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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]沉积腔室的边缘环-CN201380017145.6有效
发明人：阿希什·戈埃尔;阿纳塔·苏比玛尼 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2013-03-13 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：披露了在单一腔室中用于基板的材料处理和热处理的设备和方法。在一个实施方式中，设置有边缘环。边缘环包括环形主体，环形主体具有内周边边缘、第一表面和与第一表面相对的第二表面；第一凸起构件，第一凸起构件从第二表面实质上正交地延伸出；第二凸起构件，第二凸起构件从邻近于第一凸起构件的第二表面延伸出，并通过第一凹陷与第一凸起构件分离
沉积边缘

[发明专利]压环组件和反应腔室-CN201710485832.0在审
发明人：张君;王春 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明公开了一种压环组件和一种反应腔室。所述压环组件包括压环，所述压环的下表面用于与待加工件上表面的边缘接触，以将所述待加工件固定在承载台上，所述压环组件还包括刻蚀削弱件，所述刻蚀削弱件设置在所述压环的上表面，且所述刻蚀削弱件在所述待加工件上表面的正投影至少有一部分落在所述待加工件上表面内本发明的压环组件中的刻蚀削弱件，能够改变靠近刻蚀削弱件设置的待加工件上表面的刻蚀环境，使其存在刻蚀光阻氛围，以降低该位置处的刻蚀速率，从而能够提高片内均匀性，提高待加工件的制作良率。
刻蚀待加工件上表面压环组件削弱压环反应腔室片内均匀性边缘接触刻蚀环境位置处下表面正投影光阻良率承载制作

[发明专利]压环装置及反应腔室-CN201510214695.8有效
发明人：张新云 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2015-04-30 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明提供一种压环装置及反应腔室，包括压环以及用于带动压环上下移动的支撑件，支撑件包括台阶面，在台阶面上设置有销柱，且在压环上与销柱相对应的位置处设置有第一通孔，销柱穿过与其对应的第一通孔并且高于压环的上表面，销柱上高出压环上表面的位置设置有阻挡件，当支撑件将压环顶起时，压环的上表面与阻挡件的下表面之间具有预设距离H。本发明提供的压环装置，其可以避免压环倾斜或者脱离支撑件，从而可以保证压环能够准确地压住晶片边沿，进而可以避免损坏晶片，确保取放片操作的正常进行。
装置反应

[发明专利]聚焦环和预清洗腔室-CN201811531969.6有效
发明人：赵磊;赵梦欣;李冬冬;李萌;刘菲菲;邵连 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种用于预清洗腔室的聚焦环，所述聚焦环的表面为绝缘表面，所述聚焦环包括聚焦环本体、承载部以及导体件，所述承载部形成在所述聚焦环本体的内周壁上，其中，所述导体件的至少一部分嵌入所述承载部中，和/或所述聚焦环本体上形成有容纳槽，所述导体件的至少一部分位于所述容纳槽中。本发明还提供一种预清洗腔室。所述预清洗腔室的基座上表面上方的电场更加均匀。
聚焦清洗

[实用新型]上部改善环及蚀刻腔室-CN201220293484.X有效
发明人：隆均 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-06-20 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种上部改善环，包括环状本体，环状本体的上、下表面的内侧端分别设有环形凹口。还公开了一种蚀刻腔室，包括腔体以及位于腔体内的静电卡盘、下部绝缘环和上部改善环，静电卡盘具有向上凸出的中部，向上凸出的中部由下至上依次穿设于下部绝缘环和上部改善环，上部改善环采用如上所述的上部改善环。通过在上部改善环的环状本体的上、下表面的内侧端分别设有环形凹口，当环状本体的上表面或者下表面由于蚀刻工艺的影响变薄或其表面变粗糙或出现小凹槽，致使无法继续使用，就可以继续使用上部改善环的相反面，从而，在不影响上部改善环功能情况下，使上部改善环的使用寿命增加双倍而不会增加材料成本，有效降低上部改善环的使用量。
上部改善蚀刻

[实用新型]一种食用菌菌种纯化培养皿-CN202220048767.1有效
发明人：尹腾达;尹明和;尹志远;马世玉 -专利权人：黑龙江黑臻生物科技有限公司
申请日： 2022-01-10 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： A01G18/64 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种食用菌菌种纯化培养皿，涉及食用菌技术领域，包括培养皿主体和阻隔环，培养皿主体具有培养腔室，培养腔室的上端具有开口，阻隔环设置在培养腔室内，培养腔室包括内侧腔室和外侧腔室，内侧腔室位于阻隔环内侧，外侧腔室位于阻隔环外侧，阻隔环侧壁设有连通内侧腔室和外侧腔室的流通孔。食用菌菌种菌丝可以沿着阻隔环表面从内侧腔室生长到外侧腔室，同时，阻隔环可以阻止细菌和病毒等微生物从内侧腔室进入外侧腔室，实现隔离作用，使菌种纯化。
一种食用菌菌种纯化培养皿

[发明专利]管测试设备和方法-CN202180089090.4在审
发明人： P·罗伯茨;R·斯图尔特;R·凯特尔 -专利权人：维德格管道技术有限公司
申请日： 2021-10-22 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G01N3/12 文献下载
摘要：一种用于测试从管切割的环的设备，包括：多个测试腔室部分，当放置在一起时，多个测试腔室部分限定用于接收待测试环的测试腔室，测试腔室部分至少包括限定测试腔室的第一内面的第一测试腔室部分和限定测试腔室的相对的第二内面的第二测试腔室部分，第一内面和第二内面限定环形空间，环形空间被布置成容纳环以将环的内侧与外侧隔离；用于将测试腔室部分夹持在一起以形成腔室的装置；在其中一个腔室部分中的流体入口端口，以允许加压流体在环被接收在腔室中时进入环的外侧的腔室；以及用于测量环的应变和变形以及流体压力的一个或多个传感器，其中环形空间彼此对齐，比待测试环的壁厚更宽，并且基本上完全平坦。
测试设备方法

[发明专利]用于热处理腔室的边缘环-CN201611097035.7有效
发明人：布莱克·凯尔梅尔;约瑟夫·M·拉内什;阿布拉什·J·马约尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2012-02-20 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明的实施例提供具有增加温度均匀度的用于支撑基板的边缘环。更特定言之，本发明的实施例提供边缘环，该边缘环具有形成于边缘环的能量接收表面上的一或更多个表面面积增加结构。
用于热处理边缘

[发明专利]用于基板处理腔室的边缘环-CN201580069444.3有效
发明人：戈文达·瑞泽;卡泽拉·R·纳伦德瑞纳斯;波柏纳·伊谢提拉·瓦珊塔;西蒙·亚沃伯格 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-11-24 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本文披露一种边缘环以及用于制造边缘环的工艺。一个实施方式中，边缘环包括环状主体以及多个断热件，所述断热件设置在所述环状主体内。所述断热件设置成垂直于边缘环的环状主体的中心线。
用于处理边缘

[发明专利]聚焦环、承载装置及反应腔室-CN201711204488.X有效
发明人：郭士选;苏恒毅 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2017-11-27 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种聚焦环，套置在用于承载基片的卡盘的外周壁，聚焦环包括由上至下依次叠置的上环部、中环部和下环部；中环部的内壁垂直下环部的上表面，且下环部的内径小于中环部的内径，以使基片的底部边缘能够放置于下环部相对中环部内壁凸出的上表面上本发明还提供一种承载装置和反应腔室，可以同时解决基片的环形边缘区域的刻蚀速率高和刻蚀角度差的问题。
聚焦承载装置反应

[外观设计]用于基板处理腔室的沉积环-CN202030553220.3有效
发明人：伊利亚·拉维特斯凯;基思·A·米勒;吉留刚一 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： 15-09 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：用于基板处理腔室的沉积环。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用作用于基板处理腔室的沉积环。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
用于处理沉积

[外观设计]用于基板处理腔室的沉积环-CN201930430388.2有效
发明人：曼朱纳塔·P·科帕;阿拉文·卡马特;蔡振雄;曼朱纳特·H·V;史蒂文·V·桑索尼;大卫·奥 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-08-08 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： 24-99 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：用于基板处理腔室的沉积环。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于基板处理腔室的沉积环。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
用于处理沉积

[外观设计]半导体处理腔室用沉积环-CN202130050791.X有效
发明人：基兰库马尔·N·萨凡迪亚;宋佼;大卫·冈瑟;艾琳娜·H·怀索克;安东尼·C-T·陈 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： 15-99 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：半导体处理腔室用沉积环。2.本外观设计产品的用途：用于半导体处理腔室。3.本外观设计产品的设计要点：在于产品的形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1立体图。
半导体处理腔室用沉积

[发明专利]用于热处理腔室的边缘环-CN201280009401.2有效
发明人：布莱克·凯尔梅尔;约瑟夫·M·拉内什;阿布拉什·J·马约尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2012-02-20 - 公布日： 2013-11-06 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明的实施例提供具有增加温度均匀度的用于支撑基板的边缘环。更特定言之，本发明的实施例提供边缘环，该边缘环具有形成于边缘环的能量接收表面上的一或更多个表面面积增加结构。
用于热处理边缘

[发明专利]腔室盖加热器环组件-CN201180049182.6有效
发明人： A·H·乌耶;G·斯科特;K·K·余;M·N·格芮姆比戈安 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-10-06 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明的实施例大致提供用于等离子体加工腔室的盖加热器。在一个实施例中，提供盖加热器组件，包括导热底座。所述导热底座具有平面环形，用于界定内部开口。
腔室盖加热器组件

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