专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]绝缘栅双极晶体管及其制造方法-CN201410507503.8有效
  • 陈鲁夫;陈柏安 - 新唐科技股份有限公司
  • 2014-09-28 - 2018-09-07 - H01L29/739
  • 本发明实施例提供了种绝缘栅双极晶体管及其制造方法,绝缘栅双极晶体管包括发射极电极、集电极电极、第一导电型态的集电极、第二导电型态的掺杂、第二导电型态的集电极以及第一导电型态的基极第一导电型态的集电极接触集电极电极的第一表面。第二导电型态的掺杂覆盖该第一导电型态的集电极。第二导电型态的集电极接触集电极电极的第二表面。第一导电型态的集电极与第二导电型态的集电极交替设置。第一导电型态的基极用以阻隔第二导电型态的集电极第一导电型态的集电极
  • 绝缘双极晶体管及其制造方法
  • [发明专利]图像传感器及其制造方法-CN200710161231.0无效
  • 金成均 - 东部高科股份有限公司
  • 2007-09-25 - 2008-10-29 - H01L27/146
  • 本发明提供了种图像传感器及其制造方法。图像传感器包括半导体衬底、金属线第一导电导电第一像素隔离层、本征以及第二导电导电。半导体衬底包括电路区域。金属线包括多个金属线和间绝缘,形成在半导体衬底上。具有图案的第一导电形成在金属线上,该图案由像素隔离层彼此隔开。第一像素隔离层形成在第一导电导电的隔离图案之间。本征形成在第一导电第一像素隔离层上。第二导电导电形成在本征上。
  • 图像传感器及其制造方法
  • [发明专利]芯片封装基板和结构及其制作方法-CN201210360263.4有效
  • 许诗滨;周鄂东;萧志忍 - 宏启胜精密电子(秦皇岛)有限公司;臻鼎科技股份有限公司
  • 2012-09-25 - 2016-11-09 - H01L23/488
  • 种芯片封装基板,包括第三和第六胶片、第一和第三导电线路第一防焊及多个导电接点。第六胶片与第三胶片相互粘接。第一导电线路形成于第三胶片相邻于第六胶片的表面。第三导电线路形成于第六胶片远离第一导电线路的表面,第三导电线路通过第一导电盲孔电连接于第一导电线路第一防焊形成于第三导电线路,并部分覆盖第三导电线路,以构成多个露出于第一防焊的电性接触垫。多个导电接点形成于第三胶片的远离第一导电线路的表面,多个导电接点通过形成于第三胶片的多个第二导电盲孔电连接于第一导电线路第一和第二导电盲孔均为电镀铜
  • 芯片封装结构及其制作方法
  • [实用新型]电池盖板组件及锂离子电池-CN202120564083.2有效
  • 赵俊凯;冯旭东;杨树涛;韩恒珏;刘玮勇 - 蜂巢能源科技有限公司
  • 2021-03-18 - 2021-09-24 - H01M50/571
  • 本公开涉及种电池盖板组件及锂离子电池,包括盖板本体、第一导电、第二导电及连接件,盖板本体用于与电池壳体可导电地连接,第一导电设置于盖板本体的外表面并与该盖板本体可导电地连接,第二导电设置于第一导电远离盖板本体的侧且用于与正极柱可导电地连接,连接件可活动地设置于第一导电和第二导电之间并具有第一位置和第二位置,连接件包括导电部和绝缘部;在连接件处于第一位置时,至少导电部与第一导电和第二导电接触;在连接件处于第二位置时,导电部仅与第一导电和第二导电中的者接触,或者,有且仅有绝缘部与第一导电和第二导电接触。
  • 电池盖板组件锂离子电池
  • [发明专利]电子装置-CN202310002856.1在审
  • 曾嘉平 - 群创光电股份有限公司
  • 2023-01-03 - 2023-10-20 - H01L23/66
  • 本发明提供种电子装置,其包括基板、第一导电第一绝缘、第二导电、第二绝缘、接合结构以及芯片。第一导电设置于基板上。第一绝缘设置于第一导电上且具有第一通孔。第二导电设置于第一绝缘上,其中第二导电通过第一通孔与第一导电电性连接。第二绝缘设置于第二导电上且具有第二通孔。接合结构设置于第二绝缘上,其中接合结构通过第二通孔与第二导电电性连接。
  • 电子装置
  • [发明专利]连接结构及其形成方法-CN201910962639.0在审
  • 金钟润 - 三星电子株式会社
  • 2019-10-10 - 2020-06-16 - H01L23/31
  • 提供了种用于半导体封装的连接结构,该连接结构包括:具有开口的第一钝化;穿透第一钝化并从第一钝化向上突出的第一导电图案;第一钝化上覆盖第一导电图案的第二钝化;第二钝化上电连接到第一导电图案的第二导电图案;第二钝化上覆盖第二导电图案的第三钝化;以及开口中电连接到第一导电图案的外部端子,其中,第一导电图案比第二导电图案厚。
  • 连接结构及其形成方法
  • [发明专利]线路结构及其制造方法-CN200810109899.5有效
  • 范智朋;贾妍缇 - 欣兴电子股份有限公司
  • 2008-06-05 - 2009-12-09 - H01L21/48
  • 种线路结构的制造方法如下所述。首先,形成底导电于载板上,并形成第一图案化阻镀层于其上,图案化阻镀层具有至少沟槽以暴露出部分底导电。然后,形成第一图案化导电于沟槽中,并形成第二图案化阻镀层覆盖于部分第一图案化导电与部分第一图案化阻镀层上。接着,形成第二图案化导电于第二图案化阻镀层所暴露出的第一图案化导电上,并移除第一与第二图案化阻镀层以及由第一图案化导电所暴露出的底导电。然后,形成图案化防焊以覆盖部分第一图案化导电,其暴露出第二图案化导电以及第一图案化导电邻近第二图案化导电的部分。
  • 线路结构及其制造方法

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