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- [发明专利]电容器结构及其制造方法-CN201010111332.9有效
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梁擎擎;钟汇才
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中国科学院微电子研究所
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2010-02-10
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2011-08-10
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H01L29/92
- 本申请公开了一种电容器结构及其制造方法,该电容器结构包括:在衬底上形成的多个叠层电容器,每一个叠层电容器包括顶极板、底极板和夹在二者之间的电介质,以及用于将所述多个叠层电容器并联连接的电容器第一电极和电容器第二电极,其中,所述多个叠层电容器包括交替堆叠的第一叠层电容器和第二叠层电容器,每一个第一叠层电容器的底极板与位于其下方的第二叠层电容器的顶极板由公共的第一电极层形成,每一个第二叠层电容器的底极板与位于其下方的第一叠层电容器的顶极板由公共的第二电极层形成,其中,所述第一电极层和所述第二电极层由不同的导电材料组成。该电容器结构减小了芯片占用面积,可应用于模拟电路、射频电路或嵌入式存储器中的集成电容器中。
- 电容器结构及其制造方法
- [实用新型]一种四象限防爆变频器机芯-CN201320654235.3有效
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高齐
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武汉合康防爆电气有限公司
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2013-10-23
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2014-05-07
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H02M1/00
- 本实用新型公开了一种四象限防爆变频器机芯,三相功率模块固定于整流基板上,三相功率模块分别通过对应的功率模块叠层母排与整流R相、整流S相、整流T相相连,相应的功率模块叠层母排通过整流电容叠层母排与整流电容相连,整流电容和整流电容叠层母排位于功率模块叠层母排外侧;三相功率模块固定于逆变基板上,三相功率模块分别对应的功率模块叠层母排与逆变U相、逆变V相和逆变W相相连,相应的功率模块叠层母排通过逆变电容叠层母排与逆变电容相连,逆变电容和逆变电容叠层母排位于功率模块叠层母排外侧;整流电容叠层母排通过直流母排与逆变电容叠层母排相连。
- 一种象限防爆变频器机芯
- [发明专利]存储器件及其制造方法-CN201010157573.7有效
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梁擎擎;钟汇才
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中国科学院微电子研究所
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2010-04-21
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2011-11-09
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H01L27/108
- 本发明公开了一种存储器件及其制造方法,所述存储器件包括在半导体层中形成的MOSFET,以及位于MOSFET下方的电容器结构,所述电容器结构包括两个电容器电极,所述MOSFET的源区和漏区之一与所述两个电容器电极之一电连接,其中,所述电容器结构包括交替堆叠的多个第一叠层电容器和多个第二叠层电容器,所述多个第一叠层电容器和所述多个第二叠层电容器各自包括上极板、下极板和夹在二者之间的电介质层,所述多个第一叠层电容器和所述多个第二叠层电容器通过所述两个电容器电极并联连接,并且所述多个第一叠层电容器中的每一个的下极板与位于其下方的第二叠层电容器的上极板由公共的第一电极层形成,所述多个第二叠层电容器中的每一个的下极板与位于其下方的第一叠层电容器的上极板由公共的第二电极层形成,其中,所述第一电极层和所述第二电极层由不同的导电材料组成。
- 存储器件及其制造方法
- [发明专利]叠层电容器及其制作方法、存储设备-CN202310206683.5在审
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陈耿川
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芯合半导体公司
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2023-03-06
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2023-05-26
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H01L23/64
- 本发明涉及叠层电容器及其制作方法、存储设备。所述制作方法形成的叠层电容器连接电容连接节点,所述叠层电容器包括多层鳍片结构,所述多层鳍片结构包括水平鳍片和纵向鳍片。第一导电层覆盖所述多层鳍片结构表面从而第一导电层的表面面积较大,电容介电层覆盖第一导电层表面,第二导电层覆盖电容介电层,从而所述叠层电容器的电容量较大,便于满足需求。此外,所述制作方法在形成叠层膜后,采用自对准非等向性蚀刻以及等向性蚀刻处理所述叠层膜以获得所述多层鳍片结构,不需要光罩,也不需要进行额外的沉积工艺,制造成本较低。所述存储设备包括上述叠层电容器。
- 电容器及其制作方法存储设备
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