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[实用新型]基于纳米级碳阻PCB电路板-CN202221618155.8有效
发明人：陈智;邹漫宇 -专利权人：深圳市精鸿艺电路有限公司
申请日： 2022-06-27 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了基于纳米级碳阻PCB电路板，包括电路板本体，所述电路板本体上印刷有纳米级碳膜电阻层并在高温的条件下聚合成膜，还包括开设在电路板本体四角处的方形槽，所述方形槽的内部通过缓冲防护组件连接有L本实用新型的基于纳米级碳阻PCB电路板，通过四件处的L型防护板对电路板本体进行防碰击防护，避免外部物体直接与电路板本体的四角处碰击造成电路板本体的损坏，且L型防护板在防护的过程中，通过缓冲防护组件，提高了L型防护板对电路板本体的防护效果，进一步的避免电路板本体的四角边缘处发生碰击造成PCB电路板上的纳米级碳膜电阻层发生破坏，提高了PCB电路板的使用寿命。
基于纳米级碳阻 pcb 电路板

[发明专利]一种修复超低介质常数薄膜侧壁损伤的方法-CN201410411975.3在审
发明人：鲍宇;雷通;桑宁波 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-08-20 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种修复超低介质常数薄膜侧壁损伤的方法，包括：步骤S01：在半导体衬底上依次沉积介电阻挡层以及含有致孔剂的低介电常数层；步骤S02：对低介电常数层表面进行氧气等离子体处理；步骤S03：向氧化层中掺入碳元素；步骤S04：去除致孔剂；步骤S05：在低介电常数层表面依次形成介电阻挡层以及金属硬质掩膜层；步骤S06：对所述金属硬质掩膜层、介电阻挡层、氧化层和低介电常数层进行刻蚀，以形成沟槽。本发明所掺入的碳元素可以使氧化层的刻蚀速率接近低介电常数层的刻蚀速率，从而避免沟槽结构的侧壁出现凹陷，此外，掺入碳元素还可以降低薄膜的介电常数值，提高了器件的电学性能。
一种修复介质常数薄膜侧壁损伤方法

[实用新型]无中间电容器之交换式直流电压调整器-CN95236793.9无效
发明人：姚荣湘 -专利权人：姚荣湘
申请日： 1995-05-12 - 公布日： 1996-10-30 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：一种由电源交换晶体、功率推动晶体、分流式电压调整器积体电路、电压调整电阻、能源交换泄放元件、储能电感元件、电压输出及储能电容元件构成的无中间电容器之交换式直流电压调整器，其特征在于功率推动晶体的射极直接与电路输出端连接，电压调整电阻可做成单片的排龙式厚膜电阻网络。本实用新型能大幅减少基本电子元件使用量以便缩小体积及降低工时，且因为厚膜电阻的精度较分立的碳膜电阻高，从而也使得其电压调整的精确度提高。在适当输入操作电压时，工作效率较以往线路为高。
中间电容器交换直流电压调整器

[实用新型]一种拆分式电阻-CN201520784832.7有效
发明人：陈朋飞 -专利权人：陈朋飞
申请日： 2015-10-11 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： H01C13/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种拆分式电阻，包括第一电阻外壳、第一电阻芯、第二电阻外壳、第二电阻芯，所述第一电阻芯安装在所述第一电阻外壳的内部，所述第二电阻芯安装在所述第二电阻外壳的内部，且所述第一电阻外壳与第二电阻外壳之间通过电阻杆可拆卸相连本实用新型结构简单、设计合理，能够改变电阻阻值的大小，适用范围广，且采用氧化锌陶瓷线性电阻芯和碳膜外壳，能够降低成本，便于使用。
一种拆分电阻

[发明专利]一种碳胶厚膜电阻浆料-CN201410826255.3无效
发明人：吴国民 -专利权人：常熟联茂电子科技有限公司
申请日： 2014-12-26 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01B1/24 文献下载
摘要：本实施例的一种碳胶厚膜电阻浆料的配方按质量份数：含硼元素的阻燃耐温高分子聚合物3；纳米碳系导电填料1.5；导电相石墨粉12；超细贱金属合金粉导电填料4；柠檬酸三丁酯 0.6；硝基纤维素0.6；邻甲基酚醛环氧树脂由本实施例所制备的电阻经过测试分析，显示电阻性能良好。
一种碳胶厚膜电阻浆料

[实用新型]一种步进式音量电位器-CN201920370893.7有效
发明人：钱永杨 -专利权人：深圳市百瑞科科技有限公司
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： H01C10/34 文献下载
摘要：本实用新型公开一种步进式音量电位器，包括：外壳；设置在外壳内的至少一块设有采样电路的电阻电路板，采样电路包括电阻支路，每个电阻支路包括一个碳膜电阻以及与碳膜电阻电性相连的金属触点；设置在第一轴孔内的绝缘套
金属触点金属弹片绝缘套本实用新型音量电位器采样电路电阻支路内凹台阶碳膜电阻外凸台阶步进式电位器滑动侧边电弧安全可靠性电阻电路板错位设置电性相连第一轴穿过改进

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN200710147182.5无效
发明人：南部英高 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2007-08-30 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件制造方法以控制晶片间和晶片内互连电阻、接触电阻的增加等。该半导体器件制造方法包括步骤：将待处理衬底放置在刻蚀设备中，该衬底中包含第一绝缘膜和第二绝缘膜的叠层膜形成在半导体衬底上或者上方，并且第一绝缘膜和第二绝缘膜在同一刻蚀设备中刻蚀，其中第一绝缘膜由含氮膜组成，第二绝缘膜由从SiOCH膜、SiO₂膜、甲基倍半硅氧烷膜、氢倍半硅氧烷膜和甲基氢倍半硅氧烷膜中选择的一种或多种膜组成，其中采用(a)包括以C_xF_y(x：从1到6的整数，y：从4到12的整数)表示的碳氟化合物的气体，或者(b)该碳氟化合物和从O₂、Ar和CO中选择的一种或者多种气体的混合气体，作为第一绝缘膜的刻蚀气体和第二绝缘膜的刻蚀气体
制造半导体器件方法

[发明专利]一种高性能电阻器及其制备方法-CN201710609827.6在审
发明人：孔令翠 -专利权人：合肥欧仕嘉机电设备有限公司
申请日： 2017-07-25 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： H01C7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高性能电阻器及其制备方法，该电阻器包括碳膜浆料，所述碳膜浆料包括如下重量份的原料石墨20～40份、碳黑10～20份、热塑性树脂1～5份、纳米二氧化硅1～6份、氧化钴1～5份、氧化锰2～5本发明的电阻器负温度系数小、高频特性好，受电压和频率影响小，噪声电动势较小，脉冲负荷稳定，阻值范围宽，多项性能优越，且生产工艺简单，节约能耗，成本低廉。
一种性能电阻器及其制备方法

[实用新型]一种稳定型LED电源-CN201320400520.2有效
发明人：鞠文燕 -专利权人：黑龙江省爱普照明电器有限公司
申请日： 2013-07-06 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：包括PCB电路板，PCB电路板上设有压敏电阻，压敏电阻一端通过保险与交流电源火线相连，另一端与电源零线相连，并接入整流电桥的一个输入端，涤纶155J电容和涤纶684J电容与一个碳膜电阻并联后，前端接于保险出口端，后端接入整流电桥的另一个输入端；电解电容和一个碳膜电阻并联后一端与整流电桥的高电平输出端相连，另一端与整流电桥的低电平输出端相连，金属膜电阻一端接在整流电桥的高电平输出端，另一端连通PCB电路板输出正压端
一种稳定 led 电源

[发明专利]一种高效去除酸性土壤中Cr6+的微生物燃料电池装置及方法-CN201710584197.1在审
发明人：杨彦;丁建宁;刘帅帅;沈钱勇 -专利权人：常州大学
申请日： 2017-07-18 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： B09C1/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效去除酸性土壤中Cr6+的微生物燃料电池装置及方法，主要用于土壤污染修复领域，包括多孔碳掺杂生物膜阳极和碳毡阴极，所述阳极和阴极相互分隔开埋置于Cr6+污染的酸性土壤中并通过导线连接，外接负载电阻，阴阳极之间铺设质子交换膜或无质子交换膜。本装置在使用时，分别将多孔碳掺杂生物膜阳极和碳毡阴极埋于污染土壤中，微生物就地利用土壤中的底物作为燃料，产生的电子聚集于阳极，对阳极附近的重金属六价铬进行还原，从而促进酸性土壤重金属六价铬污染物的降解和转化本发明将多孔碳掺杂生物膜电极技术方法和MFCs相结合对酸性土壤进行修复，具有成本低、效率高、设备投入小、产能等优点，具有广阔的市场前景和应用价值。
一种高效去除酸性土壤 cr6 微生物燃料电池装置方法

[实用新型]一种基于石墨烯的温热理疗电极片及其装置-CN201822196221.7有效
发明人：华成云;王小飞 -专利权人：江苏泽康医疗科技有限公司
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： A61N1/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及医疗设备技术领域，且公开了一种基于石墨烯的温热理疗电极片及其装置，所述温热理疗电极片包括贴片，所述贴片的右侧插装有端子线，所述贴片包括碳膜层，所述碳膜层的底部设置有第一包覆层，所述碳膜层的顶部固定安装有数量为四个的导电片，所述碳膜层的顶部且位于导电片的顶部铺设有粘接层，所述粘接层的顶部铺设有第二包覆层，所述端子线内部的碳纤维线分别与四个导电片的顶部固定连接。该基于石墨烯的温热理疗电极片及其装置，便于使用者将插头放回放置槽，将机体放置存取，且使脉冲传输稳定，减小端子线与碳膜层连接时的电阻，提高使用者的使用体验，且本电极片结构简单，成本较低，便于贴合人体的不规则肌体
一种基于石墨温热理疗电极及其装置

[发明专利]超小型防尘防水无刷直流信号扳机开关-CN202310973090.1在审
发明人：倪圣珑;肖芳英;雷善斌 -专利权人：浙江佳奔电子有限公司
申请日： 2023-08-03 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01H3/32 文献下载
摘要：该开关包括基座体、上盖和推轴，推轴的一端延伸出基座体与上盖构成的箱体，另一端设于箱体内，推轴延伸出箱体的一端设有轴肩；推轴的上方设有小盖，小盖上设有线路板组件，线路板组件上靠近推轴的一面设有铜箔带或碳膜电阻带，推轴上靠近线路板组件的一面设有能够在铜箔带或碳膜电阻带上滑动的滑动簧片组；推轴上延伸出箱体的部位设有防护套，防护套的一端设于箱体内部，推轴上延伸出箱体的一端设有按压件，按压件与轴肩配合将防护套的另一端压紧于推轴上本公开的开关能够保证滑动簧片与碳膜电阻带和铜箔带的摩擦力不会变大，从而能够延长开关的使用寿命。
超小型防尘防水直流信号扳机开关

[发明专利]具有高透光率的导电制品-CN201280062708.9有效
发明人： R·迪维加尔皮蒂雅;M·J·佩勒莱特;J·P·贝佐尔德;G·A·科尔巴;M·H·马祖雷克 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2012-12-12 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种透明导电制品，其包括透明基底、薄导电栅格和碳纳米层。所述栅格设置在所述基底上，并且所述碳纳米层也设置在所述基底上并且与所述栅格接触。所述导电栅格和所述碳纳米层可分别具有不超过1微米和50纳米的厚度。所述碳纳米层具有包括嵌入在纳米晶碳中的石墨小片的形态，并且能够通过使用干燥碳粒且不显著损害所述栅格结构的抛光工序来制备。所述制品可具有至少80％的可见光透射率和小于500或100欧姆/平方的薄层电阻。所述透明基底可包括柔性聚合物膜。本发明所公开的制品可在经受挠曲时基本上保持初始薄层电阻值。
具有透光率导电制品

[发明专利]一种利用“插层搭桥”法提高电热膜电热性能的方法及应用-CN202210190794.7有效
发明人：刘维锦;高培鑫 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H05B3/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用“插层搭桥”法提高电热膜电热性能的方法及应用。该电热膜由导电油墨通过丝网印刷的方法制备而成。导电油墨由以下物质组成：碳系导电填料，有机溶剂，环氧树脂和酚醛树脂粘结剂，消泡剂，流平剂，润湿分散剂，抗氧剂，增塑剂。用球磨机搅拌混合与研磨一步法完成导电油墨的制备。其中碳系导电填料由微观结构为球状的超细碳粉与片层状的碳系导电物质组成。电热膜在不同微观结构碳系导电填料的相互作用下，插层搭桥构建导电网路，从而具有优异的电热性能。这种电热膜具有简易的制备流程、低成本性、很好的印刷适用性、可控的膜层电阻、优异的柔韧性、通电快速响应和循环使用性，适应于大规模制备。
一种利用搭桥提高电热性能方法应用

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN200410089652.3无效
发明人：饭塚胜彦;冈田和央;森智典;土桥博之;铃木弘之;本多孝好;谷口敏光 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2004-10-29 - 公布日： 2005-05-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体装置的制造方法，不产生硅衬底的削减或碳污染，形成LDD结构或金属硅化物区域。在栅极电极3的侧面部形成衬垫6时，将绝缘膜5的蚀刻分为干蚀刻和湿蚀刻两个阶段进行。另外，使用氮化硅膜作为高浓度杂质物注入时的缓冲膜，利用湿蚀刻除去该膜。其结果可防止硅衬底1的削减，防止碳污染，另外，由作为湿蚀刻特征的选择比的大小，杂质区域或硅化物形成区域的深度或电阻的面内的偏差变小。
半导体装置制造方法