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[发明专利]半导体器件的制造方法-CN200310113827.5无效
发明人： 久保田正文;林重德 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2003-10-31 - 公布日： 2004-06-16 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法。其目的是将由金属氧化物构成的高电介质膜应用于栅绝缘膜或者电容绝缘膜中。在半导体衬底(11)的元件形成区域上，形成由氧化硅构成的底层绝缘膜(13)、由氧化铪构成的栅绝缘膜(14)、由多晶硅构成的栅电极(15)及由氧化硅构成的侧壁(18)，在半导体衬底(11)中的元件形成区域的上部上分别由注入形成源－漏区(17)及扩展区(16)。然后，调整半导体衬底(11)的扫描速度、激光的脉冲间隔及峰值功率，进行0.1秒钟的激光照射，使得仅在半导体衬底(11)的表面附近的温度为1150℃～1250℃那样，进行对栅绝缘膜(14)的热处理及对源－漏区(17)的热处理。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN02800849.9无效
发明人：森胁将;丹羽正昭;久保田正文 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2002-02-06 - 公布日： 2003-12-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件以及其制造方法，包括：在硅衬底100上造成硅酸锆层103，同时在硅酸锆层103上造成锆氧化物层102，然后除去该锆氧化物层102，从而造成由硅酸锆层103所构成的栅极绝缘膜104。
半导体器件及其制造方法