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[发明专利]一种硅化镁的生产设备及方法-CN201010279620.5有效
发明人：梁正;徐泽夕;周晓燕;沈敏;王采蓓;林玉克;林永兴 -专利权人：化学工业第二设计院宁波工程有限公司;浙江中福硅能有限公司
申请日： 2010-09-13 - 公布日： 2010-12-29 - 主分类号： C01B33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅化镁的生产设备及方法，特点是将真空泵、硅镁转运罐、硅镁收料罐依次连接，硅镁收料罐通过进料阀与硅镁反应器连接，硅镁反应器的内部依次分为预热段、隔热段、引发段、反应移热段和补加热段，硅镁反应器依次连接粉碎器和硅镁冷却器再与硅化镁储罐连接，将整个生产设备抽真空充入保护气体，将硅粉与镁粉按(1.0～1.5)：2的摩尔比混合加入硅镁转运罐，再送入硅镁收料罐，打开进料阀，将硅镁混合料连续加入硅镁反应器，控制反应温度在550℃以下生成硅化镁，再依次通过粉碎器和硅镁冷却器进入硅化镁储罐
一种硅化镁生产设备方法

[发明专利]晶体硅及其制备方法-CN201310178470.2有效
发明人：武鹏;胡亚兰;游达;郑玉芹;徐岩;郑循强 -专利权人：江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
申请日： 2013-05-14 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： C30B11/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶体硅的制备方法，包括以下步骤：在坩埚底部中央铺设填充料，在填充料上铺设单晶硅籽晶，形成单晶硅籽晶层，在填充料和单晶硅籽晶层的四周铺设多晶硅块，形成多晶硅籽晶层；在单晶硅籽晶层和多晶硅籽晶层上设置熔融状态的硅料，控制坩埚内的温度，在单晶硅籽晶层熔化10%～90%时进入长晶阶段；控制长晶时的温度，在垂直于坩埚底部方向形成由下向上逐步升高的温度梯度，使熔化的硅液沿单晶硅籽晶的晶向方向定向凝固，得到中间为单晶硅边缘为多晶硅的晶体硅，上述方法减少了单晶硅籽晶的用量，提高了边缘硅片的转换效率。还提供了一种通过该方法制得的晶体硅。
晶体及其制备方法

[发明专利]一种利用太阳能硅片切割的废硅料制备金属硅的方法-CN201611219678.4有效
发明人：孙毅;夏军;杨正宏;刘创;吕本会 -专利权人：平顶山易成新材料有限公司
申请日： 2016-12-26 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明公开一种利用太阳能硅片切割的废硅料制备金属硅的方法，包括以下步骤：步骤一、废硅料经板框压滤得到固体滤饼，再将固体滤饼粉碎成硅粉；步骤二、将硅粉放入双锥回转干燥机进行干燥处理，控制含水率在0.5%以内；步骤三、将干燥后的硅粉送入对辊挤压造粒机进行造球，然后再次放入对辊挤压造粒机进行造球，得到废硅料球；步骤四、取金属硅块放入熔炼炉中进行起熔，待金属硅块溶化后加入废硅料球进行冶炼，得到硅液；步骤五、将硅液进行冷却造型，得到硅锭；步骤六、用破碎机将硅锭破碎成需要的粒径，得到金属硅颗粒，干燥、包装，即可得到金属硅成品。本发明的方法能够节约传统工艺一半以上的能耗，最终得到的金属硅成品纯度≥99.5%。
一种利用太阳能硅片切割废硅料制备金属硅方法

[实用新型]一种除硅粉装置和多晶硅包装设备-CN201922360718.2有效
发明人：柴玉齐;宋高杰;陈卫卫;曲雁鹏;孙运德;马丽丽;宋玲玲 -专利权人：新疆新特晶体硅高科技有限公司
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： B65B37/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种除硅粉装置，包括第一管道、第二管道和抽风组件，第一管道的抽风口设置在料仓口边缘，且位于料仓口与硅料输送系统的卸料口之间的间隙位置，用于抽走进入料仓口的硅料上的硅粉，所述第二管道与所述第一管道连通相应地，还提供一种包含除硅粉装置的多晶硅包装设备，可以解决多晶硅装袋过程中去除硅粉不够彻底的问题。
一种装置多晶包装设备

[发明专利]一种多晶硅棒破碎装置及其破碎方法-CN201811385078.4在审
发明人：李强;白忠学;陈立军;白喜军;王雪峰 -专利权人：宁夏隆基硅材料有限公司
申请日： 2018-11-20 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： B02C19/18 文献下载
摘要：本发明提供的一种多晶硅棒破碎装置，包括壳体、盛料篮和冷却介质；壳体顶端开口；盛料篮用于放置多晶硅棒，盛料篮的开口方向与壳体的开口方向一致，并放置于壳体内，盛料篮的非开口面上开设有若干通孔，盛放于壳体内的冷却介质通过通孔流入或流出盛料篮，冷却介质与放置于盛料篮中的多晶硅棒接触，利用冷却介质与多晶硅棒的温度差，使多晶硅棒破碎，冷却介质与多晶硅棒的温度差至少为70摄氏度。本发明利用冷却介质与多晶硅棒的温度差实现破碎，破碎效率高且无金属污染。本发明还涉及一种多晶硅棒破碎方法。
多晶硅棒冷却介质盛料篮破碎温度差开口方向破碎装置壳体通孔开口体内金属污染壳体顶端盛放流出

[发明专利]多晶硅自动破碎包装设备-CN201410375290.8有效
发明人：石何武;孙强;杨永亮;严大洲;毋克力 -专利权人：中国恩菲工程技术有限公司
申请日： 2014-07-31 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： B65B65/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅破碎包装设备。所述多晶硅破碎包装设备包括：破碎装置，破碎装置包括破碎台和破碎锤，破碎台限定出破碎硅料腔，破碎硅料腔的顶壁形成为破碎格栅，破碎硅料腔具有破碎硅料出料口，破碎锤可移动地设在破碎台上且与破碎格栅相对；分拣装置，分拣装置设在破碎装置的下游且包括分拣平台框架、硅料输送带、袋料输送带和条码打印机；输送装置，输送装置设在破碎装置与分拣装置之间；封口装置，封口装置设在分拣装置的下游；和装箱装置，装箱装置设在封口装置的下游根据本发明实施例的多晶硅破碎包装设备具有自动化程度高、生产效率高等优点。
多晶自动破碎包装设备

[实用新型]多晶硅自动破碎包装设备-CN201420430763.5有效
发明人：石何武;孙强;杨永亮;严大洲;毋克力 -专利权人：中国恩菲工程技术有限公司
申请日： 2014-07-31 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： B65B65/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多晶硅破碎包装设备。所述多晶硅破碎包装设备包括：破碎装置，破碎装置包括破碎台和破碎锤，破碎台限定出破碎硅料腔，破碎硅料腔的顶壁形成为破碎格栅，破碎硅料腔具有破碎硅料出料口，破碎锤可移动地设在破碎台上且与破碎格栅相对；分拣装置，分拣装置设在破碎装置的下游且包括分拣平台框架、硅料输送带、袋料输送带和条码打印机；输送装置，输送装置设在破碎装置与分拣装置之间；封口装置，封口装置设在分拣装置的下游；和装箱装置，装箱装置设在封口装置的下游根据本实用新型实施例的多晶硅破碎包装设备具有自动化程度高、生产效率高等优点。
多晶自动破碎包装设备

[发明专利]一种多晶硅铸锭的制备方法-CN201510112780.3在审
发明人：明亮;段金刚;黄美玲;谭晓松;瞿海斌;陈国红;蔡先武 -专利权人：湖南红太阳光电科技有限公司
申请日： 2015-03-13 - 公布日： 2015-06-17 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种多晶硅铸锭的制备方法，该方法包括以下步骤：(1)在去离子水中加入粘结剂、分散剂和纯度大于99.9％、粒径为1～5000μm的硅颗粒，搅拌均匀得到浆料，其中硅颗粒占浆料的质量百分数不低于50％；(2)在内表面设有氮化硅涂层的石英坩埚内，将所述浆料喷涂、辊涂或刷涂在氮化硅涂层表面，形成1～10mm的浆料层，干燥得到硅涂层坩埚；(3)将所述硅涂层坩埚装上硅料，送入多晶硅铸锭炉，经抽真空后，对硅料加热，硅料全部熔化后，使硅料熔液降温进行多晶硅生长，多晶硅生长完成后，经退火冷却得到多晶硅铸锭。将本发明得到的多晶硅铸锭制成的太阳能电池，硅片的平均电池效率超过18％。
一种多晶铸锭制备方法

[发明专利]多晶硅铸锭硅真空固液分离方法及分离设备-CN201310210006.7有效
发明人：谭毅;石爽;任世强;姜大川 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2013-05-31 - 公布日： 2013-08-28 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明提供一种多晶硅铸锭硅真空固液分离方法及分离设备。本发明多晶硅铸锭硅真空固液分离方法包括以下步骤：将硅料在容器内熔化成熔融硅料；拉锭至熔融硅料中硅料长晶率达到80~90%时，抽真空使熔融硅料表面形成凝固壳体；通过压杆挤压壳体，所述壳体内部硅液在压力作用下沿着壳体和容器接触缝隙处或者壳体上较薄弱的地方被挤压出，待硅液全部被挤出停止压杆挤压壳体，被挤出硅液在壳体之上凝固，实现上部富集杂质铸锭和下部较高纯度铸锭的分离。本发明在保证富集杂质硅液与高纯度铸锭的分离的同时，抑制反向扩散，同时方便切除富集杂质的铸锭，提高多晶硅生产中的出成率。
多晶铸锭真空分离方法设备

[发明专利]一种多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片-CN201210096232.2有效
发明人：何亮;胡动力;张涛;雷琦;万跃鹏 -专利权人：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
申请日： 2012-04-01 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅锭的制备方法，该制备方法包括在坩埚内壁涂上氮化硅层后，在坩埚内从下至上填装硅料；加热使坩埚内硅料熔化形成硅熔体，当硅熔体与未熔化的硅料所形成的固液界面接近坩埚底面时，调节热场形成过冷状态，使硅熔体在不完全熔化的硅料基础上开始长晶；待全部硅熔体结晶完后，经退火冷却得到多晶硅锭。采用该制备方法能使多晶硅锭得到良好的初始形核，降低多晶硅锭在生长过程中的位错繁殖。本发明还同时公开了一种通过该制备方法获得的多晶硅锭，以及以所述多晶硅锭为原料制得的多晶硅片。
一种多晶及其制备方法硅片

[发明专利]一种多晶硅碳头料的处理溶液及处理方法-CN201910099687.1在审
发明人：张川川;甘居富;游书华;彭中;王亚萍 -专利权人：内蒙古通威高纯晶硅有限公司
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： B08B3/08 文献下载
摘要：本发明公开一种多晶硅碳头料的处理溶液及处理方法，能够迅速有效处理多晶硅碳头料，实现硅碳分离，减少硅料损耗，降低生产成本；所述处理溶液由浓硝酸、浓硫酸、高锰酸钾和氯酸钠组成；所述处理方法包括：(1)将多晶硅碳头料放入处理溶液中浸泡
多晶硅碳头料处理溶液高锰酸钾超声清洗硅碳分离有效处理氯酸钠浓硫酸浓硝酸放入硅料烘干脱酸脱水浸泡清洗

[发明专利]一种基于机器视觉的硅料分拣系统-CN201910257221.X有效
发明人：石坚;朱棣;李杰;于友;刘世伟 -专利权人：山东九思新材料科技有限责任公司
申请日： 2019-04-01 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： B07C5/342 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于机器视觉的硅料分拣系统，包括第一输送装置、控制系统以及用于铺平上料的给料装置；所述的第一输送装置，配设有用于实时采集第一输送装置输送的待分拣的硅料的RGB图像的第一机器视觉图像采集装置、以及用于吸取第一输送装置上输送的待分拣的硅料中的异常料的第一异常料分拣装置。该硅料分拣系统还包括第二输送装置，以及与第二输送装置和第一输送装置配合使用的弧形换向板；第二输送装置配设有沿其输送方向依次分布的第二机器视觉图像采集装置和第二异常料分拣装置。本发明用于提高硅料分拣的效率、以及降低硅料分拣的漏检几率。
一种基于机器视觉分拣系统

[实用新型]一种硅料清洗装置-CN201520418893.1有效
发明人：杨刚 -专利权人：重庆大全新能源有限公司
申请日： 2015-06-17 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： B08B13/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种硅料清洗装置，包括：第一下支撑部，用于支撑竖直放置的边皮硅料的底部；第一侧支撑部，用于支撑竖直放置的所述边皮硅料的侧部；连接部，用于固定所述第一下支撑部和所述第一侧支撑部。本申请提供的上述硅料清洗装置，能够使边皮料在竖直放置的状态下进行清洗，这就省去了边皮料翻转的过程，提升了工作效率，且清洗后的边皮料在竖直状态下直接晾干，由于残余砂浆在重力作用下更容易脱离边皮料而落下，因此使砂浆残余减少，从而使硅料清洗更彻底，提高了硅料清洗的质量。
一种清洗装置

[发明专利]一种硅的提纯方法-CN201611115378.1在审
发明人：俞豪威;梁庭卫 -专利权人：安徽爱森能源有限公司
申请日： 2016-12-07 - 公布日： 2018-01-16 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明的目的是一种硅的提纯方法，其特征在于，该提纯的工艺包括以下步骤(1)硅料表面清理，将待提纯的硅料的表面通过碳酸氢钠溶液进行清洗，然后放置在阴凉通风处进行表面干燥；(2)硅料加热，将待提纯的置于封闭的提纯箱内后抽成真空；(3)硅料提纯，将硅料熔体的表面温度达到830—850℃时，在通过析出进行提纯，然后将析出的高纯度的硅料结晶进行进行缓慢加热，且加热的速度随结晶量的增加进行调整，使结晶成型并且进行收集；(4)冷却回温处理，以提高硅的纯度，以更好的满足太阳能电池板对硅的纯度要求，同时又能够降低提纯的成本，提高太阳能发电的经济效益。
一种提纯方法

[发明专利]一种各向同性硅碳负极材料及其制备方法和应用-CN202111316780.7有效
发明人：刘锐剑;金海侹;吕猛;胡博;蔡新辉 -专利权人：湖州启源金灿新能源科技有限公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C01B33/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种材料，特别涉及一种各向同性硅碳负极材料及其制备方法和应用。各向同性硅碳负极材料的中值粒径：D50＝5～12um，满电反弹值小于20.1％，2C容量保持率大于67.3％。制备方法包括如下步骤：(1)改性硅材料；(2)硅复合造粒：取β树脂与改性硅材料进行混捏，得到硅复合料；(3)硅复合料低温碳化；(4)将得到的低温碳化料，进行粉碎处理，得到粉碎料；取表面改性剂，对粉碎料进行表面改性处理，得到改性料；(5)改性料高温碳化、筛分：将改性料放置于碳炉中，在氮气气氛下，进行高温碳化处理，自然降温进行筛分。采用本发明制备的硅碳材料，具备明显的颗粒各向同性结构及整体结构稳定性，达到硅碳材料具备快充和低膨胀的效果。
一种各向同性负极材料及其制备方法应用