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[发明专利]一种适用于精细多光谱成像仪的超高谱段集成度分谱器-CN201710906289.7有效
发明人：王灵杰;张新;张继真;曲贺盟;谢晓麟 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： G02B27/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于精细多光谱成像仪的超高谱段集成度分谱器。该适用于精细多光谱成像仪的超高谱段集成度分谱器包括：至少两个干涉带通滤光片，所述干涉带通滤光片为窄条干涉带通滤光片，所述干涉带通滤光片相互结合在一起，且所述干涉带通滤光片的谱段不同。本发明提供的适用于精细多光谱成像仪的超高谱段集成度分谱器具有良品率高且成本低的优点。
一种适用于精细光谱成像超高集成度分谱器

[发明专利]宽带超高精度数字脉冲相移产生器-CN200710090239.2无效
发明人：时启猛 -专利权人：北京华欣北仪科技发展有限责任公司
申请日： 2007-04-16 - 公布日： 2007-10-17 - 主分类号： H03K5/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种高集成度、超高精度的宽带数字脉冲相移产生器，它能够稳定的以高精度的步长精细调整参考脉冲和可变脉冲之间的相移，并能适应较大的供电电源变化和温度变化的影响。它由高集成度的可编程逻辑器件、乘法型D/A、高线性度的滤波分压电路、可精细调整相移的延迟电路、高线性度和高开环增益的运算放大器组成的伺服电路组成，可用于测量、监控和雷达系统。
宽带超高精度数字脉冲相移产生器

[发明专利]一种数模混合集成光收发SIP组件-CN202011531947.7在审
发明人：左朋莎;刘朋;任欢;宋春峰;许利伟;张江帆 -专利权人：中航光电科技股份有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： H04B10/40 文献下载
摘要：一种数模混合集成光收发SIP组件，包括边沿设有管脚以传递电信号的基板、集成在基板上用于光电和电光转换的数模混合电路、固定在基板上并用于密封数模混合电路的管壳、一端与数模混合电路连接且另一端与管壳外部的AMT该数模混合集成光收发SIP组件结合了微波的超高频、大带宽、透明传输等优点和光的超高速、低功耗、集成度高的优势，具有微波和光混合集成传输、超小型化、高集成度、智能化、高可靠性等特点。
一种数模混合集成收发 sip 组件

[发明专利]一种基于逆向设计的超高集成度硅基光接收芯片-CN202211414571.0有效
发明人：骆瑞琦;马蔚;侯茂菁;刘冠东 -专利权人：之江实验室
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G02B6/126 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于逆向设计的超高集成度硅基光接收芯片，包括所述光接收芯片上设置的端面耦合器、逆向设计偏振分束器、逆向设计波分解复用器以及高速锗硅探测器，所述逆向设计波分解复用器包括TE模式逆向设计波分解复用器和本发明一种基于逆向设计的超高集成度硅基光接收芯片，通过逆向设计方法设计偏振分束器以及基于TE、TM模式的波分解复用器件来解决传统光接收芯片上由于集成系统中分立器件中存在占位面积大、性能不稳定、带宽不够，
一种基于逆向设计超高集成度硅基光接收芯片

[实用新型]一种超高频RFID实训装置-CN202222203380.1有效
发明人：孙丽芳;陈宇;王学丹 -专利权人：江苏学蠡信息科技有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： G06K7/10 文献下载
摘要：本实用新型提供一种超高频RFID实训装置，包括微控制器，所述微控制器分别连接有超高频RFID模组、有源RFID模块、模拟道闸应用模块，其中，所述超高频RFID模组连接有RFID天线；所述微控制器还连接有多个通信接口本实用新型设计合理，集成度高，集成微控制器、超高频RFID模组、有源RFID模块、以及RFID天线，配合模拟道闸应用模块可以完成超高频读卡器原理认知实验、超高频读卡实验、超高频扩展模拟道闸实验、超高频扩展上位机实验
一种超高频 rfid 装置

[其他]制造半导体集成电路的隔离方法-CN85100998无效
发明人：张桂霞 -专利权人：北京电子一厂
申请日： 1985-04-01 - 公布日： 1986-07-30 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：一种制造半导体集成电路的隔离方法，特别是应用反向扩散制造超高频电路的隔离方法。其特征是杂质在衬底和外延层之间，由下至上进行反向扩散，形成P-N结隔离。能使电路管芯面积成倍缩小，从而提高集成度和频率。利用本发明可以很容易地制造出超高频双极型线性电路。
制造半导体集成电路隔离方法

[发明专利]高功率密度结构的充电器-CN202011182430.1在审
发明人：杨俊;郑少臣;张小春;郭修根;蒋琛 -专利权人：深圳市奥达电源科技有限公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：设置在机壳内的控制电路板和变压器，控制电路板分主电路板和副电路板，变压器安装在主电路板上，副电路板通过竖直设置的支撑座以上下叠置方式设置在主电路板上方临近变压器顶端面的位置；在变压器的初级与次级之间跨接有超高集成度氮化镓材质的电源控制芯片其采用新型的超高集成度氮化镓材质的电源控制芯片跨接在变压器初、次级之间，使其既集成了控制部分又集成了功率开关器件和信号反馈，有效节约了空间，提高了充电器的功率密度。
功率密度结构充电器

[实用新型]高功率密度结构的充电器-CN202022454120.2有效
发明人：杨俊;郑少臣;张小春;郭修根;蒋琛 -专利权人：深圳市奥达电源科技有限公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：设置在机壳内的控制电路板和变压器，控制电路板分主电路板和副电路板，变压器安装在主电路板上，副电路板通过竖直设置的支撑座以上下叠置方式设置在主电路板上方临近变压器顶端面的位置；在变压器的初级与次级之间跨接有超高集成度氮化镓材质的电源控制芯片其采用新型的超高集成度氮化镓材质的电源控制芯片跨接在变压器初、次级之间，使其既集成了控制部分又集成了功率开关器件和信号反馈，有效节约了空间，提高了充电器的功率密度。
功率密度结构充电器

[发明专利]用于超高压的交直流测试切换装置及交直流测试切换方法-CN202211545673.6有效
发明人：王波;孙伯乐;申宁夏 -专利权人：常州同惠电子股份有限公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于超高压的交直流测试切换装置及交直流测试切换方法，属于安规测试领域，所述交直流测试切换装置包括切换单元、MCU控制单元、超高压交流单元、整流单元及超高压输出单元。本发明的用于超高压的交直流测试切换装置及交直流测试切换方法，将单独的10kV的交流高压仪器和12kV的直流高压仪器集成于一体，并可以自动控制，自由的切换，通过简单的继电器组合，解决了常规高压继电器的触点耐压不足问题，相比于原有的一台交流超高压、一台直流超高压两台不同功能的单机，提高了仪器的集成度，大大减少了整机成本。
用于超高压直流测试切换装置方法

[实用新型]一种低功耗便携式TD-LTE应急通信系统-CN201620371816.X有效
发明人：覃焕勇 -专利权人：广州彩频通信科技有限公司
申请日： 2016-04-27 - 公布日： 2016-09-14 - 主分类号： H04W4/22 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供一种低功耗便携式TD‑LTE应急通信系统，包括基带处理单元和射频处理单元，所述基带处理单元包括主基带芯片，所述主基带芯片为高集成度片上系统；所述射频处理单元由高集成度FPGA基带处理装置、高集成度射频收发装置和天线构成，所述高集成度FPGA基带处理装置与所述高集成度射频收发装置相连，所述高集成度射频收发装置与所述天线相连；所述基带处理单元还包括第一接口，所述第一接口与所述高集成度片上系统连接；所述射频处理单元还包括第二接口，所述第二接口与所述高集成度FPGA基带处理装置连接；所述第一接口和所述第二接口通过低电压差分信号连接。
一种功耗便携式 td lte 应急通信系统

[发明专利]一种歧管式微射流超高热流密度热排散组件-CN202210803225.5在审
发明人：王晨洁;杨文刚;杨森;柴文义;邹天琦 -专利权人：中国科学院西安光学精密机械研究所
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种散热组件，具体涉及一种歧管式微射流超高热流密度热排散组件。克服传统热排散组件在集成度以及工程应用性方面的局限性问题。本发明结合了射流冲击在滞止区边界层薄，对流换热系数高，以及微槽道强化对流换热优点，实现大功率超高热流密度的热排散的同时大大缩短了回流路径，提高了系统集成度。
一种歧管式微射流超高热流密度热排散组件

[实用新型]集成在控制器中的超高压启动电路和开关电源-CN201721631747.2有效
发明人：谢永青 -专利权人：深圳市海鸿微电子科技有限公司
申请日： 2017-11-29 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H02M1/36 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种所述集成在控制器中的超高压启动电路和开关电源，其中超高压启动电路包括启动模块、充电控制模块和保护模块。开关电源包括控制器、外围功率管M0和供电电路。本实施例所述超高压启动电路和开关电源通过将启动模块、充电控制模块和保护模块集成到控制器芯片中的形式，使得开关电源在无需采用外置启动电阻，辅助绕组供电的情况下，可以自动开启而实现启动电路的自供电，减少了控制器外围电路的结构，且开关电源系统可控、输入电压范围大，电路结构简单，集成度高，PCB电路板面积小，生产制造成本低。
开关电源启动电路控制器超高压充电控制模块保护模块启动模块开关电源系统生产制造成本本实用新型控制器芯片电路结构辅助绕组供电电路启动电阻输入电压外围电路自动开启集成度功率管自供电可控外置外围供电

[发明专利]一种基于视频帧的超高清视频显示系统及方法-CN201410236356.5在审
发明人：薛永林;邱卫华;孙乐民 -专利权人：清华大学;四川长虹电器股份有限公司
申请日： 2014-05-29 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： H04N7/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于视频帧的超高清视频显示系统及方法，该系统包括：数字信号处理单元和现场可编程门阵列单元；所述数字信号处理单元、所述现场可编程门阵列单元和所述超高清显示屏幕依序通信连接；所述数字信号处理单元将视频数据解码后发送至所述现场可编程门阵列单元，所述现场可编程门阵列单元对解码后的视频数据进行时序控制处理后发送至所述超高清显示屏幕显示。本发明解决了超高清视频速率高、数据量大的处理瓶颈，集成度高，能够进行超高清视频的实时播放。
一种基于视频超高显示系统方法

[发明专利]高集成度电力电子集成控制器-CN201210131384.1无效
发明人：刘锦波;陶加山 -专利权人：刘锦波;陶加山
申请日： 2012-05-02 - 公布日： 2013-11-06 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高集成度电力电子集成控制器，包括功率模块、驱动保护电路、母排以及底板，所述驱动保护电路、所述功率模块以及所述母排均设置在所述底板上，所述驱动保护电路连接所述功率模块，所述母排叠层设计，所述底板为圆形本发明的高集成度电力电子集成控制器底板为圆形，方便驱动保护电路和功率模块布局，可以有效提高集成度；叠层母排，提交集成控制器集成度；优化底板设计、控制底板弧度，降低芯片应力。
集成度电力电子集成控制器

[发明专利]一种表面等离子激元狭缝光波导-CN201210055918.7有效
发明人：郑铮;卞宇生;赵欣;刘磊;苏亚林;刘建胜 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2012-03-05 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：金属基底和金属区域之间的狭缝可以对传输光实现很强的模场限制，为超高集成度光波导芯片的实现提供可能。
一种表面等离子狭缝波导

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