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[发明专利]一种用于培育铁皮石斛的培养基及其制作方法-CN201611009030.4在审
发明人：倪石寿;吴应军 -专利权人：贵州绿健神农有机农业股份有限公司
申请日： 2016-11-16 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： A01G31/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于培育铁皮石斛的培养基及其制备方法，所述培养基主要由柠檬酸、蛋白胨、马铃薯、香蕉、琼脂、麦冬、五味子、红花和赤芍制成。用本发明培养基培养铁皮石斛时，组培苗生长好，生长值和增殖率高。
一种用于培育铁皮石斛培养基及其制作方法

[发明专利]细胞培养基-CN201210431212.6有效
发明人：凯文·艾伦·达穆尔;艾伦·D·阿古尼克;苏珊·埃利泽;伊曼纽尔·E·贝特格 -专利权人：韦尔赛特公司
申请日： 2005-04-26 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： C12N5/071 文献下载
摘要：本文公开了一种培养基，其包含第一培养基和第二培养基，所述第一培养基包含血清和至少一种生长因子，所述生长因子选自TGFβ超家族的Nodal/活化素亚族、TGFβ超家族的BMP亚族或Wnt家族成员，其中所述第一培养基从培养皿中移出时，将所述第二培养基加入到培养皿中，所述第二培养基含有类视黄醇。
细胞培养基

[发明专利]一种生长氮化镓晶体的复合衬底及其制备方法-CN201510959527.1有效
发明人：陈庆;孙丽枝;叶任海 -专利权人：曹胜伟
申请日： 2015-12-21 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及用于半导体材料外延生长的衬底，特别涉及一种生长氮化镓晶体的复合衬底及其制备方法。该复合衬底材料由掺杂蓝宝石基底和覆盖在掺杂蓝宝石基底上的导电层组成，其中掺杂蓝宝石基底由石墨烯和稀土金属掺杂蓝宝石组成，导电层是含有高熔点金属或合金的薄片，通过真空处理使导电层与掺杂蓝宝石基底键合在一起，冷却即得生长氮化镓晶体的复合衬底本发明采用掺杂改性的蓝宝石作为基底，解决了普通蓝宝石衬底用于生长氮化镓基半导体材料存在的晶格不匹配及热失配等问题，从而降低了现有氮化镓基半导体生长衬底的成本，同时提高了其后续生长的氮化镓基半导体材料的质量
一种生长氮化晶体复合衬底及其制备方法

[发明专利]培育耐盐耐低温长春花株系快速繁殖的方法-CN201210118997.1无效
发明人：倪迪安;倪新忠 -专利权人：上海安体康生植物化学有限公司
申请日： 2012-04-23 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： A01H4/00 文献下载
摘要：本发明以制备长春花生长培养基、诱导生长培养基和耐盐耐低温筛选培养基为基础，并以野生长春花叶片为原始材料诱导出无菌苗，经过无菌苗快速繁殖及多代诱导驯化，建立了适合耐盐耐低温长春花株系培育系统，耐盐耐低温长春花株系的生物碱含量比野生长春花要高本发明的优点是：(一)培育过程完全可控，不受自然环境的影响；(二)耐盐耐低温长春花可在盐碱滩涂正常生长；（三）延长了长春花在长江流域的生长期、增加了长春花的生物量。
培育耐盐耐低温长春花快速繁殖方法

[发明专利]磷化铟基量子级联半导体激光器材料的结构及生长方法-CN200410057151.7无效
发明人：郭瑜;刘峰奇;李成明;刘俊岐;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-08-27 - 公布日： 2006-03-01 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：一种磷化铟基量子级联半导体激光器材料的生长方法，包括如下生长步骤：利用分子束外延技术首先在磷化铟衬底上分别生长铟镓砷和铟铝砷层，最终得到与衬底匹配的铟镓砷和铟铝砷层中In、Ga及In、Al的束流值；然后在磷化铟衬底上生长匹配的多层铟镓砷或铟铝砷的N型掺杂台阶，得到生长磷化铟基铟镓砷/铟铝砷量子级联激光器材料时各外延层所需的掺杂浓度对应的Si源炉温度；最后在磷化铟衬底上依次生长晶格匹配的下波导层、有源区、上波导层、上包层、接触层以及欧姆接触层，得到磷化铟基铟镓砷
磷化量子级联半导体激光器材料结构生长方法

[发明专利]一种日本扁柏初代培养方法-CN201710392118.7在审
发明人：周余华;巫建新;刘春风;王红梅;裴新国;席映雪 -专利权人：江苏农林职业技术学院
申请日： 2017-05-27 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： A01H4/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种日本扁柏初代培养方法，该培养方法利用不同种类并含有不同浓度生长激素的初代培养基对日本扁柏外植体进行组织培养，通过观察不同种类初代培养基搭配不同浓度生长激素对外植体分枝数和生长量的影响，最终得到日本扁柏外植体的最优培养基种类以及最佳生长激素浓度本发明组织培养方法有效解决了日本扁柏组织培养中生长速度慢、不易形成愈伤组织的问题，从而实现了采用无性繁殖手段大规模繁殖日本扁柏，有助于日本扁柏在园林绿化中大面积广泛应用。
一种日本扁柏培养方法

[发明专利]用于使真菌菌丝体生长并且从其形成可食用产品的方法-CN201980038225.7在审
发明人： T·休金斯;J·怀特利 -专利权人：能值股份有限公司
申请日： 2019-06-07 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： A61K31/573 文献下载
摘要：使真菌菌丝体生长并且形成可食用食品的方法包括使真菌细胞在生长培养基中生长，从而使得所述真菌细胞产生菌丝体。所述生长培养基包含糖、含氮化合物和含磷酸根化合物。将所述菌丝体与所述生长培养基分开。
用于真菌菌丝体生长并且形成可食用产品方法

[发明专利]人脂肪间充质干细胞的无血清培养基及其制备方法-CN201510505096.1有效
发明人：王一飞;程江;王巧利;廖晓凤 -专利权人：广东美赛尔细胞生物科技有限公司
申请日： 2015-08-18 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： C12N5/0775 文献下载
摘要：本发明提供人脂肪间充质干细胞的无血清培养基，包括DMEM基础培养基，还包括如下组分：L‑谷氨酰胺、胰岛素样生长因子、表皮生长因子、转化生长因子、血小板源性生长因子、成纤维细胞生长因子、转铁蛋白、维生素C本发明属于干细胞技术领域，本发明提供的人脂肪间充质干细胞的无血清培养基，能促进脂肪间充质干细胞的快速贴壁和快速增殖，保持良好的干细胞幼稚形态和干细胞特性。
脂肪间充质干细胞血清培养基及其制备方法

[实用新型]立体种植食用菌的大容量生长室-CN201020284130.X有效
发明人：杨超庆 -专利权人：洛阳佳嘉乐农业产品开发有限公司
申请日： 2010-08-06 - 公布日： 2011-03-16 - 主分类号： A01G1/04 文献下载
摘要：立体种植食用菌的大容量生长室，属于食用菌生长室技术领域，为钢骨架结构，在生长室内设有与立柱连接的隔层，隔层与地基之间为培养基悬挂室，所述的立柱呈阵列式分布，在每排立柱上均连接有培养基悬挂轨道。本实用新型，生长室整体采用钢骨架结构，其外层设置保温墙体，结构简单，实用方便，和一般生长设施相比之下，具有节能降耗的功能，因此为企业节省了费用，提高市场竞争力；而且立体种植培养基可充分利用空间资源，大大提高了空间的利用率
立体种植食用菌容量生长

[发明专利]一种培养食用菌方法-CN201510591418.9在审
发明人：余兴明 -专利权人：安庆市宜秀区永兴农机农艺综合发展专业合作社
申请日： 2015-09-16 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： C12N1/14 文献下载
摘要：本发明公开的一种培养食用菌方法，由糠醛渣作为培养基的主要材料，由于糠醛渣是由玉米芯等在高温酸化处理后的渣滓，因而其中无杂菌，对食用菌生长有复壮作用，接种后不易污染，菌丝生长旺盛，整个生长周期与一般培养基大致相同
一种培养食用菌方法

[发明专利]一种促间充质干细胞生长的培养基及其制备方法-CN201910145954.4有效
发明人：饶焕文;林建平;萧自智;潘发伍;叶美娜;高媛媛 -专利权人：嘉文丽（福建）化妆品有限公司
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： C12N5/0775 文献下载
摘要：本发明公开了一种能够促进间充质干细胞分裂生长的培养基，包括无血清的基础培养基及在其基础上增添的添加剂，添加剂包含木芙蓉提取物、海藻多糖、黄芪甲苷、人血白蛋白、转铁蛋白、谷氨酰胺、血小板衍生因子、表皮生长因子、成纤维生长因子、人胰岛素生长因子、维生素A；木芙蓉提取物具有抗氧化及激活细胞活性，复配海藻多糖与黄芪甲苷可有效的促进细胞代谢生长；人血白蛋白、转铁蛋白、谷氨酰胺与维生素A为干细胞生长提供必需的营养物质；血小板衍生因子、表皮生长因子、成纤维生长因子与人胰岛素生长因子等细胞因子共同促进干细胞迅速生长增殖；培养基不仅能够提高间充质干细胞的生长活力、缩短培养时间、促进细胞生长因子的表达，还可保持其分化潜能的干细胞活性
一种促间充质干细胞生长培养基及其制备方法

[发明专利]缩短制备生物柴油小球藻生长周期的方法-CN201510261436.0在审
发明人：高芬芳;薛向明;刘占旗;杨凯;战景明;王秀琴;武宝利;王玉兵;武晓燕;马跃峰;郭万龙;杨雪;姜霞 -专利权人：中国辐射防护研究院
申请日： 2015-05-21 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： C12P7/64 文献下载
摘要：本发明涉及缩短制备生物柴油小球藻生长周期的方法，包括以下步骤：(1)从不同水体中采集小球藻藻种；(2)在小球藻自然生长条件下培养藻种，直至小球藻的OD600值达到最大值，此时的小球藻进入对数生长稳定期，获取培养基；(3)向培养基中加入用量为培养基总重量的5-8ppm的激动素，继续培养4-6小时后，再加入用量为培养基总重量的0.5-0.7ppm的植物生长素A，继续培养4-6小时后，再加入用量为培养基总重量的0.3-0.5ppm的植物生长素B，继续培养，直至小球藻的OD600值再次达到最大值，满足培养要求。采用本发明的方法可以改变小球藻的有丝分裂周期及生长速度，使单位时间内单位面积的小球藻生物量(以OD600值计)增加，可用于提炼更多的生物柴油。
缩短制备生物柴油小球藻生长周期方法

[发明专利]垂直结构的半导体芯片或器件（包括高亮度LED）及其批量生产方法-CN200410073841.1有效
发明人：彭晖;罗威 -专利权人：金芃
申请日： 2004-09-06 - 公布日： 2005-06-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明展示低成本和高产率的批量生产垂直结构的半导体芯片(包括GaN基，GaInP基，和GaInPN基LEDs)的方法。本发明的批量生产方法包括下述工艺步骤：外延生长第一类型限制层于生长衬底上，层叠反射/欧姆层于第一类型限制层上，层叠导电的支持衬底于反射/欧姆层上，剥离生长衬底，第一类型限制层暴露，外延生长包括发光层和第二类型限制层的外延层于暴露的第一类型限制层上本发明的最重要的特点是：即使使用硅(Si)晶片作为生长衬底，也可以生长高质量的GaN基LEDs，而目前硅晶片的最大的直径是12英寸，因而GaN基LEDs的生产成本被极大的降低。
垂直结构半导体芯片器件包括亮度 led 及其批量生产方法

[发明专利]一类可抑制表皮生长因子受体的哌啶基乙酰胺类化合物及其应用-CN201510227785.0有效
发明人：林森森;顾铭;袁胜涛;孙立;严明;张陆勇;吴亮;高鹏;练进 -专利权人：中国药科大学
申请日： 2015-05-06 - 公布日： 2017-10-31 - 主分类号： C07D211/34 文献下载
摘要：本发明属于医药技术领域，公开了一类可抑制表皮生长因子受体的哌啶基乙酰胺类化合物及其应用。该化合物为一类可抑制表皮生长因子受体的哌啶基乙酰胺类化合物，其结构如通式(I)所示，其中R1代表C4‑C7的环烷基、芳基或取代芳基，R2代表C1‑C10的烷基、C4‑C7的环烷基、芳基或取代芳基。该化合物可用于制备表皮生长因子受体拮抗剂，为制备靶向抗肿瘤药提供了更多选择。
一类可抑制表皮生长因子受体哌啶乙酰化合物及其应用

[发明专利]杂交瘤细胞的培养方法-CN201210572731.4有效
发明人：万晓春;党利君;金言 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2012-12-25 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： C12N5/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种杂交瘤细胞的培养方法，包括如下步骤将杂交瘤细胞悬液接种到含有大孔微载体和培养基的搅拌瓶中并于搅拌条件下培养，得到生长于大孔微载体上的杂交瘤细胞；将生长于大孔微载体上的杂交瘤细胞在搅拌瓶中逐级放大培养，同时逐渐降低培养基中血清的含量直至为零，得到适应无血清培养基的杂交瘤细胞；采用连续灌流的培养方式培养，培养基为无血清生长型培养基，得到密度大于1×107细胞/mL的适应无血清培养基的杂交瘤细胞，即具有高细胞密度的杂交瘤细胞
杂交瘤细胞培养方法