专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]带内边缘边缘往返时间测量-CN202080107494.7在审
  • 宋浩宇;琳达·邓巴;凯帕立玛里尔.马修.约翰 - 华为技术有限公司
  • 2020-11-30 - 2023-07-28 - H04L43/0864
  • 一种由网络边缘节点实现的方法,包括将包括标志字段和包括第一元数据的数据字段的第一报头添加到第一报文中。所述网络边缘节点将所述第一报头的所述标志字段中的第一标志设置为第一值,以指示所述第一报文是正向流报文。所述网络边缘节点向第二网络边缘节点发送所述第一报文。所述网络边缘节点接收第二报文,所述第二报文包括所述数据字段中的所述第一元数据和所述标志字段中的第二标志,所述第二标志设置为所述第一值,以指示所述第二报文是反向流报文。所述网络边缘生成对应于接收所述第二报文的第二元数据,并向控制器发送所述第一元数据和所述第二元数据,以确定所述网络边缘节点与所述第二网络边缘节点之间的边缘边缘往返时间。
  • 边缘往返时间测量
  • [发明专利]边缘网关、边缘计算系统及其配置方法-CN202110726782.7有效
  • 张学琴;马力 - 深圳智造谷工业互联网创新中心有限公司
  • 2021-06-29 - 2022-08-05 - G06F9/50
  • 本申请提供一种边缘网关、边缘计算系统及其配置方法,边缘网关包括:第一接口,用于根据IP地址连接至少一智能终端,边缘网关对智能终端进行控制,并采集智能终端的数据;第二接口,用于根据IP地址连接至少一非智能终端,边缘网关对非智能终端进行控制,并采集非智能终端的模拟数据;第三接口,用于根据IP地址连接至少一边缘计算服务器,边缘网关接收边缘计算服务器的边缘资源支撑,并将边缘数据发送至边缘计算服务器进行人机交互;第四接口,用于根据IP地址连接云端,边缘网关接收云端的边缘资源支撑,并将边缘数据发送至边缘计算服务器进行人机交互。本申请设置多个边缘节点并通过服务接口连接不同的边缘节点,提高了边缘计算效率。
  • 边缘网关计算系统及其配置方法
  • [实用新型]边缘抛光检测装置及边缘抛光设备-CN202321003304.4有效
  • 赵帅豪;许涛 - 西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
  • 2023-04-28 - 2023-10-27 - B24B9/06
  • 本实用新型提供了一种边缘抛光检测装置及边缘抛光设备,属于半导体制造技术领域。边缘抛光检测装置,包括:用于承载待抛光的硅片的旋转台,所述旋转台包括与水平面平行的承载面,所述旋转台能够绕自身轴线旋转;设置在所述旋转台的至少一侧的光电传感器,用于在对所述硅片进行边缘抛光前,所述旋转台承载所述硅片进行旋转时,采集所述硅片的边缘的光量变化;与所述光电传感器连接的处理器,用于根据所述光量变化判断所述硅片的位置是否不良。本实用新型的技术方案能够避免硅片在边缘抛光时由于硅片位置不良导致碎片的情况,避免造成严重的资源浪费。
  • 边缘抛光检测装置设备
  • [发明专利]新型边缘刻蚀反应装置和边缘刻蚀方法-CN202010619893.3在审
  • 吴堃;杨猛 - 上海邦芯半导体设备有限公司
  • 2020-07-01 - 2020-09-04 - H01L21/67
  • 一种新型边缘刻蚀反应装置和边缘刻蚀方法,装置包括:主体腔;位于所述主体腔内的可移动上电极和晶圆夹持平台,所述可移动上电极和所述晶圆夹持平台相对设置;位于所述主体腔内的且位于所述晶圆夹持平台侧部的射频隔离环;位于所述主体腔内的等离子体约束环,所述等离子体约束环位于所述可移动上电极的边缘区域的底部,所述等离子体约束环与所述射频隔离环之间具有间隙;所述可移动上电极与所述晶圆夹持平台和所述射频隔离环之间用于容纳晶圆所述新型边缘刻蚀反应装置能够提高边缘刻蚀区域的刻蚀精度和刻蚀效率。
  • 新型边缘刻蚀反应装置方法
  • [发明专利]新型边缘刻蚀反应装置和边缘刻蚀方法-CN202010619894.8在审
  • 吴堃 - 上海邦芯半导体设备有限公司
  • 2020-07-01 - 2020-09-04 - H01L21/67
  • 一种新型边缘刻蚀反应装置和边缘刻蚀方法,包括:传片系统和刻蚀系统;传片系统包括:腔主体;位于腔主体中的支撑移动平台,支撑移动平台包括用于水平放置晶圆的晶圆夹持板,晶圆夹持板可围绕垂直晶圆夹持板表面的中心轴进行旋转;刻蚀系统包括:下电极;上电极;下射频隔离环;上射频隔离环,上射频隔离环和下射频隔离环之间有间隙;刻蚀系统位于传片系统的侧部,刻蚀系统和传片系统集成在一起;晶圆的边缘区域适于通过间隙延伸至射频隔离环侧部的下电极和上电极之间所述新型边缘刻蚀反应装置能够提高边缘刻蚀区域的刻蚀精度和费效比。
  • 新型边缘刻蚀反应装置方法

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