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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种显示面板及显示装置-CN202010127373.0有效
发明人：周思思 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H10K59/80 文献下载
摘要：本申请提供一种显示面板及显示装置，显示面板包括显示区和周边区以及通孔区，周边区围绕通孔区设置，显示区围绕周边区设置。显示面板对应通孔区的位置用于设置屏下摄像头；显示面板上包括层叠的无机绝缘层、有机绝缘层、有机发光层以及薄膜封装层，有机发光层对应显示区设置。本申请通过去除通孔区周边的有机发光层，并在周边区设置环形凹槽，可阻挡薄膜封装层中的有机层的流动，从而避免水汽从通孔区往内进入到显示区而引起的封装失效。
一种显示面板显示装置

[发明专利]显示面板及显示装置-CN202080000399.7有效
发明人：魏俊波;杨盛际;黄冠达;卢鹏程;田元兰 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H10K59/10 文献下载
摘要：该显示面板包括驱动背板、多个检测垫、发光功能层和柔性电路板，驱动背板具有像素驱动区和围绕像素驱动区的外围区，外围区具有绑定焊盘；驱动背板的边沿由第一段和第二段围成，绑定焊盘位于第一段和像素驱动区之间；多个检测垫设于第二段，且沿第二段分布；发光功能层设于驱动背板上，且位于像素驱动区；柔性电路板延伸至第一段与像素驱动区之间，且与绑定焊盘绑定；第一封装层设于发光功能层背离驱动背板的一侧，第一封装层在驱动背板上的正投影覆盖像素驱动区、外围区和检测垫。
显示面板显示装置

[发明专利]光电探测装置的制造方法-CN202010471023.6有效
发明人：张玺;徐青;王麟 -专利权人：湖北京邦科技有限公司
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本申请公开了一种光电探测装置的制造方法，包括：在所制备的第一衬底上生长出外延层，在外延层中的远离第一衬底的一侧形成第一掺杂区、第二掺杂区以及第三掺杂区，其中，第二掺杂区位于第一掺杂区与第三掺杂区之间；在外延层的一侧上方形成反射结构；对第一衬底进行处理以露出外延层中的另一侧；对另一侧进行掺杂处理以形成第四掺杂区；在第四掺杂区下方制备与第一掺杂区、第二掺杂区以及第三掺杂区分别连接的第一焊盘、第二焊盘以及第三焊盘以获得对应的电极。
光电探测装置制造方法

[发明专利]非易失性半导体存储器件-CN201810788699.0有效
发明人：周步康;张城绪 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-07-18 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H10B41/30 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失性半导体存储器件，包括MOS晶体管以及依次沉积于MOS晶体管的漏极区上方的阻挡层、浮栅、隧穿氧化层和控制栅；其中，栅极区连接至工作电压，当栅极区在工作电压下，源极区至漏极区的沟道导通，使漏极区的电压一致于源极区；源极区连接至第一电压，控制栅连接至第二电压，当第一电压和第二电压使隧穿氧化层两端的电势差超过阈值，隧穿氧化层被隧穿；以及阻挡层用于阻挡浮栅中的电荷向漏极区流失。
非易失性半导体存储器件

[发明专利]角膜塑形镜-CN202111415568.6有效
发明人：刘熠;蔡勇;尚利如;魏强;崔秀国 -专利权人：上海艾康特医疗科技有限公司;维视艾康特（广东）医疗科技股份有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G02C7/04 文献下载
摘要：本公开描述一种角膜塑形镜，其具有配戴时朝向角膜的内表面、以及与内表面相对的外表面，内表面自中心向外连续形成有基弧区、反转弧区和配适弧区，在以角膜的前表面的矢高方向为Z轴方向、以角膜的前表面的宽度方向为X轴方向、并且以角膜的前表面的顶点为原点所构成的XZ平面上，基弧区满足：#imgabs0#反转弧区的曲率半径小于基弧区的曲率半径，当配戴角膜塑形镜时，反转弧区与角膜的前表面之间形成有容纳泪液的泪液空间，反转弧区重塑角膜的中周部组织而使周边入射光线聚焦在视网膜前方，配适弧区接触于眼球的前表面以进行定位。
角膜塑形镜

[发明专利]一种钉子除锈装置-CN201310529293.8无效
发明人：万福建 -专利权人：天津琪泰隆标准件有限公司
申请日： 2013-10-31 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： C23G3/00 文献下载
摘要：本发明提供一种结构简单、便于操作的钉子除锈装置，包括机体，其特征在于机体由操作区A、操作区B和操作区C组成，操作区A、操作区B和操作区C上部分别设置有箱体A、箱体B和箱体C，箱体A、箱体B和箱体C下部设置有传送带，操作区A、操作区B和操作区C下部分别开设有槽体A、槽体B和槽体C，箱体A、箱体B和箱体C均设置有喷头使其喷洒液体更加均匀，箱体A与槽体A之间通过导液管A相连，箱体B与槽体B之间通过导液管B相连，箱体Ｃ
一种钉子除锈装置

[发明专利]三维可变电阻存储器件及其制造方法-CN201310392442.0无效
发明人：朴南均 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2013-09-02 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：半导体衬底包括外围区，所述外围区具有顶表面，其中，外围电路形成在外围区中。外围电路包括形成在半导体衬底的表面上的驱动晶体管，其中，半导体衬底形成驱动晶体管的沟道。半导体衬底包括单元区，所述单元区具有顶表面，其中，单元区的顶表面的高度比所述外围区的顶表面的高度低，由此在单元区中限定出沟槽。多个存储器单元，多个存储器单元的每个包括：开关晶体管，所述开关晶体管形成在单元区中半导体衬底上；沟道，所述沟道沿着与半导体衬底的表面大体垂直的方向延伸；以及可变电阻层，所述可变电阻层响应于开关晶体管而选择性地储存数据
三维可变电阻存储器件及其制造方法

[发明专利]调整半导体器件阈值电压的方法-CN200910244135.1无效
发明人：尹海洲;骆志炯;朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-12-29 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种调整半导体器件阈值电压的方法，所述方法包括：a)在衬底上形成源极区、漏极区、设置在所述衬底上位于所述源极区和漏极区之间的栅堆叠、在所述栅堆叠侧壁形成的侧墙以及覆盖所述源极区和漏极区的内层介电层，所述栅堆叠包括伪栅极介质层和伪栅极；b)去除所述伪栅极，暴露所述伪栅极介质层以形成开口；c)从所述开口对衬底进行离子注入，以形成用于调整半导体器件的阈值电压的掺杂区，所述掺杂区的形成深度小于10纳米；d)去除所述伪栅极介质层；e)进行热退火，以激活所述掺杂区的掺杂；以及f)在所述开口中沉积栅极介质层和金属栅极，所述栅极介质层覆盖所述侧墙的内壁。
调整半导体器件阈值电压方法

[发明专利]狗牙根在大深度水淹水库消落区和河岸消落区的植被构建与生态治理中的应用-CN201010299598.0无效
发明人：曾波 -专利权人：曾波
申请日： 2010-09-30 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： A01G1/00 文献下载
摘要：本发明涉及生态环境保护与治理技术领域，特别涉及狗牙根(Cynodon dactylon)在大深度水淹水库消落区和河岸消落区的植被构建与生态治理中的应用，所述大深度水淹水库消落区和河岸消落区的淹没垂直深度h为10米＜h≤30米；经试验，狗牙根在经受连续淹没时间最长达8个月、淹没垂直深度最高达30米的长时间大深度水淹后能够存活并在露水后能很好地生长，能够很好地适应水陆交替的消落区环境，可以使消落区全年具有存活的植被，并对消落区的土壤具有很强的固持能力和减少径流冲刷的能力，可降低消落区的土壤流失，同时可成为优良的库岸水陆屏障带，极大地改善消落区的生态环境质量，应用前景好。
牙根深度水淹水库消落区河岸植被构建生态治理中的应用

[发明专利]一种多温区蓄能供热水的方法及系统-CN200810205197.7无效
发明人：施国梁 -专利权人：施中天
申请日： 2008-12-31 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： F24D17/02 文献下载
摘要：一种多温区蓄能供热水的方法：在多温区水箱内设置不同温度的蓄热区，各蓄热区均带有固定的换热装置。用带成组切换电磁阀的输水管即热能总线在各换热装置、供热水设施和用热负载之间传输热能并输出热水。根据上述方法制造的多温区蓄能供热水系统，由多温区水箱、热能总线、供热水设施和计算机控制系统组成，其特征在于含有其内部设置有不同温度的蓄热区的多温区水箱。本发明的有益效果包括：可回收温度不稳定的热能和利用微弱阳光集热，可利用低温蓄热区的温水作热源用热泵机组快速供热水。还可以提取温水代替冷水供应调温龙头。结合附图给出两个实施例。
一种多温区蓄能热水方法系统

[发明专利]一种连续数据缓存系统及其数据缓存方法-CN201010100899.6无效
发明人：周可;李春花;李巍;黄扬;黄平;张一萍;冯光曦 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2010-01-22 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： G06F11/14 文献下载
摘要：本发明的系统，由内核缓存区、用户缓存区、内核模块和守护进程模块组成。本发明的方法，包括初始化、内核缓存区数据存储、用户缓存区数据存储以及用户缓存区数据发送步骤。本发明的方法采用较小的内核缓存区和较大的用户缓存区，降低内核处理的复杂度，并且提出缓存预判算法，及时分配或者回收用户缓存区节点，使得用户缓存区的利用率最优化，节约系统内存资源。
一种连续数据缓存系统及其方法

[发明专利]一种内嵌NMOS辅助触发可控硅结构-CN201010121080.8无效
发明人：马飞;韩雁;董树荣;黄大海;宋波;李明亮;苗萌 -专利权人：浙江大学
申请日： 2010-03-10 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种内嵌NMOS辅助触发可控硅器件，包括P型衬底，P型衬底上设置N阱和P阱，N阱和P阱的交界处上方横跨有NMOS的栅氧以及位于栅氧上方的多晶硅栅，P阱上依次设有第一P+注入区、第一浅壕沟隔离和第一N+注入区；N阱上依次设有第二N+注入区、第二P+注入区、第二浅壕沟隔离和第三N+注入区；所述的第二P+注入区和第三N+注入区均接入电学阳极，第一P+注入区和第一N+注入区均接入电学阴极；所述的多晶硅栅通过触发电路接入电学阳极和电学阴极
一种 nmos 辅助触发可控硅结构

[发明专利]一种生石灰耦合消化装置-CN201010540481.7无效
发明人：张永;葛介龙;方培根;李文勇;王少权;孟银灿;斯洪良;赵亮 -专利权人：浙江菲达脱硫工程有限公司;浙江菲达环保科技股份有限公司
申请日： 2010-11-05 - 公布日： 2011-03-09 - 主分类号： C04B2/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种生石灰耦合消化装置，包括机架，所述机架上依次设有初级粗颗粒消化区、次级耦合消化区和完全消化区，所述初级粗颗粒消化区的前部设有至少1个进料口，完全消化区的后部设有至少1个出料口，所述初级粗颗粒消化区的上方设有第一喷水装置，次级耦合消化区的上方设有第二喷水装置和添加剂装置，所述初级粗颗粒消化区、次级耦合消化区和完全消化区内分别设有第一搅拌组件、第二搅拌组件和第三搅拌组件，所述第一搅拌组件、第二搅拌组件和第三搅拌组件均连接到驱动装置
一种生石灰耦合消化装置

[发明专利]一种存储设备的信息维护方法及系统-CN201010255538.9无效
发明人：李志雄;邓恩华 -专利权人：深圳市江波龙电子有限公司
申请日： 2010-08-16 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： G06F12/16 文献下载
摘要：本发明适用于存储技术领域，提供了一种存储设备的信息维护方法及系统，方法包括：预先将存储设备的存储区配置为公开存储区和隐藏存储区；将存储设备的关键信息写入到存储设备的公开存储区的同时，将关键信息从所述存储设备的公开存储区备份到隐藏存储区；当存储设备上电时，判断预先配置的存储设备的公开存储区中是否保存有关键信息；是则控制正常运行所述存储设备；否则控制将预先备份在预先配置的存储设备的隐藏存储区中关键信息恢复到所述预先配置的存储设备的公开存储区中
一种存储设备信息维护方法系统

[发明专利]基于废旧物资回收利用的主题公园-CN200910203827.1无效
发明人：苏承慧;王耀辉;杨光;杨勇;郭帆 -专利权人：苏承慧
申请日： 2009-05-15 - 公布日： 2010-11-17 - 主分类号： E04H3/00 文献下载
摘要：包废旧物资回收功能区(1)，预处理功能区(2)，博览交易功能区(3)，创新应用研究开发功能区(4)，教育培训功能区(5)，维修服务功能区(6)，配套服务功能区(7)，预留储备功能区(8)，各功能区之间以展示牌
基于废旧物资回收利用主题公园

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