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[发明专利]有机半导体膜及其制造方法和接触印刷用印模-CN201180023666.3无效
发明人：串田尚;内藤裕义 -专利权人：帝人株式会社
申请日： 2011-04-27 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： H01L21/368 文献下载
摘要：第1个本发明的有机半导体膜（10），相对的两个表面侧（11、12）的电荷迁移率之比｛（电荷迁移率大的表面侧的电荷迁移率）/（电荷迁移率小的表面侧的电荷迁移率）｝的值为1以上且小于10，而且将在硅晶片上通过旋涂制作的相同厚度及材料的有机半导体膜的峰高度作为基准时第2个本发明的有机半导体膜（10），相对的两个表面侧（11、12）的电荷迁移率之比｛（电荷迁移率大的表面侧的电荷迁移率）/（电荷迁移率小的表面侧的电荷迁移率）｝的值为2以上。
有机半导体及其制造方法接触印刷用印

[发明专利]一种梯度自迁移型表面亲水高强树脂胶粘剂及其制备方法-CN202010453086.9有效
发明人：吴杰 -专利权人：武汉开思新材料有限公司
申请日： 2020-05-26 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： C09J163/02 文献下载
摘要：本发明提出了一种梯度自迁移型表面亲水高强树脂胶粘剂及其制备方法，通过加入低迁移表面活性剂与高迁移表面活性剂，低迁移表面活性剂由于具有与胶粘剂树脂基体相同的结构，与树脂相容性好；随着固化的过程中体系内部的疏水性逐渐增加，亲水性的表面活性剂与基体相容性变差，开始向表面迁移，低迁移表面活性剂与树脂相容性好，迁移难，更多的分散于基体内部为整个基体提供了一定的长期亲水性，而高亲水性表面活性剂由于相容性较差，迁移快，更多的富集于胶粘剂表面区域，为表面提供的优异的亲水性。两种表面活性剂不同的迁移速率产生了浓度梯度，同时解决的持续高亲水、高强耐水的矛盾问题。
一种梯度迁移表面高强树脂胶粘剂及其制备方法

[发明专利]卷烟用纸及其制造方法、迁移量检测方法-CN201610249772.8在审
发明人：张建平;吴清辉;叶仲力;刘泽春;谢卫;邓其馨;张国强;张颖璞;林艳;黄惠贞;方钲中;黄朝章;张廷贵 -专利权人：福建中烟工业有限责任公司
申请日： 2016-04-21 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： D21H27/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种卷烟用纸及其制造方法、迁移量检测方法，涉及卷烟制造技术领域。解决了现有技术存在无法减少烟用接装纸等卷烟用纸的迁移量的技术问题。该卷烟用纸，包括纸张以及设置在纸张外表面至少部分区域的抗迁移物质表层，抗迁移物质表层的抗迁移量性能强于纸张的抗迁移量性能。该卷烟用纸的制造方法，包括以下步骤：在纸张外表面至少部分区域形成抗迁移物质表层，抗迁移物质表层的抗迁移量性能强于纸张的抗迁移量性能。本发明用于减少烟用接装纸等卷烟用纸的迁移量。
卷烟用纸及其制造方法迁移检测

[发明专利]晶体管及其形成方法-CN201310157798.6在审
发明人：赵猛 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-04-28 - 公布日： 2014-10-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种晶体管及其形成方法，所述晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底；刻蚀所述半导体衬底，在所述半导体衬底内形成凹槽；在所述凹槽内依次外延形成阈值调整层和载流子迁移层，所述载流子迁移层的表面与半导体衬底的表面齐平，所述阈值调整层内掺杂有阈值调整离子，所述载流子迁移层中载流子的迁移率大于阈值调整层中载流子的迁移率；在所述载流子迁移层表面形成栅极结构。所述晶体管的形成方法可以提高晶体管的载流子迁移率，改善晶体管的短沟道效应。
晶体管及其形成方法

[发明专利]一种高载流子迁移率氢终端金刚石及其制备方法-CN202310625148.3在审
发明人：袁其龙;杨明阳;江南;褚伍波;杨科;邱梦婷 -专利权人：宁波杭州湾新材料研究院;中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种高载流子迁移率氢终端金刚石的制备方法，包括：去除金刚石衬底表面杂质，然后超声清洗金刚石衬底表面；在得到的金刚石衬底表面上进行氢等离子刻蚀得到表面为氢终端的金刚石；以六方氮化硼为靶材，在金刚石的氢终端表面进行磁控溅射沉积得到表面含有氮化硼的高载流子迁移率氢终端金刚石本发明还公开了该高载流子迁移率氢终端金刚石的制备方法制备得到的高载流子迁移率氢终端金刚石，该沉积有氮化硼的氢终端金刚石具有较高的载流子迁移率和载流子迁移稳定性。
一种载流子迁移率终端金刚石及其制备方法

[实用新型]一种抗迁移超柔软PVC人造革-CN201420739050.7有效
发明人：路振海;赵冬毅;陈文胜;敖婷婷;吴忠仁 -专利权人：欧诺法装饰材料（上海）有限公司
申请日： 2014-11-28 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： D06N3/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种抗迁移超柔软PVC人造革，包括一用于增强人造革耐刮耐磨性能的聚氨酯涂层；一用于增强人造革触感柔软性的超柔软PVC层；一用于提高人造革抗迁移功能的抗迁移功能层；一用于加强人造革阻隔迁移的亚克力涂层；所述抗迁移功能层涂覆在超柔软PVC层下表面，所述亚克力涂层涂覆在抗迁移功能层下表面，所述聚氨酯涂层涂覆在超柔软PVC层上表面。本实用新型质地柔软、手感好、韧性好、耐高低温性能好、抗迁移性能好、耐刮耐磨性强和使用寿命长。
一种迁移柔软 pvc 人造革

[发明专利]形成具有形状的制品的方法和设备，具有形状的制品，制造液体透镜的方法和液体透镜-CN201880066729.5有效
发明人： R·A·贝尔曼;D·F·道森-埃利;S·刘;王传哲 -专利权人：康宁股份有限公司
申请日： 2018-10-12 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： G02B3/12 文献下载
摘要：方法包括在具有形状的制品的多个腔体的侧壁上沉积表面改性层。表面改性层由包含可迁移组分的玻璃材料形成。具有形状的制品由玻璃材料、玻璃陶瓷材料或其组合形成。至少一部分的可迁移组分从表面改性层迁移进入具有形状的制品的侧壁的表面区域中，从而在迁移之后，表面区域相比于具有形状的制品的本体具有降低的退火点。表面改性层以及侧壁的表面区域发生再流动。在再流动之后，布置在侧壁上的表面改性层的表面粗糙度小于沉积之前的侧壁的表面粗糙度。
形成具有形状制品方法设备制造液体透镜

[发明专利]高速电调控太赫兹调制器-CN201110198257.9有效
发明人：张晓渝;秦华;吴东岷;李欣幸;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2011-07-15 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： G02F1/015 文献下载
摘要：本发明公开了一种高速电调控太赫兹调制器，包括介质基板(4)，所述介质基板(4)是对太赫兹波透明的材料，且所述介质基板表面分布高电子迁移率晶体管(3)形成的阵列，该介质基板表面以及高电子迁移率晶体管阵列表面还附着有频率选择表面结构(2)，所述频率选择表面结构是具有带通滤波结构的图形化导电薄膜，所述导电薄膜对应于每一高电子迁移率晶体管局部分别构成该高电子迁移率晶体管的源极(b)、漏极(c)和栅极(a)；所述高电子迁移率晶体管的电子迁移率在
高速调控赫兹调制器

[发明专利]激发态分子碰撞表面解吸电离离子迁移谱探测方法与装置-CN200710191276.2无效
发明人：王鸿梅;韩海燕;沈成银;李建权;江海河;储焰南 -专利权人：中国科学院安徽光学精密机械研究所
申请日： 2007-12-07 - 公布日： 2008-05-14 - 主分类号： G01N27/70 文献下载
摘要：本发明公开了激发态分子碰撞表面解吸电离离子迁移谱探测方法及其装置，离子迁移谱的迁移管的离子入口前安装有激发态发生器，激发态发生器、离子迁移谱之间为被测样品放置区间，直接暴露于大气中，激发态发生器包括有放电腔，放电腔内部前端接有放电部件，放电部件后端依次安装有离子过滤门、排斥电极，排斥电极后端是放电腔出口，离子迁移谱的迁移管内安装有离子引入电极。本发明能在开放的大气环境中工作，被测表面不需预处理，可实现物品表面痕量成分的解吸附电离和原位快速检测，可用于表面农药残留分析探测，也适合物品表面毒害危险品检测。
激发态分子碰撞表面解吸电离离子迁移探测方法装置

[发明专利]包括导电结构的半导体装置-CN202211501687.8在审
发明人：黄定夏;郑煐陈;裵西京 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：导电结构包括阻挡层、在阻挡层上的抗迁移层、在抗迁移层上的衬垫、在衬垫上的导电层以及覆盖阻挡层的顶表面和抗迁移层的顶表面的盖层。盖层和衬垫包括Co。抗迁移层包括Mn。
包括导电结构半导体装置

[发明专利]一种迁移率可控的场效应晶体管及其制备方法-CN202111318541.5在审
发明人：韩根全;彭悦;刘芬宁;肖文武;刘艳;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及微电子器件领域，具体涉及一种迁移率可控的场效应晶体管及其制备方法。一种迁移率可控的场效应晶体管，包括衬底，衬底左上部设有源极区，衬底中上部设有沟道层，衬底右上部设有漏极区；沟道层左侧和右侧分别与源极区和漏极区邻接；源极区、沟道层和漏极区高度相同；源极区上表面设有源电极；漏极区上表面设有漏电极；还包括迁移率可控介质薄膜；迁移率可控介质薄膜设在沟道层上表面，迁移率可控介质薄膜宽度大于沟道层宽度；迁移率可控介质薄膜上表面设有栅极层；栅极层上表面设有栅电极。本发明可对场效应晶体管沟道中的反型层电荷进行调控，从而实现场效应晶体管对载流子迁移率的调控，最终提高了高性能电路的使用效率。
一种迁移率可控场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种横向堆叠结构的无门化离子迁移管-CN202310120080.3在审
发明人：郭开泰;梁继民;王志成;卢超;郑洋;任胜寒;胡海虹 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-02-15 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01J49/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种横向堆叠结构的无门化离子迁移管，其包括沿垂直方向相对设置的第一屏蔽电极板和第二屏蔽电极板，所述第一屏蔽电极板和所述第二屏蔽电极板之间设置多层迁移电极板；所述迁移电极板的上表面和下表面均设置有电极条本发明降低了堆叠单元的整体数量，降低了装配难度；省去实体离子门的结构不仅简化了迁移管的装配难度，而且可在不改变迁移管整体结构的条件下调整迁移距离，能够实现迁移距离根据应用场景自适应改变的功能，具有更高的全谱分辨率
一种横向堆叠结构无门化离子迁移

[发明专利]以磷烯作为负极材料的电池性能预测方法-CN201711131930.0有效
发明人：谭心;刘尧尧;李璇;方桂花;郝雪清 -专利权人：内蒙古科技大学
申请日： 2017-11-15 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： G01R31/378 文献下载
摘要：包括以下步骤：模型构建：确定电池负极材料的结构及相关稳定结构数据，确定碱金属原子在负极材料表面的不同吸附位；理论计算：进行碱金属原子在负极材料表面的吸附计算和迁移计算；结果分析：根据吸附计算结果，获得不同吸附位的吸附高度、吸附能和体系形变；根据迁移计算结果，获得各个过渡态的迁移激活能和各迁移路径的迁移激活能；电池性能预测：根据碱金属原子在负极材料表面的吸附能，并与碱金属原子自身结合能比较，得到电池的安全性数据；根据负极材料吸附碱金属原子后体系的形变，得到电池的循环寿命数据；根据碱金属原子在负极材料表面的迁移活化能，得到电池的功率密度数据。
作为负极材料电池性能预测方法

[发明专利]一种钠冷快堆碎片床迁移判据方法-CN202210342831.1在审
发明人：张斌;王仁杰;单建强 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G06F30/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种钠冷快堆碎片床迁移判据方法，结合颗粒密度、大小、形状和位置对碎片床中碎片颗粒进行受力分析，同时引入表征液体表面张力作用的液桥力合力，获得迁移过程中临界状态时的受力平衡方程，得到液体表面张力作用的碎片颗粒与流体间相对速度，考虑外部流体速度，比较液体表面张力作用的碎片颗粒与流体间相对速度和外部流体速度的大小，判断碎片床是否发生迁移现象。本发明能够正确预测碎片床迁移过程中的运动趋势，对钠冷快堆堆芯解体事故中下腔室碎片床迁移特性进行有效评估，解决了之前碎片床迁移现象模拟效果较差、可信度不高的问题。
一种钠冷快堆碎片迁移判据方法

[实用新型]一种抗迁移PVC自粘保护膜-CN201920697855.2有效
发明人：何千道 -专利权人：黄山市瑞亿新材料有限公司
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： C09J7/29 文献下载
摘要：本实用新型公开一种抗迁移PVC自粘保护膜，所述PVC自粘保护膜包括依次设置的抗迁移层、功能保护层、粘合剂层、油墨层、阻隔层和自粘层。本实用新型采用光油与交联PMMA微球制备抗迁移层，可防止增塑剂迁移至保护膜表面而造成发雾现象，并提高抗粘连、抗刮伤性；微球在保护膜表面形成微米级的凹凸面，起到光散射作用，形成光线柔和的哑光表面。
一种迁移 pvc 保护膜

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