专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种透明导电玻璃及其制备方法和应用-CN202210256025.2在审
  • 潘锋;梁军 - 北京大学深圳研究生院
  • 2022-03-15 - 2022-07-01 - H01B13/00
  • 本申请公开了一种透明导电玻璃及其制备方法和应用。本申请的透明导电玻璃制备方法包括,先在无定形衬底上制备相微晶层,然后在相微晶层上以沉积速率为0.1~500nm/min的速度高速磁控溅射薄膜,最后进行退火处理使薄膜结晶,得到相(004)取向的薄膜,即形成透明导电玻璃。本申请的透明导电玻璃制备方法,通过预先制备相微晶层,能够快速、高效的溅射薄膜,缩短了生产周期,提高了生产效率。并且,本申请的制备方法可以调控相(004)择优取向程度,以满足不同的使用需求。
  • 一种氧化透明导电玻璃及其制备方法应用
  • [发明专利]一种纳米粉体的制备方法-CN201610879270.3有效
  • 瞿海锋 - 瞿海锋
  • 2016-10-08 - 2020-05-26 - C01G23/08
  • 本发明提供一种纳米粉体的制备方法,包括对溶胶实施冷冻干燥的步骤,控制冷冻干燥的冻结温度为‑80℃至‑60℃,使所得到的纳米粉体的烧灼失量为10‑20%。上述溶胶来自醇盐在酸性介质中的水解产物,其中胶粒的平均分散粒径小于50nm,晶。采用本发明提供制备方法制得的纳米粉体在具有优异分散性的同时,还保持溶胶的光催化活性不被降低。并且,上述制备方法可用于工业化生产。
  • 一种纳米氧化钛粉体制备方法
  • [发明专利]一种单晶纳米管阵列及制备方法-CN201310123460.9无效
  • 袁斌;徐锦城;曾美琴;高岩;朱敏 - 华南理工大学
  • 2013-04-10 - 2013-07-31 - C30B7/12
  • 本发明公开了一种单晶纳米管阵列及制备方法。该方法先采用电弧熔炼法制备出TiNbZr合金;并将基体合金打磨、清洗和烘干;把烘干好的基体合金为阳极,Pt片为阴极进行阳极氧化,电压为10~100V,室温下阳极氧化0.5~20小时;然后将制备出的纳米纳米管阵列连同基体合金一同放入马弗炉中在空气下进行热处理;最后采用氢氟酸蒸汽除去非晶层和基体合金,得到单晶纳米管阵列。本发明的单晶纳米管阵列具有良好的细胞相容性及可见紫外光吸收性能。本发明制备方法可控性强、效率高、操作简单,易实现工业化生产。
  • 一种单晶锐钛矿二氧化纳米阵列制备方法
  • [发明专利]一种制备金红石纳米颗粒的方法-CN201210216315.0有效
  • 纪红兵;芮泽宝;黄亦福;徐豆豆 - 中山大学
  • 2012-06-28 - 2012-10-03 - C01G23/053
  • 本发明公开了一种制备金红石纳米颗粒的方法,包括以下制备步骤:(1)将或P25纳米颗粒分散到含有金属氧化物添加剂的盐溶液里,超声处理;(2)将步骤(1)中得到的混合物在100℃空气中过夜干燥,500~900℃煅烧,得到金属氧化物质量分数为0.5%~7%的纳米颗粒;(3)将步骤(2)中得到的含有金属氧化物添加剂的纳米颗粒按1.5~3.0g/100mL的比例分散到体积分数5%~本发明制备得到的金红石品质高,几乎不含相和金属氧化物添加剂,且最终颗粒经过离心分离得到,分散性好。
  • 一种制备金红石氧化纳米颗粒方法
  • [发明专利]独立的纳米管阵列薄膜的制备方法-CN201210177244.8无效
  • 赵乃勤;初飞;李家俊;师春生;刘恩佐;何春年 - 天津大学
  • 2012-06-01 - 2012-09-19 - C25D11/26
  • 本发明公开了一种独立的纳米管阵列薄膜的制备方法。该薄膜制备过程包括,将纯材阳极氧化得到纳米管阵列薄膜后,用氢氟酸溶液浸泡该薄膜,使薄膜与基体分离,获得独立的无定形纳米管阵列薄膜,随后经去离子水清洗、锻烧得到独立的纳米管阵列薄膜薄膜的厚度可以通过控制阳极氧化的时间来控制,纳米管的直径可以通过改变阳极氧化电压来控制。相比于以片为基底的纳米管阵列薄膜而言,该薄膜面积较大,可转移到透明柔韧的基底上,应用范围更为广泛。
  • 独立氧化纳米阵列薄膜制备方法

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