专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]石墨电极及其制备方法、显示面板-CN201710253384.1在审
  • 郭康 - 京东方科技集团股份有限公司
  • 2017-04-18 - 2017-06-13 - G02F1/1343
  • 本发明提供一种石墨电极的制备方法及由该方法制得的石墨电极、应用该石墨电极的显示面板。该制备方法依序包括在生长基底上生长石墨薄膜、在石墨表面沉积牺牲薄膜、将石墨‑牺牲薄膜从生长基底到目标基板的转移及对石墨‑牺牲薄膜进行图案化处理并去除所述牺牲薄膜等步骤,通过在石墨表面沉积牺牲薄膜而实现对聚合物与石墨的隔离,避免了图案化工艺完成后聚合物在石墨表面的残留,保证石墨电极具有良好的光电特性。
  • 石墨电极及其制备方法显示面板
  • [实用新型]石墨散热膜-CN201320700656.5有效
  • 周旭峰;刘兆平;王玉琼 - 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
  • 2013-11-06 - 2014-04-09 - H05K7/20
  • 本实用新型提供了一种石墨散热膜,包括:含有石墨的散热和复合在所述含有石墨的散热上的离型纸。所述离型纸对于含有石墨的散热具有支撑作用,由于离型纸的大小尺寸可控,因此与其设置在一起的含石墨的散热也尺寸可控。其次,离型纸对于含有石墨的散热具有保护作用,避免了含有石墨的散热边缘破损。再次,由于离型纸具有一定的柔性,因此形成的石墨散热膜可以卷曲储存。使用时,玻璃离型纸,将含石墨的散热贴合于电子器件上即可,使用方便,适用范围广。
  • 石墨散热
  • [实用新型]石墨护套的绝缘电缆-CN201520423902.6有效
  • 闫立群 - 无锡碳世纪科技有限公司
  • 2015-06-17 - 2016-01-06 - H01B7/28
  • 本实用新型公开了一种带石墨护套的绝缘电缆,包括铜导体、石墨、绝缘、护套和氧化石墨,所述铜导体的表面包覆有所述石墨,所述石墨的表面包覆有所述绝缘,所述绝缘的表面包覆有所述护套,所述护套的外表面包覆有所述氧化石墨通过上述方式,本实用新型的带石墨护套的绝缘电缆,在护套外包覆氧化石墨并在铜导体表面用石墨包覆层代替传统的镀锡,可以有效解决护套容易老化的问题及镀锡存在的不足之处。
  • 石墨护套绝缘电缆
  • [发明专利]在触点处具有石墨界面层的石墨FET-CN202310397200.4在审
  • 路易吉·科隆博;阿尔莎娜·韦努戈帕尔 - 德州仪器公司
  • 2016-11-07 - 2023-07-04 - H01L29/06
  • 本公开涉及在触点处具有石墨界面层的石墨FET。在所描述实例中,一种用于形成石墨FET的方法(100)包含提供(101)具有石墨表面的石墨。在石墨表面上沉积(102)具有功函数(WF)4.3eV的第一金属。氧化(103)第一金属以形成第一金属氧化物。蚀刻(104)第一金属氧化物以提供包含石墨中用于提供石墨表面源极和漏极触点的第一和第二区域的敞开表面接触区域。沉积(105)第二金属,第二金属包含在石墨表面源极触点上提供具有源极触点的源极的第二金属部分和在石墨表面漏极触点上提供具有漏极触点的漏极的第二金属部分。在源极触点与石墨表面源极触点之间的界面处和在漏极触点与石墨表面漏极触点之间的界面处形成(106)生长石墨
  • 触点具有石墨界面fet
  • [发明专利]一种多层石墨的制备方法-CN201410725258.8有效
  • 张云云 - 北汽福田汽车股份有限公司
  • 2014-12-03 - 2017-01-25 - C01B31/04
  • 本发明公开了一种多层石墨的制备方法,生成第一石墨后,生成其他石墨前包括在控制温度为1000℃下,通入800sccm氩气的步骤。优选地,生成第一石墨后,生成其他石墨前通入氩气,保持氩气气氛30‑60min。以高温氩气辅助生长多层石墨,通过高温氩气处理前一石墨从而促进石墨的再次成核,一方面可以有效的对金属铜表面进行钝化,极大地抑制了第二次生长时空白铜表面的成核,另一方面,氩气可以对已经生长的第一石墨表面进行活化,降低二次成核时所需要的能量势垒,促使第一石墨上第二石墨更有效的成核和生长,合理的调节相邻两石墨的生长时间节点,得到了多层石墨
  • 一种多层石墨制备方法
  • [发明专利]一种石墨复合泡沫金属及其制备方法-CN201610280667.0有效
  • 徐海波;周泉竹 - 徐海波
  • 2016-04-29 - 2020-09-11 - B05D7/14
  • 本发明提供了一种石墨复合泡沫金属及其制备方法。该制备方法包括以下步骤:将泡沫金属浸泡于含有氧化石墨量子点与石墨构成的复合纳米材料的分散液中,排除泡沫金属孔隙中残留的空气后,去除其表面上的溶剂;或者将泡沫金属加热后浸泡于上述分散液中,待其冷却后去除表面上的溶剂;使复合纳米材料包覆在泡沫金属表面上,形成由氧化石墨量子点与石墨构成的石墨,得到该石墨复合泡沫金属。该石墨复合泡沫金属包括泡沫金属基底和泡沫金属基底表面上的石墨,该石墨是由氧化石墨量子点与石墨构成的,其具有石墨的尺寸和性能可控,显著抑制石墨间堆叠作用,石墨与泡沫金属基底间的结合力高等优点
  • 一种石墨复合泡沫金属及其制备方法
  • [发明专利]一种转移石墨薄膜的方法-CN201910622974.6有效
  • 沈长青;李雪松;青芳竹 - 电子科技大学
  • 2019-07-11 - 2023-01-03 - C01B32/194
  • 本发明公开了一种转移石墨薄膜的方法,属于石墨薄膜制备技术领域。其包括以下步骤:将PMMA旋涂到生长有石墨的金属基底上,形成具有PMMA/石墨/金属基底的第一结构,将金属刻蚀掉并进行多次清洗;将具有PMMA/石墨的第二结构覆盖在新生长有目标石墨的金属基底上,形成具有PMMA/石墨/目标石墨/金属基底的第三结构,将金属刻蚀掉并进行多次清洗;将具有PMMA/石墨/目标石墨的第四结构置于目标基底上后对其加热,将第二结构从目标石墨上揭起,将目标石墨转移到目标基底上本发明转移石墨薄膜的方法,其操作简单,转移后的石墨薄膜其转移质量高、洁净度高、完整性好且无有机物残留,且PMMA/石墨作为支撑可多次重复使用。
  • 一种转移石墨薄膜方法
  • [实用新型]一种石墨假发-CN201921954434.X有效
  • 林新福 - 义乌市丝黛文化创意有限公司
  • 2019-11-13 - 2020-08-04 - A41G3/00
  • 本实用新型公开了一种石墨假发,包括发丝本体,及设置于发丝本体外表面的耐热,所述耐热包括耐温拒油层、石墨高分子粘结石墨散热和纤维保护,所述纤维保护设置于发丝本体表面上,所述石墨散热设置于纤维保护上,所述石墨高分子粘结设置于石墨散热上,所述耐温拒油层设置于石墨高分子粘结上。由于所述石墨假发在发丝本体外表面设置了耐热,耐热中设置的耐温拒油层能有效的保护假发不收外界污染;石墨高分子粘结石墨散热的设置,让假发具有很好的散热效果;纤维保护可以保护假发不分叉开裂,
  • 一种石墨假发
  • [发明专利]自生长石墨电极发光二极管及其制备方法-CN201410187487.9有效
  • 杨连乔;冯伟;顾文;张建华 - 上海大学
  • 2014-05-06 - 2017-01-04 - H01L33/40
  • 本发明公开了一种自生长石墨电极发光二极管及其制备方法,依次由衬底层、第一半导体、有源、第二半导体、金属插入石墨电极结合形成,通过金属插入作为CVD法制备石墨电极的催化剂,实现石墨的自生长,使金属插入石墨电极石墨材料形成石墨复合电极。本发明方法采用石墨薄膜与金属插入形成复合电极,并置于依次由衬底、导体、有源和半导体形成体系之上,组成完整的器件结构。本发明采用金属插入作为催化剂,实现CVD法石墨电极的自生长,借助于金属插入与半导体及石墨间的良好接触特性提高器件的界面特性,并通过金属插入改善石墨与半导体间的电荷注入,优化器件的性能。
  • 生长石墨电极发光二极管及其制备方法

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