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[实用新型]磁控溅射镀膜工艺室-CN202222989956.1有效
发明人：李茂;王豪奇;李建华 -专利权人：浙江生波智能装备有限公司
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种磁控溅射镀膜工艺室，其磁控溅射源包括第一磁控溅射源、第二磁控溅射源、第三磁控溅射源和第四磁控溅射源，其中，第一磁控溅射源和第二磁控溅射源位于磁控溅射镀膜工艺室左侧，用于在柔性PI基材背面的Cu过渡层上形成Cu功能层；第三磁控溅射源和第四磁控溅射源位于磁控溅射镀膜工艺室右侧，用于在柔性PI基材正面的Cu过渡层上形成Cu功能层。本实用新型实施例，在柔性PI基材的正反面各配置两个磁控溅射源，可双面同时一次完成镀膜，减少往复卷绕导致的良率以及效率的损失。同时，为能够制备出表面附着力符合要求的真空镀膜设备提供良好的保障。
磁控溅射镀膜工艺

[发明专利]磁控溅射镀膜装置及其工作方法-CN202010196863.6在审
发明人：杜志游 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2020-03-19 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种磁控溅射镀膜装置及其工作方法，其中，磁控溅射镀膜装置包括：真空镀膜室；可旋转工件架，可沿其中心轴在所述真空镀膜室内旋转，具有若干个侧壁，所述侧壁用于承载待镀膜工件；至少一个磁控溅射源，设置于所述真空镀膜室内，与所述待镀膜工件之间具有间隙，用于向所述待镀膜工件的表面溅射镀膜材料颗粒；位置调节装置，用于调整所述磁控溅射源的位置，当所述待镀膜工件与所述磁控溅射源相对的位置由中心向边缘转动时，所述位置调节装置调节所述磁控溅射源的位置，使所述磁控溅射源到所述中心轴的距离逐渐变大。利用所述磁控溅射镀膜装置制出的镀膜均一性好。
磁控溅射镀膜装置及其工作方法

[实用新型]磁控溅射镀膜装置-CN202020354281.1有效
发明人：杜志游 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2020-03-19 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种磁控溅射镀膜装置，包括：真空镀膜室；可旋转工件架，可沿其中心轴在所述真空镀膜室内旋转，具有若干个侧壁，所述侧壁用于承载待镀膜工件；至少一个磁控溅射源，设置于所述真空镀膜室内，与所述待镀膜工件之间具有间隙，用于向所述待镀膜工件的表面溅射镀膜材料颗粒；位置调节装置，用于调整所述磁控溅射源的位置，当所述待镀膜工件与所述磁控溅射源相对的位置由中心向边缘转动时，所述位置调节装置调节所述磁控溅射源的位置，使所述磁控溅射源到所述中心轴的距离逐渐变大利用所述磁控溅射镀膜装置制出的镀膜均一性好。
磁控溅射镀膜装置

[发明专利]一种磁控溅射源及磁控溅射设备-CN201010614069.5有效
发明人：杨柏 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2010-12-21 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种磁控溅射源及应用该磁控溅射源的磁控溅射设备。其中，磁控溅射源包括磁控管及用于驱动该磁控管进行旋转的驱动装置，所述磁控管包括至少一个磁体组，磁体组在驱动装置的驱动作用下进行自转的同时围绕靶材中心进行周向旋转，用以对靶材表面进行均匀的磁场扫描，从而有效提高靶材的利用率本发明提供的磁控溅射设备借助上述磁控溅射源同样能够对靶材表面进行均匀的磁场扫描，并有效提高靶材的利用率。
一种磁控溅射设备

[发明专利]一种磁控溅射源及磁控溅射设备-CN201010588197.7无效
发明人：夏威;文莉辉 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2010-12-09 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种磁控溅射源及磁控溅射设备。其中，磁控溅射源包括磁控管及用于驱动该磁控管的驱动装置；借助该驱动装置可驱动磁控管以任意轨迹对靶材平面进行扫描，从而使靶材各个区域的消耗速率趋于一致，进而大幅提高靶材的利用率。本发明提供的磁控溅射设备中设置有上述本发明提供的磁控溅射源，因而其同样能够大幅提高靶材的利用率。
一种磁控溅射设备

[发明专利]一种用于制备镝/铽镀层的磁控溅射镀膜系统和方法-CN201910393484.3在审
发明人：王君 -专利权人：合肥赉晟科技有限公司
申请日： 2019-05-13 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于在稀土永磁体单元上制备镝/铽镀层的磁控溅射镀膜系统，系统使用的磁控溅射源具有管状结构特点，管状磁控溅射源管壁外侧布置有磁体且内部镶嵌有重稀土靶材，工件架安装在端盖上并可沿管状磁控溅射源轴线转动；在管状溅射源内部形成镀膜空间，由于磁控溅射放电和空心阴极放电耦合在一起，等离子体密度高，因此薄膜沉积速率远高于常规磁控溅射，同时由于管状结构特点，靶材溅出材料主要部分沉积在工件上，另外一部分则重新回到靶材表面本发明还公开了一种用于稀土镀层的磁控溅射镀膜方法。
镀层磁控溅射镀膜磁控溅射源磁控溅射管状结构轴线转动靶材溅出制备等离子体空心阴极放电靶材利用率稀土永磁体靶材表面薄膜沉积镀膜空间厚度分布转动工件耦合工件架溅射源重稀土放电端盖管壁沉积稀土镶嵌

[发明专利]磁控溅射源及磁控溅射设备-CN201010621854.3有效
发明人：刘旭 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2010-12-24 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种磁控溅射源及应用该磁控溅射源的磁控溅射设备。其中，所述磁控溅射源包括磁控管及驱动装置，所述磁控管和所述驱动装置相连接，所述驱动装置用于驱动所述磁控管以螺旋线形轨迹对整个靶材区域进行扫描。从而在将本发明提供的磁控溅射源应用于磁控溅射工艺中时，能够使靶材各个区域均被有效溅射，以避免靶材上的某些区域不能被充分利用的问题；并且，还可通过调节驱动装置的运行速度而对磁控管在其靶材中心区域和边缘的停留时间进行有效调节本发明提供的磁控溅射设备同样能够有效提高靶材的利用率。
磁控溅射设备

[实用新型]一种用于制备镝/铽镀层的磁控溅射镀膜系统-CN201920675757.9有效
发明人：王君 -专利权人：合肥赉晟科技有限公司
申请日： 2019-05-13 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于制备镝/铽镀层的磁控溅射镀膜系统，系统使用的磁控溅射源具有管状结构特点，管状磁控溅射源管壁外侧布置有磁体且内部镶嵌有重稀土靶材，工件架安装在端盖上并可沿管状磁控溅射源轴线转动；在管状溅射源内部形成镀膜空间，由于磁控溅射放电和空心阴极放电耦合在一起，等离子体密度高，因此薄膜沉积速率远高于常规磁控溅射，同时由于管状结构特点，靶材溅出材料主要部分沉积在工件上，另外一部分则重新回到靶材表面，从而具有很高的靶材利用率
一种用于制备镀层磁控溅射镀膜系统

[发明专利]一种用于表面防护的离子束辅助磁控溅射沉积装置及方法-CN200810120013.7有效
发明人：宋振纶;李金龙;孙科沸;冒守栋 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2008-07-21 - 公布日： 2010-01-27 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及用于表面防护的离子束辅助磁控溅射沉积装置及方法，该装置包括真空室、磁控溅射源、工件托架和离子源，其特征在于：所述磁控溅射源安装在真空室的顶部呈密封连接结构，磁控溅射靶通过连接轴与磁控溅射源相连，磁控溅射靶伸入真空室内，且磁控溅射靶与连接轴之间为可转动连接，所述离子源也安装在真空室的顶部呈密封连接结构，离子源的发射头也伸入真空室内，所述工件托架安装在真空室内的底部。与现有技术相比，本发明的优点在于：磁控溅射靶能根据工件的大小和位置调整溅射方向，以达到最佳的溅射的范围；本发明提供的方法，不需要采用高能离子源，而是采用低能、大束流离子束对薄膜进行辅助沉积，可增加膜基结合力和薄膜致密度
一种用于表面防护离子束辅助磁控溅射沉积装置方法

[发明专利]一种复合真空沉积设备-CN200910217543.8无效
发明人：付志强;王成彪;张伟;岳文;彭志坚;于翔 -专利权人：中国地质大学（北京）
申请日： 2009-12-31 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种复合真空沉积设备，由真空室4、阴极电弧蒸发源2、中频磁控溅射源7、直流磁控溅射源8、气体离子源10、工件架3等组成；抽气口1设置在真空室4后部，阴极电弧蒸发源2安装在靠近抽气口1的真空室壁上，中频磁控溅射源7安装在真空室4两侧中间位置的真空室壁上，直流磁控溅射源8安装在真空室前门9上；通入反应气体的气体离子源10安装在真空室4中心位置，离子束喷向抽气口1方向，离子源10背部和侧面设置气体离子源挡板5；工作气体从安装在中频磁控溅射源7和直流磁控溅射源8附近的工作气体进气管道6通入真空室4。
一种复合真空沉积设备

[实用新型]磁控溅射设备-CN202123382341.4有效
发明人：周龙;扈锋;张喜冲;张汉都;王芝芝;陈嘉圣;庞文杰 -专利权人：厦门海辰新能源科技有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种磁控溅射设备，所述磁控溅射设备用于为薄膜镀膜，所述磁控溅射设备包括：放卷机构、收卷机构和镀膜单元，所述镀膜单元包括多个，多个所述镀膜单元沿所述薄膜的输送方向依次布置在所述放卷机构和所述收卷机构之间，所述镀膜单元包括：主辊和多个溅射源，多个所述溅射源在所述主辊的周向间隔设置并位于所述主辊与所述薄膜的包角范围内，且多个所述溅射源与所述主辊在所述主辊的径向方向间隔开。根据本实用新型的磁控溅射设备，通过设置多个镀膜单元，每个镀膜单元又包括一个主辊和多个溅射源，这样，能够减少镀膜时膜面的热量，提高单位设备空间的产能，提高镀膜沉积效率。
磁控溅射设备

[实用新型]线性溅射源分段供气系统-CN201420253841.9有效
发明人：郭爱云 -专利权人：红安华州光电科技有限公司
申请日： 2014-05-19 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种线性溅射源分段供气系统，包括一路磁控溅射工艺工作气体管路、多路磁控溅射工艺反应气体管路、分段供气装置，一路所述磁控溅射工艺工作气体管路、多路所述磁控溅射工艺反应气体管路和所述分段供气装置上均设置有质量流量计和截止阀本实用新型提供了一种线性溅射源分段供气系统，解决工作气体和多种反应气体混气和供气的问题；解决混气后供气的流量的实时控制问题；解决与工艺抽气系统设计相适应的工艺供气系统气场分布设计；解决与多种磁控溅射工艺(中频反应磁控溅射、直流磁控溅射和射频磁控溅射等)相适合的问题；实现大批量稳定连续生产。
线性溅射分段供气系统

[发明专利]磁控溅射源及其溅射成膜装置-CN202110312735.8在审
发明人：长江亦周;宫内充祐 -专利权人：株式会社新柯隆
申请日： 2021-03-24 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开一种磁控溅射源以及溅射成膜装置，其中，一种磁控溅射源，包括：被驱动围绕一转动轴线旋转的旋转靶材；设置在所述旋转靶材内部的磁体组件；用于调节至少部分所述磁体组件相对于所述转动轴线的位置的磁场调整机构该磁控溅射源及其溅射成膜装置能够在成膜过程中能够根据基板的形状使得膜的沉积可被控制，以此在基板的表面获得均一的膜厚。
磁控溅射及其溅射装置

[发明专利]一种基于背向沉积的磁控溅射镀膜装置和方法-CN202211141704.1在审
发明人：马雷;张武胜;刘锦;鄢童 -专利权人：天津大学
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明属于真空溅射技术领域，公开了一种基于背向沉积的磁控溅射镀膜装置和方法，真空腔体通过手动真空插板阀连接分子泵，磁控溅射源的溅射方向指向分子泵；样品杆的前端部安装基片，基片位于前端部背向于磁控溅射源一侧；真空插板阀的中心轴线、分子泵的中心轴线与靶法兰的中心轴线重合且均通过基片的中心点；这样，磁控溅射源开启状态下，调节反应气体流量后通过真空插板阀控制分子泵抽速，从而使真空腔体中的气流在流向分子泵过程中能够由样品杆的前端部实现分流，利用气流裹挟靶材粒子在基片表面实现背向沉积，从而削弱了从磁控溅射源溅射出来的靶材粒子对基片的轰击强度，保证了基片温度稳定，降低了沉积能量，提高了沉积过程的控制精度。
一种基于背向沉积磁控溅射镀膜装置方法

[实用新型]磁控溅射镀膜装置-CN202020352887.1有效
发明人：杜志游;郭世平 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2020-03-19 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种磁控溅射镀膜装置，其中，磁控溅射镀膜装置包括：真空镀膜室；可旋转工件架，可沿其中心轴在所述真空镀膜室内旋转，具有若干个侧壁，所述侧壁用于承载待镀膜工件，所述待镀膜工件具有待镀面，所述待镀面向远离中心轴的方向凸出；至少一个磁控溅射源，设置于所述真空镀膜室内，用于向所述待镀膜工件的表面溅射镀膜材料颗粒，所述磁控溅射源与所述待镀面之间具有间隙。利用所述磁控溅射镀膜装置制出的镀膜均一性好。
磁控溅射镀膜装置

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