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- [实用新型]EMI专用真空溅镀治具-CN201220317725.X有效
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范新宇
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昆山福冈电子有限公司
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2012-07-03
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2013-01-16
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C23C14/34
- 本实用新型公开了一种EMI专用真空溅镀治具，包括上盖和底座，所述底座上设置有与产品配套的定位块；所述上盖包括遮蔽块，所述遮蔽块通过架桥连接，所述架桥连接至所述上盖的主体。该实用新型的底座及上盖分别采用铝合金材质一体成型，并在上盖设置通过架桥连接距离上盖边缘较远的遮蔽块，通过遮蔽块固定产品及底座并遮蔽非溅镀区，用于产品的真空溅镀时，治具本身相较于PC材质或普通铝材具有较高的机械强度；通过架桥及遮蔽块的方式，能够最大化的遮蔽非溅镀区并露出溅镀区，且通过遮蔽块设计减少了对产品的压盖区而最大化保护产品不划伤；治具可反复使用，不仅溅镀精度高且降低了成本投入。
- emi专用真空溅镀治具
- [发明专利]溅镀薄膜形成装置-CN200980133584.7有效
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节原裕一;江部明宪;韩铨建
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EMD株式会社
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2009-08-25
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2011-08-03
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C23C14/40
- 本发明的目的是提供一种能够以较快的速度进行溅镀处理的溅镀薄膜形成装置。溅镀薄膜形成装置(10)具备下述构成：真空容器(11)、设于真空容器(11)内的靶保持器(13)、设成与靶保持器(13)相对向的基板保持器(14)、用以在靶保持器(13)与基板保持器(14)之间施加电压的电源(15)、设置于靶保持器(13)背面的用以生成具有与靶(T)平行的分量的磁场的磁控管溅镀用磁铁(12)、用以在磁控管溅镀用磁铁(12)所生成的规定强度以上的磁场所存在的靶T附近的区域生成高频感应耦合等离子的高频天线藉由以高频天线(16)所生成的高频感应耦合等离子，可促进电子供给至上述磁场内，故可以较快的速度进行溅镀处理。
- 薄膜形成装置
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