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[发明专利]一种晶体管管芯结构及制作方法-CN201910942730.6有效
发明人：郑伯涛;陈建星;邱文宗;林易展;王淋雨;林伟;章剑清;郭一帆;林伟铭 -专利权人：福建省福联集成电路有限公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶体管管芯结构及制作方法，其中制作方法包括如下步骤：在具有有源区、无源区、源极、漏极和栅极的半导体衬底上沉积第一层金属，在有源区形成源极金属和漏极金属，靠近源极的一侧的最外侧源极金属为第一源极金属，其余的源极金属为第二源极金属，源极金属的一侧延伸至无源区；沉积第二层金属，在相邻的源极金属和漏极金属之间形成栅极金属；沉积第三层金属，形成源极连线金属、漏极连线金属和栅极连线金属；以第一源极金属无源区部分和第二源极无源区部分为桥墩位置制作源极金属桥，源极金属桥连接源极金属和源极金属；本发明制作连通源极时不跨越有源区的栅极金属和漏极金属的金属桥结构，减小了寄生电容，提升器件射频工作性能。
一种晶体管管芯结构制作方法

[发明专利]一种提高功率芯片表面电流均匀性的打线方法-CN202010557344.8在审
发明人：朱袁正;周锦程;朱久桃;丛微微 -专利权人：无锡电基集成科技有限公司
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高功率芯片表面电流均匀性的打线方法，可有效抑制功率芯片源极边缘位置的温度上升，避免雪崩击穿时局部过热问题产生，包括功率芯片、源极金属引脚、栅极金属引脚、栅极金属线、源极金属线、漏极金属引脚、漏极金属垫片，功率芯片表面设置有源极、栅极、漏极，功率芯片的源极通过源极金属线与源极金属引脚连接，功率芯片的栅极通过栅极金属线与栅极金属引脚连接，功率芯片底端的漏极与漏极金属垫片焊接，漏极金属引脚从漏极金属垫片上引出，功率芯片的源极上设置有金属电流桥，金属电流桥为点状或线状。
一种提高功率芯片表面电流均匀方法

[实用新型]一种提高功率芯片表面电流均匀性的打线结构-CN202021142127.4有效
发明人：朱袁正;周锦程;朱久桃;丛微微 -专利权人：无锡电基集成科技有限公司
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种提高功率芯片表面电流均匀性的打线结构，可有效抑制功率芯片源极边缘位置的温度上升，避免雪崩击穿时局部过热问题产生，包括功率芯片、源极金属引脚、栅极金属引脚、栅极金属线、源极金属线、漏极金属引脚、漏极金属垫片，功率芯片表面设置有源极、栅极、漏极，功率芯片的源极通过源极金属线与源极金属引脚连接，功率芯片的栅极通过栅极金属线与栅极金属引脚连接，功率芯片底端的漏极与漏极金属垫片焊接，漏极金属引脚从漏极金属垫片上引出，功率芯片的源极上设置有金属电流桥，金属电流桥为点状或线状。
一种提高功率芯片表面电流均匀结构

[实用新型]极耳连接结构、电池单元及电池模组-CN202021957566.0有效
发明人：牛从酥;王涛;彭祖铃 -专利权人：中航锂电技术研究院有限公司
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01M50/531 文献下载
摘要：本实用新型涉及电池技术领域，具体提出一种极耳连接结构、电池单元及电池模组。极耳连接结构包含金属极耳束、金属箔材及第二金属极耳；金属极耳束包含叠置的至少两个第一金属极耳，第一金属极耳的材质包含金属锂，金属极耳束沿叠置方向的两侧分别具有连接表面；金属箔材压合连接于两个连接表面；第二金属极耳以一连接端焊接连接于金属箔材，以使金属极耳束、金属箔材与第二金属极耳焊接连接。本实用新型能够使得金属极耳束与第二金属极耳的连接关系更加牢固，避免金属极耳束与第二金属极耳直接焊接，利用金属箔材对金属极耳束提供保护功效，使得该极耳连接结构不易产生剥离，从而避免接触不良，保证极耳结构的导电性能
连接结构电池单元模组

[实用新型]氮化镓MISHEMT结构-CN202020496854.4有效
发明人：刘春利 -专利权人：深圳镓华微电子有限公司
申请日： 2020-04-07 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本实用新型提供一种氮化镓MISHEMT结构，包括晶圆，晶圆形成有源极金属、漏极金属以及栅门金属，在源极金属、漏极金属以及栅门金属上方覆盖有第一绝缘介质层，第一绝缘介质层于源极金属以及漏极金属相应位置处分别具有开口并在开口内形成有第一链接金属，第一链接金属上方覆盖有第一源极金属场板以及第一漏极金属场板，第二绝缘介质层覆盖第一源极金属场板、第一漏极金属场板以及露出的第一绝缘介质层，第二绝缘介质层于源极金属以及漏极金属相应位置处分别具有开口并在开口内形成有第二链接金属，第二链接金属表面覆盖有第二源极金属场板以及第二漏极金属场板，在第二源极金属场板和第二漏极金属场板表面覆盖有钝化层，能够有效提高器件抗压性能。
氮化 mishemt 结构

[发明专利]半导体器件-CN202111052909.8有效
发明人：林坤;杨天应;刘丽娟;吴文垚 -专利权人：深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：该半导体器件包括衬底、位于衬底上的半导体叠层、位于半导体叠层上且间隔排布的源极欧姆金属和漏极欧姆金属、与源极欧姆金属接触连接的源极互连金属、与漏极欧姆金属接触连接的漏极互连金属、位于源极互连金属与漏极互连金属之间且与半导体叠层接触连接的栅极金属，以及位于半导体叠层上且与源极互连金属形成金属互连的源场板；其中，源场板位于源极互连金属和漏极互连金属之间，源场板至漏极欧姆金属的距离小于源场板至漏极互连金属的距离。该半导体器件能够在不额外增加器件面积的条件下减小源极和漏极之间的寄生电容，从而提高器件的漏极效率。
半导体器件

[实用新型]一种五极耳机插头-CN201420455376.7有效
发明人：李晓锋 -专利权人：李晓锋
申请日： 2014-08-13 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： H04R1/10 文献下载
摘要：本实用新型公开一种五极耳机插头，包括一绝缘轴心，所述绝缘轴心由内至外依次同轴排布有第一金属极、第二金属极、第三金属极、第四金属极和第五金属极，每两个金属极之间均由绝缘材料隔开，第五金属极的前端与末端一体成型，第一金属极的末端连接耳机左声道，第二金属极的末端接耳机右声道，第三金属极的末端接麦克风左声道，第四金属极接地线，第五金属极的末端接麦克风右声道。本实用新型增加第五金属极，第五金属极连接麦克风右声道，耳机输出声音时具有左右声道同时输出，大大提高了耳机输出的音质和音效。
一种耳机插头

[发明专利]氮化镓MISHEMT的制作方法以及结构-CN202010265918.4在审
发明人：刘春利 -专利权人：深圳镓华微电子有限公司
申请日： 2020-04-07 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓MISHEMT的制作方法，包括：晶圆开槽并在槽内沉积金属得到源极金属、漏极金属以及栅门金属；表面沉积第一绝缘介质层；将第一绝缘介质层开口以打开源极金属以及漏极金属，并在开口内形成第一链接金属；表面沉积第一金属层；刻蚀第一金属层得到链接源极金属的第一源极金属场板以及链接漏极金属的第一漏极金属场板；表面沉积第二绝缘介质层；将第二绝缘介质层开口以分别打开第一源极金属场板以及第一漏极金属场板，并在开口内形成第二链接金属；表面沉积第二金属层；刻蚀第二金属层得到链接第一源极金属场板的第二源极金属场板以及链接第一漏极金属场板的第二漏极金属场板；表面沉积钝化层。
氮化 mishemt 制作方法以及结构

[发明专利]半导体装置-CN201710073456.4有效
发明人：林立凡;杨竣杰 -专利权人：台达电子工业股份有限公司
申请日： 2017-02-10 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种半导体装置包含主动层、源极电极、漏极电极、栅极电极、第一绝缘层、栅极金属层、贯穿结构、第一源极金属层、漏极金属层与第二源极金属层。源极电极、漏极电极与栅极电极置于主动层上。栅极电极置于源极电极与漏极电极之间。第一绝缘层置于源极电极、漏极电极与栅极电极上。栅极金属层置于栅极电极与第一绝缘层上。栅极金属层包含窄部与宽部。贯穿结构置于栅极金属层与栅极电极之间。第一源极金属层置于源极电极与第一绝缘层上。漏极金属层置于漏极电极与第一绝缘层上。第二源极金属层置于栅极金属层与漏极金属层之间。
半导体装置

[实用新型]一种防雷恒压装置-CN201620977157.4有效
发明人：张万岭;朱世华;谭安民;余勇 -专利权人：谭安民;余勇
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01T19/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种防雷恒压装置，包括金属极I、金属极II、电解液，所述的金属极I、金属极II分别与电解液相接触，金属极I和金属极II不接触；所述的金属极I、金属极II为属性相同的金属材料制备而成；所述的金属极I与接闪器连接，该装置可以钳制金属导体静电感应电压以消除其静电高压放电现象，并能够实现将瞬间直流高压转换成大电流泄放。
一种防雷装置

[发明专利]一种LED晶片结构-CN201710386564.7在审
发明人：陈永平 -专利权人：厦门市东太耀光电子有限公司
申请日： 2017-05-26 - 公布日： 2017-07-21 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED晶片结构，属于LED领域，包括由依次层叠的P极导电金属层、P极结晶基板、N极结晶基板和N极导电金属层构成的本体，N极导电金属层连接有N极引脚，所述P极导电金属层下方连接有至少一个P极引脚，所述本体内设有贯穿N极结晶基板、P极结晶基板和P极导电金属层的通道，通道内壁还设有绝缘层，通道内设有导电柱，导电柱的两端分别连接有N极导电金属层和与N极引脚。与现有技术相比，该LED晶片结构在本体中设有通道，通道内设有与N极金属层和N极引脚连接的导线柱，P极导电金属层直接连接P极引脚，这样避免利用金线将N极金属层和P极金属层分别与N极引脚和P极引脚连接，减少制造工序
一种 led 晶片结构

[实用新型]一种LED晶片结构-CN201720602054.4有效
发明人：陈永平 -专利权人：厦门市东太耀光电子有限公司
申请日： 2017-05-26 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种LED晶片结构，属于LED领域，包括由依次层叠的P极导电金属层、P极结晶基板、N极结晶基板和N极导电金属层构成的本体，N极导电金属层连接有N极引脚，所述P极导电金属层下方连接有至少一个P极引脚，所述本体内设有贯穿N极结晶基板、P极结晶基板和P极导电金属层的通道，通道内壁还设有绝缘层，通道内设有导电柱，导电柱的两端分别连接有N极导电金属层和与N极引脚。与现有技术相比，该LED晶片结构在本体中设有通道，通道内设有与N极金属层和N极引脚连接的导线柱，P极导电金属层直接连接P极引脚，这样避免利用金线将N极金属层和P极金属层分别与N极引脚和P极引脚连接，减少制造工序
一种 led 晶片结构

[发明专利]一种双极型场效应晶体管及其制备方法-CN202110293406.3在审
发明人：蔡文必;何湘阳;魏鸿基;郭佳衢 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-03-18 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： H01L21/8248 文献下载
摘要：本发明提供一种双极型场效应晶体管及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，方法包括：通过发射极接触光罩形成发射极金属、源极金属和漏极金属；通过凹槽蚀刻光罩以在源极金属和漏极金属之间露出肖特基层；通过发射极台阶层光罩以在发射极金属两侧露出发射极层；通过基极接触光罩以分别形成基极金属和栅极金属。通过EC光罩同步制作发射极金属、源极金属和漏极金属，通过BC光罩在制作HBT中的基极金属时，同步制作FET中的栅极金属，如此，可以避免额外使用单独的光罩制作FET中的栅极金属，有效的简化了工艺步骤，提高了制作效率
一种双极型场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种叠状电感及制作方法-CN201910380364.X有效
发明人：林张鸿;林豪;詹智梅;王潮斌;肖俊鹏;陈东仰;郑育新 -专利权人：福建省福联集成电路有限公司
申请日： 2019-05-08 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明公开一种叠状电感及制作方法，制作方法包括如下步骤：在半导体器件上制作第一光阻层，在源极金属、漏极金属和电感底层金属处进行曝光显影，电感底层金属处在半导体器件的绝缘区域；沉积晶体管的源极金属、漏极金属和电感底层金属；去除第一光阻层，沉积第一保护层，在栅极位置、源极金属、漏极金属和电感底层金属蚀刻出开口；制作第二光阻层，在栅极位置、源极金属、漏极金属和电感底层金属处进行曝光显影；沉积栅极金属、源极叠层金属、漏极叠层金属和电感叠层金属本方案相对于改进前的制程工艺，节省光罩和金属沉积工艺，同时降低了电感内电阻。
一种电感制作方法

[实用新型]极细管的金属接触反应钎焊结构-CN201621487970.X有效
发明人：陈基明 -专利权人：深圳市晟达真空钎焊技术有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： B23K1/19 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种极细管的金属接触反应钎焊结构，其包括一金属极细管，所述金属极细管包括能够相互对应贴合的两部分，所述金属极细管的其中一个部分的接合面上镀有能与所述金属极细管发生冶金反应的反应金属层；所述金属极细管的两部分置于焊接夹具中，所述焊接夹具压紧所述金属极细管的两部分。本实用新型的极细管的金属接触反应钎焊结构能够提高金属极细管的焊接质量，保证了金属极细管的焊接强度和密封性能。
细管金属接触反应钎焊结构

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