专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]石墨烯合成装置及利用该装置的石墨烯合成方法-CN201380071641.X有效
  • 元栋观;尹锺赫 - 韩华航空航天公司
  • 2013-08-26 - 2020-04-24 - B01J19/24
  • 本发明公开一种石墨烯合成装置,包括:腔室,定义用于安置多个基板的内部空间,其中,所述多个基板被布置为其各个面相互面对;气体供应部,将含碳气体供应到所述内部空间;主加热部,向所述内部空间照射辐射;第一辅助加热部,对应于所述主加热部而被布置为面向所述基板的一个表面,且将所述辐射转化为对流并将转化的对流释放到所述内部空间;多个第二辅助加热部,被布置为在所述多个基板之间的各个间隔中且面向所述基板的至少一个表面,并在吸收所述辐射和所述对流而被加热之后将热量释放到所述内部空间。
  • 石墨合成装置利用方法
  • [发明专利]一种基于半导体材料的辐射流调控器件及其应用-CN202111160015.0在审
  • 宋柏;陈群;李启章 - 北京大学;清华大学
  • 2021-09-30 - 2022-02-15 - H01L31/08
  • 本发明涉及一种基于半导体材料的辐射流调控器件及其应用,其包含相对设置的第一辐射体和第二辐射体,所述第一辐射体设有半导体材料层,所述半导体材料层含有本征半导体材料和载流子掺杂浓度小于1016cm‑3的掺杂半导体材料中的一种或两种;第一辐射体的设置方式为悬空设置,或者所述第一辐射体包括含金属材料层的第一基底。本发明的技术方案主要利用半导体材料内部载流子浓度随温度的变化而导致的局域电磁态密度的变化来实现辐射流的大幅度调控。本发明提供的辐射流调控器件可以通过改变触发机制或是与其他部件进行组合的方式来实现二极管、三极管、开关等功能。
  • 一种基于半导体材料辐射热流调控器件及其应用
  • [发明专利]一种非制冷微测辐射计及其制备方法-CN201010208522.2有效
  • 许向东;蒋亚东;周东;王志;杨书兵;杨洋;吴志明;何少伟 - 电子科技大学
  • 2010-06-24 - 2010-11-10 - G01J5/20
  • 本发明公开了一种非制冷微测辐射计,包括用于非制冷探测器的微测辐射计微桥结构,该微桥结构中的热敏电阻材料和光吸收材料为氧化钒-碳纳米管复合膜,该氧化钒-碳纳米管复合膜是由一维碳纳米管和两维氧化钒薄膜复合而成,另该微桥结构为三层夹心结构:最底层是非晶氮化硅薄膜,作为微桥的支撑与绝缘材料;中间层是一层或者多层氧化钒-碳纳米管复合膜,作为微测辐射计的热敏感层和光吸收层;表层是另外一层非晶氮化硅薄膜,作为热敏薄膜的钝化层以及应力的调控层该微测辐射计及其制备方法能克服现有技术中所存在的缺陷,提高了器件的工作性能,降低了原料成本,适宜大规模产业化生产。
  • 一种制冷辐射热及其制备方法

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