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[发明专利]一种基于细芯光纤马赫‑曾德干涉仪的温度测量方法-CN201610847995.4在审
发明人：祝连庆;何巍;董明利;骆飞;娄小平;刘锋;闫光 -专利权人：北京信息科技大学
申请日： 2016-09-23 - 公布日： 2016-12-21 - 主分类号： G01K11/32 文献下载
摘要：曾德干涉仪的温度测量方法，所述测量方法包括以下步骤：a)搭建细芯光纤马赫‑曾德干涉仪，细芯光纤马赫‑曾德干涉仪依次连接泵浦源、一支波分复用器以及细芯光纤马赫‑曾德结构；细芯光纤马赫‑曾德结构包括一段细芯光纤、第一掺杂稀土光纤和第二掺杂稀土光纤，细芯光纤熔接在第一掺杂稀土光纤和第二掺杂稀土光纤之间，第一掺杂稀土光纤和第二掺杂稀土光纤作为光纤激光器的增益介质；b)将所述细芯光纤马赫‑曾德结构与基体材料固定；c)逐渐改变温度大小，记录梳状谱移动的长度
一种基于光纤马赫干涉仪温度测量方法

[发明专利]一种VAD法制备稀土元素掺杂光纤预制棒的装置和方法-CN202010030359.9在审
发明人：林傲祥;倪力;俞娟 -专利权人：成都翱翔拓创光电科技合伙企业(有限合伙)
申请日： 2020-01-13 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： C03B37/014 文献下载
摘要：本发明公开了VAD法制备稀土元素掺杂光纤预制棒的装置及方法，装置包括基础原料供给单元、掺杂装置和VAD装置，掺杂装置包括稀土化合物挥发单元、共掺物挥发单元以及高温传输单元，VAD装置包括内层喷灯、中层喷灯、外层喷灯和控制单元，稀土化合物挥发单元和共掺物挥发单元的输出管路分别通过高温传输单元与内层喷灯的中心供料孔相连；控制单元控制VAD装置中引棒的移动并控制内层喷灯、中层喷灯、外层喷灯引棒上芯层、中间层和包层或者芯层和包层的粉体沉积以及移动过程中的脱水和烧结上述方法利用上述装置进行稀土元素掺杂光纤预制棒的制备。本发明能够解决大纤芯稀土掺杂预制棒制备问题，同时克服稀土离子溶液掺杂的局限性问题。
一种 vad 法制稀土元素掺杂光纤预制装置方法

[发明专利]掺杂光纤、光信号传输系统、模式相关损耗补偿方法-CN202310471761.4在审
发明人：刘亚平;杨志群;张林;许涛 -专利权人：鹏城实验室
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G02B6/02 文献下载
摘要：本发明实施例公开掺杂光纤、光信号传输系统、模式相关损耗补偿方法，涉及光纤通信领域。其中，掺杂光纤包括：包层；至少一个纤芯，纤芯布置于包层内，且可用于传输至少两个模式的光信号，纤芯含有稀土离子；纤芯中的稀土离子分布满足：在纤芯的横截面中取满足第一关系的任意两个位置作为第一位置和第二位置，第一位置的稀土离子的掺杂浓度小于第二位置的稀土离子的掺杂浓度；第一关系包括：第一位置比第二位置靠近横截面的中心。本发明实施例通过使用掺有稀土离子的掺杂光纤，根据掺杂光纤中稀土离子的浓度，使得不同模式的光信号在传输过程产生的模式相关损耗能够获得与之相匹配的补偿。
掺杂光纤信号传输系统模式相关损耗补偿方法

[发明专利]一种基于细芯光纤马赫-曾德干涉仪的磁场测量方法-CN201610849468.7有效
发明人：何巍;祝连庆;骆飞;刘锋;张钰明;闫光;娄小平 -专利权人：北京信息科技大学
申请日： 2016-09-23 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： G01R33/032 文献下载
摘要：曾德干涉仪的磁场测量方法，所述测量方法包括以下步骤：a)搭建细芯光纤马赫‑曾德干涉仪，细芯光纤马赫‑曾德干涉仪依次连接泵浦源、一支波分复用器以及细芯光纤马赫‑曾德结构；细芯光纤马赫‑曾德结构包括一段细芯光纤、第一掺杂稀土光纤和第二掺杂稀土光纤，细芯光纤熔接在第一掺杂稀土光纤和第二掺杂稀土光纤之间，第一掺杂稀土光纤和第二掺杂稀土光纤作为光纤激光器的增益介质；b)将所述细芯光纤马赫‑曾德结构与磁致伸缩材料固定；c)逐渐改变磁场强度，记录梳状谱移动的长度
一种基于光纤马赫干涉仪磁场测量方法

[发明专利]一种稀土掺杂氧化钪纳米材料及其制备方法和应用-CN201910127452.9有效
发明人：冯蕊 -专利权人：福州大学
申请日： 2019-02-20 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： C09K11/78 文献下载
摘要：一种具有高效红色发光的稀土掺杂超小氧化钪纳米材料及其制备方法和应用。所述纳米材料包括铕离子掺杂的氧化钪纳米颗粒内核、氧化物表面的油溶性配体和外来两亲性配体形成的具有空腔结构的表面修饰层、以及负载在空腔中的稀土离子敏化剂，所述表面修饰层吸附在所述油溶性配体的表面；其中所述铕离子掺杂的氧化钪纳米颗粒内核为经过表面修饰和负载稀土离子敏化剂的稀土掺杂超小氧化钪纳米材料的红色发光强度比未修饰的稀土掺杂超小氧化钪纳米材料提高3个数量级。该具有高效红色发光的稀土掺杂超小氧化钪纳米材料在生物成像和生物检测等领域拥有巨大的发展潜力。
一种稀土掺杂氧化纳米材料及其制备方法应用

[发明专利]一种稀土掺杂改性聚酯材料及其制备方法-CN200510068647.9无效
发明人：章文贡;林美娟;王文 -专利权人：福建师范大学
申请日： 2005-04-25 - 公布日： 2005-09-21 - 主分类号： C08L67/00 文献下载
摘要：本发明涉及稀土掺杂改性聚酯材料及其制备方法。本发明系通过添加稀土烷氧化合物来掺杂改性聚酯，其特征是以稀土烷氧化合物作为掺杂物并通过以弹性聚合物、聚酯为载体树脂的稀土烷氧化合物母料形式，在聚酯熔融切片过程中与聚酯融熔共混进行搀杂，利用稀土金属离子能与聚合物大分子中的苯环其与目前未经稀土掺杂改性的聚酯相比，这种稀土掺杂改性聚酯的最大特点是在室温至－30℃的温域内仍然有增韧效果。
一种稀土掺杂改性聚酯材料及其制备方法

[实用新型]沟道型平面波导放大器、光学器件及光学设备-CN202120136827.0有效
发明人：王荣平;杨振;严昆仑 -专利权人：宁波大学
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： G02F1/39 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种沟道型平面波导放大器、光学器件及光学设备，沟道型平面波导放大器，包括光学基片，其特征在于，所述光学基片上刻蚀有若干沟道，光学基片的表面具有利用熔融‑淬火凝聚的稀土掺杂的硫系材料所形成的硫系薄膜，各沟道内完全填充有利用熔融‑淬火凝聚的稀土掺杂的硫系材料，这样不仅可以避免等离子体直接对稀土离子做刻蚀，确保沟道型平面波导放大器结构表面和边墙的平整性，而且还可避免掺杂的稀土材料因经历分解成原子或者离子状态的过程而丧失活性和稀土荧光性能，提高掺杂在硫系材料中的稀土离子的光学稳定性，使得所形成的稀土掺杂的硫系薄膜也表现出较好的光学稳定性，进一步提高沟道型平面波导放大器的放大性能。
沟道平面波导放大器光学器件设备

[发明专利]一种γ-氧化铝掺杂稀土氧化物的制备方法-CN201410778191.4在审
发明人：邱基华;黄文思 -专利权人：潮州三环（集团）股份有限公司
申请日： 2014-12-12 - 公布日： 2015-04-08 - 主分类号： C01F17/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种γ-氧化铝掺杂稀土氧化物的制备方法，该方法通过将稀土金属盐溶液与酸溶液并流加入到偏铝酸钠溶液中进行共沉淀反应，当反应混合溶液的pH值达到8.5～9.5时结束反应，获得的共沉淀物经过过滤、水洗、干燥、煅烧、过筛，即得到γ-氧化铝掺杂稀土氧化物。该方法不需要二次煅烧，流程简单，投入低，操作容易，稳定性好，通过对反应浓度、反应温度和PH等反应条件进行控制，不同批次间产品性能重现性好；本发明还提供了一种采用该方法制备的γ-氧化铝掺杂稀土氧化物，该γ-氧化铝掺杂稀土氧化物中氧化铝纯度高，除去掺杂的稀土氧化物，γ-Al2O3纯度可达99.9％以上，抗老化性能好。
一种氧化铝掺杂稀土氧化物制备方法

[发明专利]一种稀土掺杂的晶体硅、其制备方法及太阳能电池-CN201610719064.6在审
发明人：肖贵云;陈伟;金浩 -专利权人：晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2016-08-24 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L31/0288 文献下载
摘要：本发明提供一种稀土掺杂的晶体硅，其特征在于，所述晶体硅为N型晶体硅或P型晶体硅；所述稀土元素为铒、钍、铈、镱和铥中的一种或几种；所述稀土元素的掺杂量为0.01ppba～1000ppba。本发明通过在P型或N型晶体硅中掺杂一定量的稀土元素，能够有效提高晶体硅的光谱吸收限，将晶体硅的吸收光谱由400～1100nm左右提高至1100nm以上的波长，增加太阳光的吸收率，从而提高了太阳能电池的光电转化效率实验结果表明，本发明中的稀土掺杂的晶体硅制成的太阳能电池的光电转化效率提升了0.1％。本发明还提供了一种稀土掺杂的晶体硅的制备方法和太阳能电池。
一种稀土掺杂晶体制备方法太阳能电池

[发明专利]稀土掺杂氧化铟锌溅射膜靶及其制备方法-CN202310666464.5在审
发明人：王之君;陈重阳;孙本双;王成铎;陈杰;刘洋;刘苗;曾学云 -专利权人：郑州大学
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种稀土掺杂氧化铟锌溅射膜靶及其制备方法。该制备方法包括步骤：S1、取设定量的铟盐溶液、锌盐溶液、稀土盐溶液混合，并加入设定量的纯水、稳定剂和有机溶剂，搅拌得到前驱体溶液；S2、将前驱体溶液旋涂在硅晶片上，对涂覆有前驱体溶液的硅晶片进行干燥；S3、干燥后的硅晶片在设定温度下退火处理，得到稀土掺杂氧化铟锌复合物薄膜；其中，退火处理的温度为200～400℃；S4、通过铟颗粒将稀土掺杂氧化铟锌复合物薄膜粘在钛背板上，得到稀土掺杂氧化铟锌溅射膜靶。本发明实施例公开的稀土掺杂氧化铟锌溅射膜靶的制备方法制备工艺简单，节省能耗，成型产品透光率高，电阻率低。
稀土掺杂氧化溅射及其制备方法

[发明专利]一种稀土共掺杂晶态发光材料的制备及其在杂化太阳电池中的应用-CN201410078074.7有效
发明人：李清华;金肖;陈子晗;程园远 -专利权人：南昌航空大学
申请日： 2014-03-05 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种稀土共掺杂晶态发光材料的制备及其在杂化太阳电池中的应用，其制备方法为：将稀土氧化物溶于浓盐酸完全溶解成澄清溶液，将配备的饱和盐溶液加入澄清溶液中至完全沉淀，煅烧取粉末掺到TiO₂胶体中，以多孔n型掺杂稀土的半导体TiO₂纳米材料为光阳极，通过空穴传输层PEDOT:PSS和电子复合形成电子-空穴对完成一个循环，最后制得稀土共掺杂晶态发光材料杂化太阳电池本发明的优点是：成功了合成稀土共掺杂晶态发光材料，通过改变掺杂的稀土离子和沉淀剂使太阳能电池p型半导体和n型半导体能级匹配，提高太阳能电池光电转换效率。
一种稀土掺杂晶态发光材料制备及其太阳电池中的应用

[发明专利]一种稀土掺杂氧化镓载药体的制备方法-CN201310133154.3无效
发明人：金一;王新石;王成润 -专利权人：浙江大学
申请日： 2013-04-16 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： A61K49/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种稀土掺杂氧化镓载药体的制备方法，所述方法为：将氯化镓水溶液与稀土盐水溶液混合，再加入聚乙二醇，室温下搅拌混匀后调节pH值至4～8，将混合液于110～180℃下反应0.5～24h，反应结束后，获得所述稀土掺杂氧化镓晶体；将待负载的药物溶于溶剂a中，超声溶解后制成药物溶液，再加入稀土掺杂氧化镓晶体，超声分散后再在室温下避光搅拌12～24h，获得所述稀土掺杂氧化镓载药体；本发明稀土掺杂的多孔氧化镓晶体可以作为药物的载体
一种稀土掺杂氧化镓载药体制备方法

[发明专利]一种纳米稀土氧化物掺杂钼合金电极材料的制备方法-CN201110187158.0有效
发明人：孙军;江峰;周葵涛;张国君;刘刚;孙院军;陈小曼 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2011-07-07 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： B22F3/16 文献下载
摘要：本发明一种纳米稀土氧化物掺杂钼合金电极材料的制备方法，以钼粉为原料，采用固固掺杂的方法混合均匀钼粉和纳米稀土氧化物粉末，纳米稀土氧化物为氧化镧、氧化铈或混合稀土氧化物，之后经过筛分、压制成型、烧结、锻造和一定温度下的真空退火热处理，制备不同种类、不同含量纳米稀土氧化物掺杂的钼合金电极材料。本发明的制备方法和热处理工艺简单易行，通过该方法制备的纳米稀土氧化物掺杂钼合金电极材料的组织均匀，致密度高，具有高强度、高再结晶温度、高伸长率和良好的深加工性能等特点。
一种纳米稀土氧化物掺杂合金电极材料制备方法

[发明专利]一种高稳定、易挥发异核稀土螯合物及其制备方法和应用-CN202110740779.0有效
发明人：徐海兵;黄青青 -专利权人：湖北大学
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： C07C45/77 文献下载
摘要：本发明提供了一种高稳定、易挥发异核稀土螯合物及其制备方法和应用。该异核稀土螯合物的制备方法包括：将至少两种稀土氧化物与无机酸反应后，得到稀土盐混合水溶液；向二酮类配体中加入醇，得到混合液；将稀土盐混合水溶液滴加至混合液中反应即得异核稀土螯合物；本发明的制备方法，利用稀土盐混合水溶液与二酮类配体混合液反应，定向合成了同时含有两种或以上稀土离子的异核稀土螯合物，为实现多物种固定配比一步掺杂，通过气相蒸汽沉积制备双包层光纤预制棒提供可行性，相比于传统的通过调控不同管道中载气流速释放掺杂物种流量实现不同掺杂物的配比，本申请的制备方法可一步精确控制掺杂稀土元素的配比且改进铒稀土螯合物不稳定的瓶颈。
一种稳定挥发稀土螯合物及其制备方法应用

[发明专利]高掺杂多谱带激发稀土上转换荧光纳米材料及其制备方法-CN201510967964.8在审
发明人：涂浪平;佐婧;刘晓敏;孔祥贵;张友林;常钰磊;薛彬 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2015-12-22 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： C09K11/85 文献下载
摘要：本发明提供一种高掺杂多谱带激发稀土上转换荧光纳米材料及其制备方法，属于发光材料结构设计及其制备技术领域。解决现有的上转换荧光材料中的稀土发光中心离子掺杂浓度低且发光效率低的问题。该材料以NaYF₄、NaGdF₄或NaLuF₄为基质，掺杂稀土发光中心离子，具有纳米晶微观形态，在纳米核结构外包覆惰性壳结构；所述稀土发光中心离子为Er³⁺，掺杂浓度为20％-100％。本发明还提供一种高掺杂多谱带激发稀土上转换荧光纳米材料的制备方法。本发明的纳米材料可以在800nm、980nm、1530nm三个激发波长下实现近单色上转换发光，Er³⁺单掺的最佳掺杂浓度提高至100％。
掺杂多谱带激发稀土转换荧光纳米材料及其制备方法