专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体组件及其制备方法-CN201410623813.6有效
  • 曾秋莲;罗明辉;侯颖;徐文辉;杨钦耀 - 比亚迪股份有限公司
  • 2014-11-06 - 2019-01-29 - H01L25/07
  • 本发明公开了一种半导体组件及其制备方法,半导体组件包括:金属底板,金属底板上设有第一焊接面;覆金属陶瓷基板,覆金属陶瓷基板设在金属底板上且与第一焊接焊接相连,覆金属陶瓷基板上设有第二焊接面;芯片,芯片设在覆金属陶瓷基板上且与第二焊接焊接相连,第一焊接面和第二焊接面中的至少一个上设有突出于第一焊接面和/或第二焊接面的凸点,金属底板与覆金属陶瓷基板之间的焊料和/或芯片与覆金属陶瓷基板之间的焊料分别设在凸点上,凸点的熔点大于焊料的焊接温度。
  • 半导体组件及其制备方法
  • [发明专利]一种金属陶瓷铰刀焊接工艺-CN202011606310.X在审
  • 陈捷;李钟栗 - 无锡博尔凯精密工具有限公司
  • 2020-12-30 - 2021-05-04 - B23K1/002
  • 本发明涉及一种金属陶瓷铰刀焊接工艺,包括以下步骤:1)准备工作:被焊接体为金属陶瓷焊接体为硬质合金,焊接料为铜料,被焊接体一端设置V型凸槽,配合的焊接体一端设置V型凹槽;2)涂抹助焊剂和抗氧化剂:在被焊接体的V型凸槽和焊接体的V型凹槽表面上均均匀涂抹助焊剂和抗氧化剂;3)焊接:先将焊接体用高频焊接机加热至发红,将被焊接体的V型凸槽慢慢压向焊接体的V型凹槽,并通过焊接料将金属陶瓷的被焊接体与硬质合金的焊接焊接为一体,所述金属陶瓷铰刀焊接工艺,焊接不易开裂,可用于焊接φ5~φ10的小规格金属陶瓷刀。
  • 一种金属陶瓷铰刀焊接工艺
  • [实用新型]金属陶瓷管壳封装结构-CN202220852146.9有效
  • 郝凤斌 - 扬州国扬电子有限公司
  • 2022-04-14 - 2022-10-11 - H01L23/04
  • 本实用新型公开了一种金属陶瓷管壳封装结构,包括金属陶瓷管壳外框和绝缘陶瓷基板,金属陶瓷管壳外框设置于绝缘陶瓷基板的上方,金属陶瓷管壳外框的底部与绝缘陶瓷基板固定连接。采用上述封装结构的功率模块,使高温焊接金属陶瓷管壳外框的收缩力仅作用在绝缘陶瓷基板上方,改变热膨胀系数不匹配带来的应力分布,可以使用更薄的绝缘陶瓷基板,具有更高的散热效率。
  • 金属陶瓷管壳封装结构
  • [实用新型]金属封装短路器模块-CN201620823063.1有效
  • 董双福;白添淇;闫俊华;刘继红;郭志勇;杨宁 - 阜新市天琪电子有限责任公司
  • 2016-08-02 - 2017-01-18 - H01H85/165
  • 本实用新型属于电子元器件,特别涉及一种金属封装短路器模块,金属陶瓷外壳(1)左、右两侧分别设有安装座(1‑1),金属陶瓷外壳(1)内腔底部铜板上面焊接两片氧化铍(6),氧化铍(6)的上面焊接钼片(5),钼片(5)与电极(3)之间焊接连接,钼片(5)与电极(3)表面镀有镀金保护层(2),两个电极(3)分别穿过金属陶瓷外壳(1)的侧壁,电极(3)与金属陶瓷外壳(1)之间装有陶瓷绝缘环(9),镀有镀金保护层(2)的钼片(5)之间用多个铝丝(4)连接,金属陶瓷外壳(1)内腔用硅凝胶(7)灌封,外壳盖(8)与金属陶瓷外壳(1)上端面之间焊接连接,金属封装短路器模块结构简单,体积小,在同等电流条件下保护熔断电流大
  • 金属封装短路模块
  • [实用新型]一种金属陶瓷真空封装半导体器件-CN202321072775.0有效
  • 胡相荣 - 广东福流半导体有限公司
  • 2023-05-08 - 2023-10-27 - H01L23/28
  • 本实用新型公开了一种金属陶瓷真空封装半导体器件,其包括封装外壳、半导体晶片及第一、二引线电极,封装外壳内部成型密闭腔室;第一、二引线电极分别包括金属引线、金属电极,第一、二引线电极的金属电极分别与半导体晶片相应侧的接电端焊接并电性导通;封装外壳包括至少两个依次连接的金属陶瓷件,相邻两个金属陶瓷件通过外壳焊接组件密封焊接;第一、二引线电极的金属引线分别穿过相应侧金属陶瓷件并延伸至封装外壳外侧,且各金属引线分别通过引线焊接组件与相应侧金属陶瓷件密封焊接;密闭腔室内填充有包覆半导体晶片、各金属电极的耐高温绝缘层。
  • 一种金属陶瓷真空封装半导体器件
  • [发明专利]300kV五波纹金属陶瓷X射线管-CN201410664008.8无效
  • 张忠东;孙晓强;马翠 - 丹东市无损检测设备有限公司
  • 2014-11-20 - 2015-01-28 - H01J35/18
  • 一种300kV五波纹金属陶瓷X射线管,在金属陶瓷管壳上设有五波纹金属陶瓷结,在五波纹金属陶瓷结的顶部设有阴极端金属定位环,射线管阴极与阴极端金属定位环连接,阴极端金属定位环及阴极端连接环分别与五波纹金属陶瓷结密封连接,尾罩与阴极端连接环连接,阳极靶与阳极主体密封连接,在五波纹金属陶瓷结的底部密封连接阳极端连接环,阳极主体与阳极端连接环真空焊接,阳极罩与法兰真空焊接,在阳极主体垂直于阳极靶的中心处设有X射线输出窗。
  • 300kv波纹金属陶瓷射线

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