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[发明专利]一种高介电性能钛酸铜钙外延薄膜的制备方法-CN202110434283.0有效
发明人：薛人中;朱祥;苏玉玲;刘德伟;张会均;陈思源;崔梦茹;陈红炫 -专利权人：郑州轻工业大学
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： C04B35/462 文献下载
摘要：本发明提供了一种高介电性能钛酸铜钙外延薄膜的制备方法，首先利用溶胶凝胶法制备钙、铜、钛的溶液，再合成钛酸铜钙溶胶；其次，清洗SrTiO3(001)基片，利用浸渍提拉法在基片上制备钛酸铜钙凝胶薄膜本发明利用设备简单、低成本的溶胶凝胶法在SrTiO3(001)基片上制备了单一取向的钛酸铜钙薄膜，以提高薄膜的介电常数并降低介电损耗，从而实现钛酸铜钙薄膜的高介电性能本发明显著降低对制膜设备的要求，重复性高，适合在不同造型的基底上制备高质量的钛酸铜钙薄膜。本发明的薄膜材料的介电常数达到104，介电损耗低至0.01。
一种高介电性能钛酸铜钙外延薄膜制备方法

[发明专利]低温环境下低损耗钛酸铜镧钙介电陶瓷材料及其制备方法-CN202111157600.5有效
发明人：张建花;郭斯琪;卢文敏;陈子成;王大伟;郭向阳;郝嵘;雷志鹏;李媛媛;田慕琴 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明公开一种低介电损耗钛酸铜镧钙介电陶瓷材料及其制备方法。具体工艺为：以硝酸铜、硝酸钙、硝酸镧、钛酸四丁酯为原料，按照计量比进行称量配料；以无水乙醇为溶剂；将上述溶胶置于水浴锅中，不断搅拌至形成干凝胶；利用电炉和马弗炉除去干凝胶中的有机物，形成CLCTO前驱体粉末；之后进行加胶、研磨、压片，制成陶瓷胚体，再把胚体放入马弗炉内烧结；在炉内自然冷却至室温，得到CLCTO介电陶瓷。该陶瓷的介电损耗可在20℃降低至0.008，在低温环境下（‑100℃），50 Hz时介电损耗更是可以降低至0.003以下，在低温环境下具有广泛的应用前景。
低温环境损耗钛酸铜镧钙介电陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种改性钛酸铜钙纳米纤维及其制备方法和应用-CN202311154174.9在审
发明人：梅锋;左沛元;高国洪;张海兰;庄启昕;孙博文 -专利权人：江苏国望高科纤维有限公司
申请日： 2023-09-08 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： D06M11/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种改性钛酸铜钙纳米纤维及其制备方法和应用，制备方法包括：先制备羟基化钛酸铜钙纳米纤维，然后使羟基化钛酸铜钙纳米纤维与含有端氨基的烷氧基硅烷反应，生成氨基化钛酸铜钙纳米纤维，再与特定双马来酰亚胺、特定二氨基二苯醚混合，在加热条件下发生反应，生成改性钛酸铜钙纳米纤维；该方法制备的改性钛酸铜钙纳米纤维不仅在聚醚酰亚胺中具有优异的分散性，可以有效增强界面极化，而且显著改善了介电复合材料的击穿强度，降低了介电损耗，克服了现有技术中添加钛酸铜钙颗粒材料后存在的顾此失彼的问题，适于开发具有优异综合介电性能的复合电介质材料，以期在电工电子领域获得推广应用。
一种改性钛酸铜钙纳米纤维及其制备方法应用

[发明专利]一种等离子喷涂技术制备钛酸铜钙高介电涂层的方法-CN201610392017.5在审
发明人：宋仁国;项南;宋若希;刘萍;王超 -专利权人：宁波瑞隆表面技术有限公司
申请日： 2016-06-06 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： C23C4/134 文献下载
摘要：本发明提供了一种等离子喷涂技术制备钛酸铜钙高介电涂层的方法。所述制备钛酸铜钙高介电涂层的方法，包括如下步骤步骤（1）选择钛酸铜钙粉末；步骤（2）对待喷涂的基材铝箔表面进行预处理；步骤（3）将经过预处理的铝箔基材固定在钢板上，选择氩气和氢气为离子气体，氮气为送粉载气，通过真空等离子喷涂设备在所述基材表面进行等离子喷涂，制备钛酸铜钙高介电涂层。
一种等离子喷涂技术制备钛酸铜钙高介电涂层方法

[发明专利]一种钛酸锶钡薄膜及其制备方法和应用-CN201310740835.6无效
发明人：董显林;宋丽蓉;陈莹;王根水 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2013-12-28 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛酸锶钡薄膜及其制备方法和应用。所述薄膜是由镧对钛酸锶钡A位及锰对钛酸锶钡B位共掺杂得到。该薄膜的制备是先制备La、Mn共掺杂的BST陶瓷溅射靶材；然后利用得到的La、Mn共掺杂的BST陶瓷溅射靶材在硅衬底基片上制备镍酸镧底电极；再利用得到的镍酸镧底电极、采用射频磁控溅射法沉积所述的钛酸锶钡薄膜本发明实现了采用磁控溅射法制备镧和锰共掺杂的钛酸锶钡薄膜；且制得的BST薄膜呈钙钛矿结构，单一相，无杂相，且具有(100)择优取向；尤其是，具有高介电可调性、低介电损耗以及适中介电常数，有望应用于制作介电调谐器件
一种钛酸锶钡薄膜及其制备方法应用

[发明专利]在金属钛基片衬底上生长钛酸锶钡薄膜的方法-CN200710038741.9无效
发明人：程晋荣;朱伟诚;孟中岩;俞圣雯 -专利权人：上海大学
申请日： 2007-03-29 - 公布日： 2007-11-21 - 主分类号： C30B29/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种在金属钛基片衬底上生长钛酸锶钡薄膜的方法，属铁电性能材料制备工艺方法技术领域。本发明方法的特点是在金属钛基片衬底上，通过引入镍酸镧缓冲层，即在金属钛和钛酸锶钡薄膜间引入镍酸镧中间缓冲层，且用溶胶－凝胶法在大气环境下生长介电性能良好的钛酸锶钡薄膜。本发明方去的主要步骤为：(1)钛基片的预处理；(2)镍酸镧溶胶和钛酸锶钡溶胶的制备；(3)旋转法甩胶成膜、(4)热处理，热处理温度范围为100～720℃，于700～720℃时为晶化温度，制得具有钙钛矿晶相结构的薄膜本发明方法制得的Ti/LNO/BST复合结构的材料具有优异的介电性能，可作为压控调谐微波器件中的元件应用。
金属钛基片衬底生长钛酸锶钡薄膜方法

[发明专利]镧取代钛酸铜铋钠巨介电陶瓷材料及其制备方法-CN201110063645.6无效
发明人：杨祖培;晁小练;任红梅 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2011-03-16 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：一种镧取代钛酸铜铋钠巨介电陶瓷材料，用通式Na0.5[Bi(1-x)Lax]0.5Cu3Ti4O12表示的材料组成，式中0＜x≤0.20。本发明制备的镧取代钛酸铜铋钠巨介电陶瓷经测试，介电常数为1.02×104、最小的介电损耗为0.022；陶瓷在-50℃到150℃测试温度范围内都具有良好的温度稳定性(-4.00％～-0.69％)。本发明的巨介电陶瓷材料可用于陶瓷电容器、微波介质元件等实用型器件中，特别是在动态随机存储和高介电电容器中有着广泛的应用前景。
取代钛酸铜铋钠巨介电陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种高介电性能的钛酸铜钙薄膜及其制备方法-CN202210962495.0在审
发明人：薛人中;张腊梅;杨坤;赵柳洋;李涛;代海洋;刘德伟;陈子阳 -专利权人：郑州轻工业大学
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C04B35/462 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用溶胶凝胶法制备高介电常数、低介电损耗的钛酸铜钙薄膜的方法，该薄膜材料由Ca1‑xCdxCu钙、醋酸镉、醋酸铜及钛酸四丁酯为起始原料，丙酸和醋酸为络合剂，乙醇或甲醇为溶剂，制备溶胶，提拉法在Pt/Ti/SiO2/Si基底上制备钛酸铜钙凝胶膜薄膜，通过改进热处理工艺，获得了光滑、致密的掺镉的钛酸铜钙薄膜。本发明制备的钛酸铜钙薄膜工艺简单、成本低、重复性好，薄膜的介电性能优良，应用前景广泛。
一种高介电性能钛酸铜钙薄膜及其制备方法

[发明专利]应用于电容器的石墨烯/陶瓷复合介电膜及其制备方法-CN201811612912.9在审
发明人：陈远强;张易宁;李伟;陈素晶;张祥昕;王维;刘永川;苗小飞;林俊鸿 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：本发明提供一种应用于电容器的石墨烯/陶瓷复合介电膜及其制备方法。将钛酸铜钙加入氧化石墨烯分散液中，再加入絮凝剂溶液，清洗、抽滤、烘干，煅烧，制备得到包覆石墨烯的钛酸铜钙材料；将包覆石墨烯的钛酸铜钙材料表面经硅烷偶联剂改性，与聚偏氟乙烯溶液混合，制膜、干燥，制备得到复合介电膜本发明制备的复合介电膜具有高介电常数、低损耗、高强度、高热稳定性等，可广泛应用于电容器等。且工艺简单，成本低廉，易实现规模化生产。
制备电容器钛酸铜钙包覆石墨复合介电陶瓷复合介电膜石墨烯应用硅烷偶联剂改性聚偏氟乙烯溶液高介电常数高热稳定性规模化生产絮凝剂溶液氧化石墨烯分散液中低损耗烘干抽滤制膜煅烧清洗

[发明专利]一种有机高分子复合陶瓷材料的制备方法-CN202210728535.5在审
发明人：郑荣妹 -专利权人：郑荣妹
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： C08L25/06 文献下载
摘要：本发明涉及聚合物/陶瓷复合介电材料技术领域，且公开了一种有机高分子复合陶瓷材料的制备方法，包括：制备高长径比的一维铜纳米线，在一维铜纳米线上负载纳米级粒径的钛酸铜钙陶瓷粒子，得到铜纳米线负载钛酸铜钙复合粒子，对其进行巯基化处理，并制备包覆有聚苯乙烯壳层结构的铜纳米线‑钛酸铜钙复合填料，将包覆有聚苯乙烯壳层结构的铜纳米线‑钛酸铜钙复合填料引入聚苯乙烯基质中，得到有机高分子复合陶瓷材料，该方法制备得到的有机高分子复合陶瓷材料实现了在保持具有较高的介电常数情况下，大大降低了其介电损耗的有益技术效果。
一种有机高分子复合陶瓷材料制备方法

[发明专利]一种巨介电钛酸铜钙复合陶瓷材料及其制备方法和应用-CN201910045678.4有效
发明人：张立学;毛蒲;王继平;刘淑娟;赵莹莹;王泽鹏 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2019-01-17 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： C04B35/462 文献下载
摘要：本发明公开了一种巨介电钛酸铜钙复合陶瓷材料及其制备方法和应用，属于电子陶瓷材料制备的技术领域。本发明通过将固相法和溶胶‑凝胶法合成的微、纳米粉体进行混合制备钛酸铜钙复合陶瓷材料，制备过程简单可控、重复性好、成品率高，还可通过改变微米粉体和纳米粉体复合比例，调控钛酸铜钙复合陶瓷的晶粒尺寸及其范围，从而得到致密的高介电(5×104)、低损耗(0.051)、高击穿场强(2374V/cm)和高储能密度(20kJ/m3)的钛酸铜钙复合陶瓷材料，其储能密度是单一微米和纳米粉体制备陶瓷的12.7和12.1倍。本发明制备的钛酸铜钙复合陶瓷材料实用性强，作为介质材料可用于制备高介电多层陶瓷电容器和动态随机存储器，也作为压敏陶瓷材料用于电力、电子系统等领域。
一种巨介电钛酸铜钙复合陶瓷材料及其制备方法应用

[发明专利]一种电容器用陶瓷介电膜及其制备方法和应用-CN201811615194.0在审
发明人：陈远强;张易宁;李伟;陈素晶;张祥昕;王维;刘永川;苗小飞;林俊鸿 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： C04B35/465 文献下载
摘要：本发明公开了一种电容器用陶瓷介电膜及其制备方法和应用。氟掺杂钛酸铜钙介电膜的化学式为CaCu₃Ti₄O_(12‑x)F_x，其中x的范围为0.02～0.2，介电膜的厚度为0.01将氧化铜(CuO)、碳酸钙(CaCO₃)、二氧化钛(TiO₂)、氟化钙(CaF₂)和溶剂混合，烘干、预煅烧，制备得到预烧粉料；将预烧粉料造粒、压片、终煅烧，制备得到的氟掺杂钛酸铜钙介电膜。该介电膜具有巨介电常数和低介电损耗等优异性能，且本发明制备工艺简单，一致性高，适合大规模的批量生产。
介电膜制备方法和应用电容器用陶瓷介电钛酸铜钙氟掺杂预烧煅烧制备发明制备工艺低介电损耗巨介电常数碳酸钙二氧化钛粉料造粒溶剂混合优异性能氟化钙氧化铜烘干粉料压片生产

[发明专利]石墨烯@钛酸铜钙-聚苯并二噁唑三相复合薄膜的制备方法-CN201710420827.1有效
发明人：庄启昕;冯皓;郭松;华嘉松;陈一;刘桂芳;徐雨强;陈锰炯;康欣悦 -专利权人：华东理工大学;上海航天技术研究院;上海航天精密机械研究所
申请日： 2017-06-07 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： C08L79/04 文献下载
摘要：本发明石墨烯@钛酸铜钙‑聚苯并二噁唑三相复合薄膜的制备方法，将石墨烯与钛酸铜钙引入到聚苯并二噁唑聚合物中，利用石墨烯在聚苯并二噁唑聚合物内形成的“微电容”提高复合薄膜的介电常数，利用具有巨介电常数的钛酸铜钙进一步提高复合薄膜的介电常数且阻止石墨烯在聚苯并二噁唑聚合物中形成导电网络，降低介电损耗，它通过五个步骤：⑴制备氧化石墨烯、⑵制备羧基化氧化石墨烯、⑶制备氨基化钛酸铜钙、⑷制备氧化石墨烯包覆钛酸铜钙的复合填料以及步骤⑸获得石墨烯@钛酸铜钙‑聚苯并二噁唑三相耐高温高介电复合薄膜
石墨钛酸铜钙二噁唑三相复合薄膜制备方法

[发明专利]钙铜钛镧氧介电陶瓷的制备方法-CN200610049584.7无效
发明人：曹光旱;冯丽欣;焦正宽 -专利权人：浙江大学
申请日： 2006-02-24 - 公布日： 2006-07-26 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明涉及一种钙铜钛镧氧介电陶瓷的制备方法。提供纯度高于99％的碳酸钙，氧化铜，氧化钛和氧化镧；通式是Ca_1－xLa_xCu₃Ti₄O₁₂本发明解决了钙铜钛氧作为一种可以用在动态存储、高介电电容和各种薄膜器件等微电子器件上的材料，虽然具有巨介电常数，但介电损耗过高的问题，使其在保持高介电常数的同时也降低了介电损耗，而且其介电常数不变的温区也通过本发明的方法被展宽
钙铜钛镧氧介电陶瓷制备方法

[发明专利]一种二氧化硅包覆钛酸铜钙纳米纤维的聚合物基介电复合材料及其制备方法-CN201710928413.X在审
发明人：党智敏 -专利权人：南通洪明电工科技有限公司
申请日： 2017-10-09 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种二氧化硅包覆钛酸铜钙纳米纤维的聚合物基介电复合材料的制备方法。该方法通过静电纺丝技术制备钛酸铜钙纳米纤维，利用正硅酸四乙酯在碱性溶液中水解的特性，在钛酸铜钙纳米纤维上均匀包覆一层二氧化硅，用溶液分散法或熔融共混法将填料均匀分散于聚合物基体中，然后制成复合薄膜。本发明提供的制备方法，通过在无机陶瓷填料上包覆二氧化硅绝缘层，从而在保存其高介电性能的同时，降低复合材料的介电损耗，提高其击穿强度。基于其优良的介电性能，该复合材料可以作为电介质层，应用于高能量密度电介质电容器。
一种二氧化硅包覆钛酸铜钙纳米纤维聚合物基介电复合材料及其制备方法

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