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[发明专利]一种红外探测器芯片固定用夹具及其使用方法-CN202110465743.6在审
发明人：李景峰;刘世光;王成刚;祁娇娇;宁提;刘铭 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： G01J5/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种红外探测器芯片固定用夹具及其使用方法。夹具包括：承载台，承载台用于承载红外探测器芯片，承载台具有腔室和连通腔室的吸附孔；当红外探测器芯片放置于承载台时，红外探测器芯片覆盖吸附孔，通过调节腔室的真空度来吸附红外探测器芯片。根据本发明的红外探测器芯片固定用夹具，利用压强差对红外探测器芯片施加较小应力就可将红外探测器芯片固定在夹具上，方便红外探测器芯片放置在液氮中以及氮气枪吹干红外探测器芯片表面的实验操作。可以有效避免红外探测器芯片在液氮冲击以及氮气枪的冲击中发生损伤，提高高低温冲击实验成功率，可准确判断高低温冲击对红外探测器芯片带来的影响，从而评估红外探测器芯片的可靠性。
一种红外探测器芯片固定夹具及其使用方法

[实用新型]一种红外探测器-CN202020477980.5有效
发明人：刘盼盼;张杰;于海洋;许晴 -专利权人：上海翼捷工业安全设备股份有限公司
申请日： 2020-04-03 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： G01J5/02 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种红外探测器，该红外探测器包括四个探测芯片、管帽、电路板和底座；探测芯片包括相对设置的探测面和背面；管帽上设置有呈2×2阵列排布的四个红外透光窗口；该红外透光窗口位于探测芯片的探测面侧，探测芯片通过红外透光窗口接受红外辐射能；其中，红外透光窗口具有弧形轮廓；电路板位于探测芯片的背面侧；电路板上设置有与四个探测芯片一一对应电连接的四个探测电路；该探测电路用于接收并处理探测芯片的探测数据，并输出探测信号；底座位于电路板背离探测芯片的一侧，且底座与管帽构成包封电路板和探测芯片的封装结构。本实用新型实施例提供的红外探测器，探测视角宽，探测准确度高以及成本低。
一种红外探测器

[发明专利]一种用于高性能单光子探测芯片检测设备及方法-CN202210694945.2有效
发明人：沈炜;许鹤松;岳晓光;马宁 -专利权人：杭州宇称电子技术有限公司
申请日： 2022-06-20 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： B07C5/344 文献下载
摘要：本发明涉及芯片检测技术领域，尤其涉及一种用于高性能单光子探测芯片检测设备及方法，包括：传输平台、检测装置、升降平台、动力机构、传动机构、治具；本发明通过对单光子探测芯片检测完成后，所得为合格单光子探测芯片或不合格芯片，以控制单光子探测芯片向上/向下移动或向上的不同高度移动，从而对合格与不合格的单光子探测芯片进行分流，防止人工分拣时混乱，并且本发明通过动力机构与传动机构相互配合，完成单光子探测芯片的包裹（连接）、单光子探测芯片移动向检测点、单光子探测芯片引脚与多个触点的连接、不合格单光子探测芯片的返回、合格单光子探测芯片的移出。
一种用于性能光子探测芯片检测设备方法

[实用新型]一种集成前置放大电路的深硅探测器模块-CN202120118445.5有效
发明人：刘鹏 -专利权人：核芯光电科技（山东）有限公司
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本实用新型提供一种集成前置放大电路的深硅探测器模块，包括探测器芯片；每个探测器芯片均包括灵敏区单元、前置放大处理芯片集成区单元以及键合区单元；各探测器芯片层叠排列，相邻探测器芯片间设置有绝缘层；灵敏区单元包括若干光电单元，灵敏区单元设置在探测器芯片受光侧；灵敏区单元包括若干光电单元，各光电单元形成光电阵列，光电阵列沿着探测器芯片受光侧边缘向探测器芯片内侧分布；前置放大处理芯片集成区单元包括ASIC芯片；键合区均包括输入输出引线焊盘和输入输出引线键合铝丝；输入引线焊盘与光电单元连接，还与本层ASIC芯片连接；输出引线焊盘与本探测器芯片ASIC芯片连接，还经开孔与相邻层探测器芯片ASIC芯片连接。
一种集成前置放大电路探测器模块

[发明专利]一种太赫兹探测器芯片的三维封装结构-CN202310194573.1有效
发明人：涂学凑;吴强强;王卧虎;周淑宇;赵清源;张蜡宝;贾小氢;陈健;王华兵;康琳;吴培亨 -专利权人：南京大学
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种太赫兹探测器芯片的三维封装结构，其MEMS硅腔体盖帽层位于太赫兹探测器芯片的上方，盖住太赫兹探测器芯片的探测部分；金属平面反射镜位于太赫兹探测器芯片的背面，对入射到太赫兹探测器芯片衬底的信号进行反射；MEMS硅腔体盖帽层、太赫兹探测器芯片、金属平面反射镜三者堆叠互连构成复合谐振结构，使得探测器芯片处的电场谐振增强。本发明改变盖帽层深硅刻蚀的厚度可以实现探测器芯片处的电磁场能量增强，提高探测器的灵敏度；改变探测器衬底厚度、MEMS硅腔体盖帽硅层厚度与空气腔厚度可以实现不同谐振频率的探测和滤波效果，提高太赫兹探测器芯片三维封装的设计自由度
一种赫兹探测器芯片三维封装结构

[发明专利]一种红外探测器芯片的成像测试装置-CN202310419312.5有效
发明人：肖钰 -专利权人：无锡兴华衡辉科技有限公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种红外探测器芯片的成像测试装置，包括测试杜瓦主体和红外探测器芯片固定单元，红外探测器芯片固定单元包括连接座和红外探测器芯片支撑台，连接座设置在红外探测芯片支撑台与测试杜瓦主体的冷台之间，连接座上设有单芯信号接口，单芯信号接口一端与冷台连接，另一端与红外探测器芯片支撑台连接，红外探测器芯片支撑台上设有信号插头和芯片槽，信号插头一端与单芯信号接口连接，另一端固定测试探针，测试探针用于与芯片槽内的红外探测器芯片焊盘接触式连接，通过信号插头与单芯信号接口连接传输红外探测器芯片信号。本发明能有效避免芯片经过金丝键合过程的损伤，无需使用胶水粘接芯片，避免芯片的污染，保证了芯片的合格率。
一种红外探测器芯片成像测试装置

[实用新型]一种X射线探测器芯片光敏面宽度结构-CN201720628067.9有效
发明人：董自勇 -专利权人：江苏尚飞光电科技有限公司
申请日： 2017-06-01 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型一种X射线探测器芯片光敏面宽度结构，包括探测器芯片光敏面和探测芯片，所述探测芯片的表面等间距排列有16个探测器芯片光敏面，“探测器芯片光敏面的宽度范围为0.5－1.5mm”的设计，使得当芯片光敏面宽度的设计范围在0.5mm－1.5mm之间时，探测器有较好的探测响应度，并且像素之间的串扰也比较小，减小了常规的探测器芯片光敏面的宽度在1.5mm－1.575mm范围时，由于像素之间的隔离距离太小，相邻像素之间串扰严重
一种射线探测器芯片光敏宽度结构

[实用新型]多功能探测笔-CN200520011866.9无效
发明人：李宗昇;欧政隆 -专利权人：友力微系统制造股份有限公司
申请日： 2005-04-25 - 公布日： 2006-07-12 - 主分类号： G01D21/02 文献下载
摘要：一种多功能探测笔，具有一笔头组件、一探测芯片组件、一电源组件、一照明组件以及一控制组件。笔头组件位于多功能探测笔的前端，而探测芯片组件则位于笔头组件后面。探测芯片组件可包含一压力探测芯片以用来测量压力，及/或一气体探测芯片以用来测量气体浓度，例如是胎压及/或酒精浓度。探测芯片组件还可包含一温度探测芯片，以用来测量温度，例如是气温或耳温。
多功能探测

[发明专利]使用选择性耦合器的激光器芯片和另一个芯片的对准-CN202180068158.0在审
发明人： Y·切特里特;I·魏斯 -专利权人：达斯特光子学公司
申请日： 2021-08-04 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于对准激光器芯片与电光芯片的方法，所述方法可以包括：引导探测信号穿过所述电光芯片并朝向所述激光器芯片；通过所述电光芯片的第一检测器检测反射探测信号，反射探测信号从所述激光器芯片反射；根据所述反射探测信号确定所述激光器芯片是否与所述电光芯片对准；其中所述探测信号和所述反射探测信号在第一波长范围内。
使用选择性耦合器激光器芯片另一个对准

[发明专利]一种探测器芯片的倒装封装方法和倒装封装设备-CN202210420617.3在审
发明人：余思;徐泽驰;李晶;何兰丽;胡艳;岳爱文 -专利权人：武汉光迅科技股份有限公司
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明公开一种探测器芯片的倒装封装方法和倒装封装设备，该倒装封装方法包括：将所述探测器芯片的电极面朝下与基板的焊接层相对设置；保持所述探测器芯片与所述基板对齐并移动所述探测器芯片；在所述探测器芯片的移动过程中，监测所述探测器芯片与所述基板之间的距离，在所述距离等于设定距离时，保持所述探测器芯片的当前位置；加热所述电极面和所述焊接层以连接所述探测器芯片和所述基板。本发明的倒装封装方法和倒装封装设备有利于减少探测器芯片与基板间连接不充分的风险。
一种探测器芯片倒装封装方法设备

[实用新型]发射光器件的发射光功率监测装置-CN201921279305.5有效
发明人：胡百泉;李林科;林雪枫;吴天书;杨现文;张健 -专利权人：武汉联特科技有限公司
申请日： 2019-08-08 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： H04B10/071 文献下载
摘要：本实用新型涉及了一种发射光器件的发射光功率监测装置，利用分光片和盖板上反射片的两次反射方式，分光片贴装在激光器芯片前端，探测器贴装在激光器背部，探测器水平贴装，可以实现监控前光。利用探测器芯片垫块的侧面上贴装探测器芯片，且探测器芯片垫块侧面的探测器芯片的光敏面朝向激光器芯片，探测器芯片垫块侧面的探测器芯片有效光敏面位于激光器芯片背向光锥的覆盖范围，可以实现监控背光。
探测器芯片贴装激光器芯片垫块分光片光敏面探测器侧面背光本实用新型发射光功率发射光器件监测装置节省空间两次反射上反射片激光器盖板监控低成本光锥覆盖

[发明专利]一种AlInGaN发光和探测集成芯片-CN202211002317.X有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：至善时代智能科技（北京）有限公司;至芯半导体（杭州）有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明涉及紫外发光芯片技术领域，尤其涉及一种AlInGaN发光和探测集成芯片；本发明所述AlInGaN发光和探测集成芯片包括AlInGaN紫外发光芯片和AlInGaN紫外探测器芯片；所述AlInGaN紫外发光芯片和AlInGaN紫外探测器芯片的外延结构独立的包括衬底和设置在所述衬底一侧表面的功能层；所述AlInGaN紫外发光芯片的功能层和AlInGaN紫外探测器芯片的功能层之间通过隔离层隔离。所述AlInGaN发光和探测集成芯片使芯片在发光的同时，能够实时监测发光强度的大小，监测紫外强度随时间的衰减情况。
一种 alingan 光和探测集成芯片

[发明专利]光电探测器芯片、光电探测器芯片电路及光电探测器-CN202111479626.1在审
发明人：许向前;龚广宇;卜爱民;周彪;李宇;康晓晨;邢星 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明适用于光电子技术领域，提供了一种光电探测器芯片、光电探测器芯片电路及光电探测器，该光电探测器芯片由预设光电探测器芯片和集成在预设光电探测器芯片上的汇聚透镜构成，汇聚透镜用于将入射光信号汇聚到预设光电探测器芯片的光电转换感光面上由于入射光信号由汇聚透镜汇聚后可以经过更短且损耗更小的光程传递到预设光电探测器芯片的光电转换感光面上，因此，本发明能够使出射相同功率的更多的光传递到光电探测器芯片的光电转换感光面上，进而实现光电探测器芯片光电转换效率的提升而且本发明相对于采用马鞍架/角铁等方式将光学透镜与预设光电探测器芯片耦合，定位精度更高、耦合难度更小且器件的一致性更好。
光电探测器芯片电路

[发明专利]一种紫外探测器-CN202310423359.9在审
发明人：白生茂;李磅;金利;许璐;王磊;陈景文;王永忠 -专利权人：湖北优炜芯科技有限公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明提供了一种紫外探测器，包括封装支架和紫外探测芯片，封装支架包括凹槽，紫外探测芯片位于凹槽内，其中，紫外探测器还包括完全覆盖凹槽的窗部件，窗部件包括一凸起部，凸起部设置于窗部件靠近紫外探测芯片的一侧；本发明提供的紫外探测器通过在封装支架的上表面覆盖一个具有凸起部的窗部件，且凸起部设置于窗部件靠近紫外探测芯片的一侧，以使外界紫外线经过窗部件中的凸起部聚焦于紫外探测芯片上，提升了紫外探测芯片对紫外线吸收的效率，进而提升了紫外探测芯片对紫外线的探测精度。
一种紫外探测器

[发明专利]一种探测装置-CN201911230641.5在审
发明人：赵一英;廖非易;袁登鹏;雷林;王小英;刘柯钊 -专利权人：中国工程物理研究院材料研究所
申请日： 2019-12-04 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本申请提供一种探测装置，包括：探测芯片和金属层，所述探测芯片的探测区域的表面覆盖有所述金属层，所述金属层的原子序数处于预设原子序数范围内，所述金属层用于提供射线进入所述探测区域的窗口，并保护所述探测芯片本申请实施例通过将金属层采用覆盖的方式设置在探测芯片的探测区域上，以提供窗口，具有特定原子序数的金属层在对探测芯片的探测区域进行保护的同时，还可以防止窗口破裂。
一种探测装置

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