催化剂制备方法及其分解双氧水中的应用

[发明专利]一种钽铌酸钾晶体及应用其的低电压电光位相调制器-CN202211684294.5在审
发明人：刘冰;乔攀雨;王旭平;邱程程;禹化健;范松滔;陈文蝶 -专利权人：山东省科学院新材料研究所
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明属于体型电光调制器件领域，尤其涉及一种钽铌酸钾晶体及应用其的低电压电光位相调制器。其化学式为KTa1‑xNbxO3，其中，0.1≤X≤0.3，为立方相，且所述钽铌酸钾晶体采用base:Sup>2+、Li+两种离子共掺，掺杂后两种元素在所述晶体中的摩尔含量为Cu：0.001～0.01％、Li：1～3％，所述的钽铌酸钾晶体位于中间，还包括位于所述钽铌酸钾晶体上表面的第一电极、以及位于下表面的第二电极，所述上表面还设置有入射孔，所述下表面设置有出射孔；可以在Nb组分较低的情况下得到居里点在室温附近的晶体，减小了高Nb含量钽铌酸钾晶体生长的困难，将钽铌酸钾的电光系数提高了2～3倍，大幅降低最终元器件的驱动电压，拥有更大的入射角容忍度，更能满足自由空间光通讯应用的需求。
一种钽铌酸钾晶体应用电压电光位相调制器

[发明专利]一种铌酸钠钾-锰酸锶陶瓷及其制备方法-CN201110425711.X无效
发明人：黄延民;刘来君;史丹平;吴爽爽;郑少英 -专利权人：桂林理工大学
申请日： 2011-12-16 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌酸钠钾-锰酸锶陶瓷及其制备方法。铌酸钠钾-锰酸锶陶瓷的组成式为：(1-x)(K0.5Na0.5)NbO3-xSrMnO3，其中0.01≤x≤0.2，式中x表示相应的组分的摩尔数。采用钙钛矿型的锰酸锶(SrMnO3)作为烧结助剂，可以在晶界形成液相，加速了传质过程，得到了致密铌酸钠钾-锰酸锶[(1-x)K0.5Na0.5NbO3-xSrMnO3]陶瓷，同时也提高了其压电常数。本发明采用将原料球磨4～24小时，然后以3～5℃/min的升温速率升温至800～1000℃预烧2～8小时；以4～8℃/min的升温速率升温至1000～1200℃烧结2～8小时得到铌酸钠钾-锰酸锶[(1-本发明通过掺杂锰酸锶助烧剂后的铌酸钠钾基无铅压电陶瓷，其压电常数从纯的铌酸钠钾的118pC/N提高到250pC/N。
一种铌酸钠钾锰酸锶陶瓷及其制备方法