专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]N-face AlGaN/GaN磊晶结构及其主动组件与其积体化的极性反转制作方法-CN201811102916.2在审
  • 黄知澍 - 黄知澍
  • 2018-09-20 - 2020-03-27 - H01L29/20
  • 本发明是关于一种N‑face AlGaN/GaN磊晶结构及其主动组件与其制作方法。其结构包含:一基底;一位于硅基底上之具碳掺杂之缓冲层;一位于具碳掺杂之缓冲层上之具碳掺杂之GaN层;一位于本质GaN碳掺杂层上的本质Al(y)GaN缓冲层;一位于本质Al(y)GaN缓冲层上的本质GaN通道层;以及一位于本质GaN通道层上的本质Al(x)GaN层,其中该X=0.1~0.3,该y=0.05~0.75。其组件藉由P‑GaN倒置梯型闸极或阳极结构使N‑face AlGaN/GaN磊晶结构内的2维电子气在P‑GaN倒置梯型结构下方处能呈现空乏状态,此时2维电子气位于本质GaN通道层与该本质Al(y)GaN层的接面处;尔后,藉由上述结构制作出P型氮化镓闸极加强型AlGaN/GaN高速电子迁移率晶体管等主动组件。
  • facealgangan结构及其主动组件与其积体化极性反转制作方法

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