专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种点阵元结构零件的填充方法-CN202210306920.0在审
  • 何宝凤;杨睿钊;俞港澳;石照耀 - 北京工业大学
  • 2022-03-25 - 2022-07-29 - G06F30/17
  • 本发明涉及本发明公开了一种点阵元结构零件的填充方法,所述填充方法包括:根据零件设计要求建立点阵元力学性能库;建立零件的几何有限元模型;在给定载荷条件下对零件结构进行拓扑分析,获得拓扑优化密度;根据所述拓扑优化密度分布划分功能区域,包括实体区域和不同的点阵区域;根据所述功能区域进行点阵元结构填充零件,获得均实体结构。本发明采用均匀化方法得到点阵元结构力学性能,把填充的点阵元结构等效为实体结构,用于零件仿真,能够加快仿真分析流程,降低计算求解的难度和时间。
  • 一种点阵结构零件填充方法
  • [发明专利]一种大头加工方法-CN201510631936.9在审
  • 陶德合 - 重庆市汀来绿色食品开发有限公司
  • 2015-09-29 - 2016-01-13 - A23L19/00
  • 本发明公开了一种大头加工方法,其关键在于按以下步骤进行:a、选备材料;b、晾晒和腌制,将清洗后的大头进行晾晒,至含水量达到75~80%后,向大头中加入食盐,再搅拌均匀,入坛层层压紧后进行第一次腌制,完成后将大头取出,进行出风晾晒,再向大头中再加入食盐,混匀后再入坛密封进行第二次腌制;c、配料炒制,将大头切分粉碎并脱盐脱水,将配料、添加剂和大头一同加入炒锅内炒制;d、封装消毒。本发明一种大头加工方法,两次晾晒及两次腌制,结合后期炒制,使得大头更加入味,而且口味纯正独特,脆,不易变质。
  • 一种大头菜加工方法
  • [发明专利]小豆腐预制的制备方法-CN202211397907.7在审
  • 解万翠;杨锡洪 - 青岛科达未来生物科技有限公司
  • 2022-11-09 - 2023-01-06 - A23L11/00
  • 本发明公开了小豆腐预制的制备方法,属于食品加工技术领域。小豆腐预制的制备方法,包括以下步骤:(1)将蔬菜放入预煮液中预煮加热后摊成饼,采用液氮速冻,得到速冻蔬菜饼;(2)将熟化黄豆粉碎或将黄豆浸泡、打浆、煮熟后喷雾干燥,得到熟化黄豆粉;(3)将熟化黄豆粉、速冻蔬菜饼、调味包装入包装,得到所述小豆腐预制。本发明的制备方法制备的小豆腐预制加热后具有硬化构,咀嚼感好,且小豆腐预制中的蔬菜可以保持最佳的颜色,冻藏后不会发生褪色,解冻后也不会发生汁液流失的问题。
  • 豆腐预制制备方法
  • [发明专利]一种有效改善皮肤肤的美容精华及其加工工艺-CN202110120654.8在审
  • 李雅镰 - 广州科丽德日化科技有限公司
  • 2021-01-28 - 2021-06-04 - A61K8/9789
  • 本发明提供一种有效改善皮肤肤的美容精华及其加工工艺。所述所述有效改善皮肤肤的美容精华组成成分包括:天女木兰提取物、脱氧核糖核酸、二裂酵母溶产物溶产物、羟乙基哌嗪乙烷磺酸、山茶花提取物、O‑伞花烃‑5‑醇‑5‑醇和纯净水。本发明提供的有效改善皮肤肤的美容精华及其加工工艺,能够修复薄弱细胞,消解红血丝,增强肌肤耐受性,让肌肤远离刺痛、脱皮、红肿、粗糙等问题,从根源处改善肌肤过敏症状,可以抑制黑素体从黑素细胞转运到角质细胞以及抑制黑色素的形成,可以加强角质层的代谢,捕获自由基,抑制脂的过氧化,具有美白和抗衰老的功能,且富含营养物质,有滋养皮肤的功效,并且加工工艺简单,生产效率高。
  • 一种有效改善皮肤美容精华及其加工工艺
  • [发明专利]降低栅极电荷的半导体器件及其制作方法-CN202310288362.4在审
  • 滕支刚 - 江苏临德半导体有限公司
  • 2023-03-23 - 2023-06-23 - H01L29/06
  • 本发明提供一种降低栅极电荷的半导体器件,包括:第一导电类型硅衬底,在第一导电类型硅衬底上设有第一导电类型外延层;第一导电类型外延层背离硅衬底的表面为第一主面,硅衬底背离第一导电类型外延层的表面为第二主面;在所述第一导电类型外延层中设有单沟槽;所述单沟槽下部侧壁和底壁设有第一介层,在单沟槽内下部设有源极多晶硅;所述源极多晶硅通过第一介层与第一导电类型外延层绝缘;所述源极多晶硅包括柱体部分和帽体部分,所述帽体部分位于柱体部分上方且与柱体部分相连,所述帽体部分的宽度大于柱体部分的宽度;在单沟槽内上部设有左右分离的左栅极多晶硅和右栅极多晶硅;上述器件的结构能够降低半导体器件的栅极电荷。
  • 降低栅极电荷半导体器件及其制作方法
  • [发明专利]MOS器件的制作方法-CN202210903863.4在审
  • 颜树范;刘须电 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2022-07-28 - 2022-10-11 - H01L21/336
  • 本申请公开了一种MOS器件的制作方法,包括:提供一衬底,该衬底包括元区域和终端区域,元区域的衬底中形成有第一沟槽,终端区域的衬底中形成第二沟槽,衬底、第一沟槽和第二沟槽表面形成有第一介层,第一沟槽内形成有第一屏蔽栅,第二沟槽内形成有第二屏蔽栅;形成第二介层,第二介层填满第一沟槽但不填满第二沟槽,第二介层为保形介质层;去除除目标区域以外其它区域的第一介层和第二介层,目标区域包括第二沟槽的侧壁以及第一沟槽中第一屏蔽栅的上方区域;在第一沟槽的侧壁形成第三介层;在第一沟槽和第二沟槽中填充多晶硅层,第一沟槽中的多晶硅层构成MOS器件的栅极,第二沟槽中的多晶硅层构成终端结构的栅极。
  • mos器件制作方法

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