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[发明专利]一种硅铝合金/硅/锆/硅极紫外多层膜反射镜及其制备方法-CN201310006877.7有效
发明人：张众;钟奇;王占山 -专利权人：同济大学
申请日： 2013-01-09 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： G02B5/08 文献下载
摘要：该反射镜包括基底和硅铝合金/硅/锆/硅周期多层膜，其中硅铝合金/硅/锆/硅周期多层膜是硅铝合金薄膜层、硅薄膜层、锆薄膜层和硅薄膜层交替沉积于基底表面上。本发明与现有的铝基多层膜相比，通过在硅铝合金/锆膜层之间引入纳米厚度的硅薄膜层，抑制了硅铝合金与锆膜层之间的相互扩散，改善了多层膜的界面，有效提升了反射镜的反射率。本发明提出的这种新型的硅铝/硅/锆/硅极紫外多层膜反射镜具有成膜质量好、光学性能满足需求等优势，适用于对能谱分辨率和反射率要求均很高的极紫外光学系统。
一种铝合金紫外多层反射及其制备方法

[发明专利]一种极紫外多层膜反射镜及其制作方法-CN201310009896.5有效
发明人：张众;钟奇;王占山 -专利权人：同济大学
申请日： 2013-01-10 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： G02B5/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种极紫外多层膜反射镜及其制作方法，该反射镜包括基底、硅铝合金薄膜层及锆薄膜层，硅铝合金薄膜层和锆薄膜层依次交替的沉积在基底上，直至最上层为锆薄膜层，硅铝合金薄膜层及锆薄膜层分别设有35～40层，硅铝合金薄膜层共分为五层，从上到下依次为：硅铝合金超薄膜层、硅超薄膜层、硅铝合金超薄膜层、硅超薄膜层及硅铝合金超薄膜层；制作方法包括以下步骤：首先对基底进行清洗，然后采用直流磁控溅射方法在基底上依次镀制硅铝合金薄膜层和锆薄膜层
一种紫外多层反射及其制作方法

[发明专利]一种减反射膜及其制备方法-CN201310606352.7在审
发明人：黎宪宽;周维;孙永亮 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2013-11-26 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： B32B17/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种减反射膜，所述减反射膜包括玻璃基板及依次涂覆在玻璃基板表面的线形二氧化硅层、空心二氧化硅层和复合硅氧化物层；所述复合硅氧化物层为硅钛氧化物层、硅锆氧化物层、硅铝氧化物层、硅钛锆氧化物层、硅钛铝氧化物层、硅锆铝氧化物层和硅钛锆铝氧化物层中的一种。
一种减反射膜及其制备方法

[发明专利]配线结构和其制造方法、溅射靶材以及抗氧化方法-CN201880004475.4在审
发明人：德地成纪;高桥诚一郎;八岛勇 -专利权人：三井金属矿业株式会社
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本申请的配线结构(10)具备基板(11)、设置于基板(11)上的配线层(12)和设置于配线层(12)上的金属层(14)。配线层(12)包含铜。金属层(14)包含锆和硅，并且剩余部分由铜和不可避免的杂质构成。金属层(14)优选相对于铜、锆和硅的摩尔数的合计包含1摩尔％～33摩尔％的锆，并且包含1摩尔％～33摩尔％的硅。另外，在金属层(14)中，锆和硅的摩尔数的合计相对于上述合计优选为2摩尔％～40摩尔％。
金属层配线层配线结构摩尔数基板优选溅射靶材抗氧化申请制造

[发明专利]光信息记录介质以及用于制造该介质的方法-CN200410045805.4有效
发明人：坂上嘉孝;长田宪一;山田升;儿岛理惠;西原孝史 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-05-20 - 公布日： 2004-12-01 - 主分类号： G11B7/24 文献下载
摘要：一种光信息记录介质，具有至少两个信息层。设置在前侧(从激光入射侧观察)的第一信息层(100)至少包括：反射层(3)；相对于反射层(3)设置在激光入射侧的记录层(6)，用于产生通过施加激光束光学地进行检测的、非晶相和晶相之间的可逆变化；以及设置在反射层(3)和记录层(6)之间的介电层(50)。所述介电层50至少包括锆、硅和铬，在反射层侧的介电层(50)的锆、硅和铬的比率可以表达为：锆∶硅∶铬＝p∶q∶r(p+q+r＝100)，在记录层侧的接触面附近的介电层中的锆、硅和铬的比率可以表达为：锆∶硅∶铬＝s∶t∶u(s+t+u＝100)，并且r＜u，或t＜q。
信息记录介质以及用于制造方法

[发明专利]利用磁控溅射在硅衬底上制备氮化锆薄膜的方法-CN202011533232.5有效
发明人：高洁;杨少延;魏洁;魏鸿源;陈怀浩 -专利权人：中国科学院半导体研究所;南京佑天金属科技有限公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： C30B25/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种利用磁控溅射在硅衬底上制备氮化锆薄膜的方法，包括：将清洗后的硅衬底和金属锆靶材置于预设真空条件下的生长室中；在预设温度下对硅衬底表面进行烘烤和反溅射干式清洗预处理；对金属锆靶材表面进行射频磁控溅射预处理；利用射频磁控溅射工艺在硅衬底表面上沉积金属锆层；降低氩气流量并向生长室中通入氮气，利用反溅射工艺将沉积的金属锆层氮化形成氮化锆成核层；利用直流磁控溅射工艺，在氮化锆成核层上沉积氮化锆薄膜；关闭氩气并将衬底加热温度升至预设退火温度，在氮气的气氛条件下，对氮化锆薄膜进行退火处理；调控生长室内氮气压强，按照预设降温速率将衬底加热温度降至室温，得到氮化锆薄膜。
利用磁控溅射衬底制备氮化薄膜方法

[发明专利]一种利用磁控溅射在硅衬底上制备金属锆薄膜的方法及应用-CN202110002896.7有效
发明人：魏洁;杨少延;陈怀浩;魏鸿源 -专利权人：南京佑天金属科技有限公司;中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-01-04 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用磁控溅射在硅衬底上制备金属锆薄膜的方法，包括：1对硅衬底进行高温烘烤；2降低硅衬底温度，通入溅射气体，在第一反溅射功率下对硅衬底进行反溅射干式清洗；3在第二溅射功率下对金属锆靶材进行射频磁控溅射预处理；4在第三溅射功率下采用射频磁控溅射在硅衬底表面预沉积薄金属锆层；5通入混合气体，在第四反溅射功率下采用反溅射形成薄氮化锆成核层；6在第五溅射功率下采用直流磁控溅射进行薄氮化锆阻挡层沉积生长；7通入溅射气体，在第六溅射功率下采用射频磁控溅射沉积金属锆薄膜；8停止通入气体，对金属锆薄膜高温退火；9将硅衬底温度降至室温。该方法能够在硅衬底上实现金属锆薄膜单一择优取向高结晶质量制备。
一种利用磁控溅射衬底制备金属薄膜方法应用

[实用新型]耐高温隔热毯-CN201620240394.2有效
发明人：林飞 -专利权人：武汉鼎业环保工程技术有限公司
申请日： 2016-03-25 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了耐高温隔热毯，涉及隔热材料领域，该装置分为四层，依次为过饱和硅胶涂布层、高硅氧棉芯层、高硅氧布层、氧化锆纤维层，该耐高温隔热毯为长方形，高硅氧棉芯层内设置有钢丝加强网，过饱和硅胶涂布层、高硅氧棉芯层、高硅氧布层和氧化锆纤维层之间通过耐热硅胶粘合，氧化锆纤维层与所述高硅氧布层相连的一面上喷涂有固化剂。
耐高温隔热

[发明专利]镀膜玻璃及制备方法-CN202110487431.5在审
发明人：曾小绵;白振中 -专利权人：长兴旗滨节能玻璃有限公司;广东旗滨节能玻璃有限公司;天津旗滨节能玻璃有限公司;湖南旗滨节能玻璃有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明公开一种镀膜玻璃及制备方法，其中，所述镀膜玻璃包括基层和膜层，所述膜层包括自所述基层的表面向外依次层叠而成的五个电介质层，其中，五个所述电介质层依次包括：第一电介质层为氧化钛层、氧化铌层、硅钛氧化物层、氮化硅铝层、氧化铌锆层、氧化铌钛层或氮化硅锆铝层中的一个或多个；第二电介质层为氧化硼硅层或氧化硅铝层；第三电介质层为氧化钛层、氧化铌层、硅钛氧化物层、氮化硅铝层、氧化铌锆层、氧化铌钛层或氮化硅锆铝层中的一个或多个；第四电介质层为氧化硼硅层或氧化硅铝层；以及第五电介质层为氮化硅铝层、氧化锆层、氧化锡层或氮化硅锆铝层中的一个或多个。
镀膜玻璃制备方法

[实用新型]镀膜玻璃-CN202120936181.4有效
发明人：曾小绵;白振中 -专利权人：长兴旗滨节能玻璃有限公司;广东旗滨节能玻璃有限公司;天津旗滨节能玻璃有限公司;湖南旗滨节能玻璃有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本实用新型公开一种镀膜玻璃，包括基层和膜层，所述膜层包括自所述基层的表面向外依次层叠而成的五个电介质层，其中，五个所述电介质层依次包括：第一电介质层为氧化钛层、氧化铌层、硅钛氧化物层、氮化硅铝层、氧化铌锆层、氧化铌钛层或氮化硅锆铝层中的一个或多个；第二电介质层为氧化硼硅层或氧化硅铝层；第三电介质层为氧化钛层、氧化铌层、硅钛氧化物层、氮化硅铝层、氧化铌锆层、氧化铌钛层或氮化硅锆铝层中的一个或多个；第四电介质层为氧化硼硅层或氧化硅铝层；以及第五电介质层为氮化硅铝层、氧化锆层、氧化锡层或氮化硅锆铝层中的一个或多个。
镀膜玻璃

[发明专利]一种双层固态电解质及其制备方法和应用-CN202210773588.9在审
发明人：郭洪;王晗;孙勇疆;赵根福;段玲艳 -专利权人：云南大学
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01M10/056 文献下载
摘要：本发明涉及电解质技术领域，尤其涉及一种双层固态电解质及其制备方法和应用，所述双层固态电解质为硅磷酸锆钠陶瓷层和附着于硅磷酸锆钠陶瓷层表面的聚氧化乙烯基聚合物层；所述聚氧化乙烯基聚合物层为负载钠盐的聚氧化乙烯本发明以硅磷酸锆钠陶瓷层作为主体，所述硅磷酸锆钠陶瓷层具备较高的离子电导率，可以使钠离子更快速地在电池中传输。同时本发明采用聚氧化乙烯层依附在硅磷酸锆钠陶瓷层上，具备较好的柔韧性，当用于电池中时，可以使双层固态电解质与钠负极的接触更加紧密，从而有效降低界面电阻。
一种双层固态电解质及其制备方法应用

[发明专利]一种利用水热和熏蒸技术制备磺酸功能化的磷酸锆层柱材料的方法-CN201410069265.7有效
发明人：陈若愚;花益香;王红宁;钟璟;刘小华 -专利权人：常州大学
申请日： 2014-02-27 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： C01B25/37 文献下载
摘要：本发明属于材料制备技术领域，特别涉及一种利用水热和熏蒸技术制备磺酸功能化的磷酸锆层柱材料的方法。以十六胺预撑的层状磷酸锆为起始原料，通过溶剂化方法将硅源与模板剂协同引入磷酸锆层板间，调节pH引发层间硅源的快速水解缩聚，再通过水热法增加磷酸锆层间硅柱结构的牢固度和稳定性，过滤干燥后去除有机胺与模板剂，最后以双氧水为氧化剂，利用熏蒸氧化的技术，对反应物中的巯基进行氧化，得到磺酸功能化的氧化硅柱撑的磷酸锆层柱材料。不仅磷酸锆层板表面的P-OH酸性位得到了很好的保存，而且磺酸功能化后Bronsted酸性位增加，磷酸锆的层板结构的有序规整性也得到了良好的保存。
一种利用热和熏蒸技术制备功能磷酸锆层柱材料方法

[发明专利]一种兼具生物活性和抗低温老化的氧化锆陶瓷及其制备方法-CN202310338457.2在审
发明人：叶建东;何其轩;张文民 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C04B35/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种兼具生物活性和抗低温老化的氧化锆陶瓷及其制备方法。该方法包括：制备钙镁硅或钙硅磷溶胶；制备预烧结氧化锆陶瓷基体；制备具有抗低温老化的氧化锆过渡层陶瓷生膜；制备具有多孔表层的氧化锆陶瓷；通过负压渗透法，使钙镁硅或钙硅磷溶胶渗透入多孔表层中，经干燥后进行热处理本发明通过将生物活性物质负载在氧化锆多孔表层的结构中，提升氧化锆陶瓷的生物活性；通过构建抗低温老化过渡层，改善了氧化锆陶瓷抗低温老化能力，保证了材料的长期稳定性；多孔表层、抗低温老化过渡层与氧化锆基体结合后一步烧成
一种兼具生物活性低温老化氧化锆陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种环保无磷金属表面硅锆复合膜层及其制备与应用-CN202010152757.8在审
发明人：蒋继波;唐佳斌;陈宇凯;丛海山;胡晓敏;王露露;孙瑶馨;韩霏;张悦瑶;韩生 -专利权人：上海应用技术大学
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： C09D183/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种环保无磷金属表面硅锆复合膜层及其制备与应用，复合膜层的制备方法包括以下步骤：1)将硅锆复合膜层制备溶液搅拌2‑4h后，静置以充分水解；2)将金属置于步骤1)中的溶液中进行成膜反应，之后取出金属，并对金属表面进行烘干固化，即得到附着在金属表面的硅锆复合膜层。与现有技术相比，本发明在金属表面制备的硅锆复合膜层中，膜层光滑致密，流平性能好，膜层透明可以看到基底，可应用于工业中，提高金属的耐腐蚀性能，在部分领域可以取代磷化的效果。
一种环保金属表面复合及其制备应用

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN02800849.9无效
发明人：森胁将;丹羽正昭;久保田正文 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2002-02-06 - 公布日： 2003-12-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件以及其制造方法，包括：在硅衬底100上造成硅酸锆层103，同时在硅酸锆层103上造成锆氧化物层102，然后除去该锆氧化物层102，从而造成由硅酸锆层103所构成的栅极绝缘膜104
半导体器件及其制造方法

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