专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]金刚-WC-Co硬质合金复合材料及其制备方法-CN200710051233.4有效
  • 周建;王琳;刘桂珍;欧阳世翕 - 武汉理工大学
  • 2007-01-09 - 2007-08-01 - C22C29/08
  • 本发明是一种金刚-WC-Co硬质合金复合材料,其组成是:按体积百分比计,金刚末占整个金刚-WC-Co硬质合金复合材料中的5~10%,并且金刚末均匀分布在所述复合材料中;按质量百分比计,Co的含量占其制备步骤包括:将经过表面化学镀金属的金刚末进行碳化处理;再同WC-Co粉末混合均匀后压制成生坯;然后在微波常压烧结时,生坯内的金刚表面的碳将形成碳化物,该碳化物同WC-Co硬质合金复合,形成金刚本发明由于金刚末均匀分布在所述金刚-WC-Co硬质合金复合材料中,并且在生坯微波常压烧结后,金刚表面以碳化物形式同WC-Co硬质合金复合,因此本发明提供的复合材料耐冲击、使用寿命长,并且该材料的制备方法工艺简单
  • 金刚石wcco硬质合金复合材料及其制备方法
  • [发明专利]一种金刚线锯制造用金刚表面处理装置-CN202310750181.9在审
  • 李仙华;王国宇;汤楚悦;李晟 - 浙江新瑞昕科技股份有限公司
  • 2023-06-25 - 2023-09-29 - C25D17/00
  • 本发明公布了一种金刚线锯制造用金刚表面处理装置,属于金刚表面处理技术领域,包括底座,底座上设置有分离组件、混合组件、辅助组件,混合组件能够提高金刚末和电镀液的混合效果,从而提高金刚的镀膜效果并且还能将半球混合仓一、二展开,从而便于对半球混合仓一、二内部进行清理,避免半球混合仓一、二的内壁在电镀过程中,内壁持续镀膜导致重量持续增加,影响装置的运行,辅助组件能够对半球混合仓一、二内部进行冲洗,避免电镀完成后金刚末附着在内壁,分离组件能够将电镀后的金刚末和电镀液分离,并且对电镀液进行回收,避免电镀液的浪费。
  • 一种金刚石制造表面处理装置
  • [发明专利]金刚氮-空位色心阵列传感器-CN202111373155.6在审
  • 汤琨;赵耕右;朱顺明;叶建东;顾书林 - 南京大学
  • 2021-11-19 - 2022-03-11 - G01N21/63
  • 本发明公开了金刚氮‑空位色心阵列传感器,涉及一种金刚半导体传感器,包括传感器、金刚衬底、金刚外延层、NV色心层、纳米柱阵列结构和纳米柱阵列天线,所述传感器底端具有金刚衬底,在所述金刚衬底正面上有一层金刚外延层,所述金刚外延层是n型半导体,所述金刚外延层表面存在采用原位MPCVD生长方式得到NV色心层,所述传感器NV色心层中NV色心的取向得到了择优取向,其中NV色心层具有10nm和50nm之间的厚度,所述金刚外延层即传感接触层结构为纳米柱阵列结构,述传感接触层纳米柱包括金刚纳米柱、介质层和金属层,所述介质层淀积在金刚纳米柱表面,所述金属层淀积在介质层表面。
  • 金刚石空位色心阵列传感器
  • [发明专利]用于矿山和石油钻探的岩石切割工具及方法-CN201780063096.8有效
  • 罗伯特·德尔维奇;艾蒂安·拉明 - 迪亚罗科技股份有限公司
  • 2017-11-08 - 2023-07-25 - E21B10/573
  • 本发明涉及岩石切割技术领域,提供一种岩石切割工具,包括刀具,该刀具包括至少一个前部的多晶合成金刚层、一个后部的包括金刚颗粒和钴键合的金刚浸渍层,多晶合成金刚层被沿着平面交接面直接支撑,平面交接面与齐平金刚颗粒齐平,该齐平金刚颗粒与多晶合成金刚层共价键合。本发明还提供一种该岩石切割工具的刀具的制造方法,首先制备金刚粒料并对其进行模压和冷压,然后对得到的预成型的金刚浸渍层进行烧结及机械加工直至获得具有齐平金刚颗粒的平面交接面并在其上沉积金刚末,最后将金刚末层转化成与齐平金刚颗粒共价键合的多晶合成金刚
  • 用于矿山石油钻探岩石切割工具方法
  • [发明专利]金刚膜高效散热材料及其制备方法-CN201910711380.2有效
  • 吴艳霞;于盛旺;郑可;高洁;唐宾;吴玉程;王永胜;马永;周兵 - 太原理工大学
  • 2019-08-02 - 2021-03-23 - C23C16/27
  • 本发明为一种金刚膜高效散热材料及其制备方法,该散热材料由上而下依次包括上层、中层和下层三部分,上层为厚度20‑500μm的金刚自支撑膜,中层为含有金刚的焊缝区,下层为金刚/铜复合材料。该散热材料的制备方法为:以Ag、Cu、Ti、金刚混合粉体作为活性焊剂,采用真空焊接将金刚自支撑膜的生长面与金刚/铜复合材料焊接起来,即获得所述金刚高效散热材料。本发明散热材料由于焊缝区中含有金刚,不存在热阻层,同时基底采用了金刚/铜复合材料,散热材料整体散热性能优良,热导率高于600W/(m·K)。此外,本发明方法所需金刚自支撑膜厚度薄,成本低;操作简单,可实现大规模批量化生产。
  • 金刚石高效散热材料及其制备方法
  • [发明专利]金刚砂布及其制造方法-CN200510032988.0无效
  • 阮克荣 - 阮克荣
  • 2005-01-24 - 2006-08-02 - B24D11/00
  • 本发明公开了一种金刚砂布及其制造方法,是在基布的两面上对应间隔的覆盖有金属层,金刚是嵌置于金属层上。由于本发明在基布的上下两面镀层则在基布间隔的形成金属基层,同时将金刚锁固在金属层中,金刚嵌置于基布上的牢固性更高,则形成的金刚砂布,其不易磨损,使用寿命长;正是由于本发明的金刚砂布上镀金属基层的间隔设置
  • 金刚石砂布及其制造方法
  • [发明专利]金刚衬底上制备GaN薄膜的方法-CN202111548864.3在审
  • 陶涛;张东祺;胡文晓;叶煜聪;陈凯;智婷;刘斌;谢自力;张荣 - 南京大学
  • 2021-12-17 - 2022-04-05 - H01L21/02
  • 本发明公开了一种在金刚衬底上制备GaN薄膜的方法,在常规衬底上生长GaN纳米柱,在GaN纳米柱上生长多晶金刚薄膜,除去常规衬底,以多晶金刚薄膜为衬底,以多晶金刚薄膜上的GaN纳米柱为成核层,在其上生长本发明利用了基于金刚衬底的GaN纳米柱形成成核层,以生长后的金刚薄膜作为衬底,去除硅后,金刚薄膜上集成了GaN纳米柱,以GaN纳米柱作为中间层生长GaN薄膜,由于GaN纳米柱能够极大的缓解GaN和金刚衬底之间的晶格失配产生的应力,可以避免金刚衬底直接外延GaN薄膜的应力和晶格取向问题,有利于金刚薄膜的均匀性,提高形核密度。
  • 金刚石衬底制备gan薄膜方法

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