“氮化硼”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果106220个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种表面胺基化的氮化硼/尼龙复合材料及其制备方法和用途-CN201810168389.9有效
发明人：李化毅;王竹君;李倩;郑水蓉;胡友良 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： C08L77/02 文献下载
摘要：本发明提供一种表面胺基化的氮化硼/尼龙复合材料及其制备方法和用途，对所述氮化硼表面采用一种温和、高效的改性方法，在强碱环境下，对氮化硼预羟基化处理使得氮化硼表面的硼氮键断开而引入大量的硼羟基和氨基，硼羟基上的氢氧键和氮氢键脱去氢，形成氧自由基和氮自由基；再与取代或未取代的苯胺基酸化重氮盐在酸/铁粉溶液中进行反应，在氮化硼表面接枝大量的取代或未取代的苯胺基。所述表面胺基化的氮化硼具有极高的分散性能，其分散在尼龙体系中不会发生团聚现象；且由于所述表面胺基化的氮化硼表面中含有活性较高的氨基，其可以与尼龙分子链端基的羧基发生接枝反应，从而制备高分散性的表面胺基化的氮化硼
一种表面胺基氮化尼龙复合材料及其制备方法用途

[发明专利]立方氮化硼晶体的制造方法-CN201510049045.2有效
发明人：马少彬 -专利权人：富耐克超硬材料股份有限公司
申请日： 2015-01-30 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： B01J3/06 文献下载
摘要：本发明提供一种立方氮化硼晶体的制造方法，包括以下步骤将六方氮化硼粉、触媒粉和添加剂均匀混合，并压制成合成棒，所述触媒粉包括氮化锂和氢化锂，所述添加剂包括氟化铵、氮化钛和氮化铝；对所述合成棒进行高压高温合成，得到立方氮化硼晶体粗品；破碎所述立方氮化硼晶体粗品，得到块状立方氮化硼晶体粗品；依次采用水、酸碱浸泡所述块状立方氮化硼晶体粗品，得到块状立方氮化硼晶体成品。由本发明得到的立方氮化硼晶体为一种等积形金色晶体，具有高强度，高热稳定性，耐磨性高，抗裂能力强，热稳定性高等特点，适用于长寿命电镀工具和陶瓷结合剂系统，应用于淬硬工具钢、硬质合金、合金钢、镍基和钴基高温合金材料的加工
立方氮化晶体制造方法

[发明专利]一种表面渗氮或渗硼处理的硬质合金基体聚晶立方氮化硼复合片及其制备方法-CN202010502238.X在审
发明人：秦家千;李拥军;王福龙 -专利权人：河南领科材料有限公司
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： C04B35/5835 文献下载
摘要：本发明提供一种表面渗氮或者渗硼处理的碳化钨硬质合金替代传统硬质合金作为基体制备一种聚晶立方氮化硼复合片。表面渗氮或者渗硼时钴在硬质合金表面同硼会形成钨‑碳‑钴‑氮或者钨‑碳‑钴‑硼系化合物层,从表层到硬质合金的硬度成梯度变化，逐渐变小。以表面渗氮或者渗硼的硬质合金作为聚晶立方氮化硼基体时，表层碳化物的硬度接近立方氮化硼层硬度，因此界面应力较小，改善聚晶立方氮化硼复合片脱层问题。同时，表面渗氮或者渗硼层在聚晶立方氮化硼复合片高温高压烧结过程中，能有效阻挡硬质合金中粘结相钴向立方氮化硼层扩散，降低立方氮化硼层金属含量，使得表面渗氮硬质合金基体聚晶立方氮化硼复合片提高复合片热稳定性
一种表面处理硬质合金基体立方氮化复合及其制备方法

[发明专利]六方氮化硼辅助氮化镓外延的衬底结构及其制备方法-CN202210095237.7在审
发明人：宁静;武海迪;张进成;赵江林;白玲;王东;马佩军;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种六方氮化硼辅助氮化镓外延的衬底结构及其制备方法，该制备方法包括：步骤1：在衬底上制备氮化铝成核层；步骤2：在铜箔表面生长至少一层六方氮化硼层；步骤3：将六方氮化硼层从铜箔转移至氮化铝成核层上；步骤4：在六方氮化硼层上外延生长氮化镓外延层，得到六方氮化硼辅助氮化镓外延的衬底结构。本发明的方法，首先在衬底上低温磁控溅射了一层氮化铝成核层，再通过转移的方式将六方氮化硼层转移至氮化铝成核层上，然后再进行氮化镓外延生长，外延得到的氮化镓层具有良好的晶格取向，氮化铝成核层起到了晶格修正的作用
氮化辅助外延衬底结构及其制备方法

[发明专利]立方晶氮化硼多晶体及其制造方法-CN202080010576.X有效
发明人：松川伦子;久木野晓;东泰助;阿部真知子 -专利权人：住友电工硬质合金株式会社
申请日： 2020-02-27 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： C04B35/5831 文献下载
摘要：一种立方晶氮化硼多晶体，其是含有96体积％以上的立方晶氮化硼的立方晶氮化硼多晶体，其中，所述立方晶氮化硼的位错密度为8×1015/m2以下，所述立方晶氮化硼多晶体含有多个晶粒，所述多个晶粒的当量圆直径的中值粒径d50小于100nm。
立方氮化多晶体及其制造方法

[发明专利]立方晶氮化硼多晶体及其制造方法-CN202080010551.X有效
发明人：松川伦子;久木野晓;东泰助;阿部真知子 -专利权人：住友电工硬质合金株式会社
申请日： 2020-02-27 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： C04B35/5831 文献下载
摘要：一种立方晶氮化硼多晶体，其是含有96体积％以上的立方晶氮化硼的立方晶氮化硼多晶体，其中，所述立方晶氮化硼的位错密度大于8×1015/m2，所述立方晶氮化硼多晶体含有多个晶粒，所述多个晶粒的当量圆直径的中值粒径d50小于100nm。
立方氮化多晶体及其制造方法

[实用新型]一种氮化镓高迁移率晶体管器件-CN202123139797.8有效
发明人：囤冠华;赵海明;王敬;任天令;袁松;钮应喜;单卫平;赵清 -专利权人：芜湖启迪半导体有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氮化镓高迁移率晶体管器件，包括衬层、晶体管层、帽层和插层，所述插层为六方氮化硼插层，六方氮化硼插层设置在衬层上，晶体管层设置在六方氮化硼插层上，帽层设置在晶体管层上。衬层为金刚石衬底，在金刚石衬底上通过液相转移二维六方氮化硼材料形成六方氮化硼插层；优选的插层中六方氮化硼的层数为1‑5层。氮化镓高迁移率晶体管器件底部采用六方氮化硼配合金刚石作为衬底，同样有利于热的传递，降低器件工作时发热温度。
一种氮化迁移率晶体管器件

[发明专利]用碱金属叠氮化物合成立方氮化硼的方法-CN201310203050.5无效
发明人：贾晓鹏 -专利权人：柳州市大荣非金属材料有限公司
申请日： 2013-05-28 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： B01J3/06 文献下载
摘要：一种用碱金属叠氮化物合成立方氮化硼的方法，涉及一种超硬材料的高温高压合成方法，它以六方氮化硼为原料，以碱金属氮化物和叠氮化物的混合物为触媒，混合均匀后预压成型，组装在叶腊石合成块中，在高温高压条件下合成立方氮化硼，合成温度为1000～1800℃，合成压力为4.0～6.0GPa，合成时间为3～15分钟，合成产物经净化处理后得到立方氮化硼单晶产品。本发明通过在触媒体系中加入碱金属叠氮化物，提供了一个富氮环境，抑制了氧化硼等杂质对cBN合成的影响，促进了立方氮化硼的成核，提高了立方氮化硼的生长速度和转化率，降低了对六方氮化硼纯度的要求，产品质量好，在工业化生产立方氮化硼超硬材料领域具有重要应用。
碱金属叠氮化物合成立方氮化方法

[实用新型]磨喷嘴用双环式立方氮化硼砂轮-CN201420286942.6有效
发明人：王珍;聂玉龙;赵金波 -专利权人：青岛四砂泰益研磨有限公司
申请日： 2014-05-30 - 公布日： 2014-10-08 - 主分类号： B24D7/14 文献下载
摘要：本实用新型属于超硬材料磨具领域，具体涉及一种磨喷嘴用双环式立方氮化硼砂轮，其特征在于包括异形金属基体、粗磨立方氮化硼磨块和精磨立方氮化硼磨块，所述异形金属基体为环状，其外侧为磨块粘接部，内侧为安装部，磨块粘接部的厚度为安装部的1.5-2倍，安装部的中心设有中心孔，中心孔的外侧设有等分圆周均匀分布的多个螺纹孔，磨块粘接部上粘接有粗磨立方氮化硼磨块和精磨立方氮化硼磨块，所述粗磨立方氮化硼磨块和精磨立方氮化硼磨块均为环状，与安装孔同心，粗磨立方氮化硼磨块在外侧，精磨立方氮化硼磨块在内侧。
喷嘴用双环式立方氮化硼砂

[发明专利]多晶立方氮化硼磨料生产方法-CN201510973410.9在审
发明人：王文川 -专利权人：雅安百图高新材料有限公司
申请日： 2015-12-23 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种多晶立方氮化硼磨料生产方法，它是采用立方氮化硼微粉为原料，以铝粉、镍粉和钴粉的混合物为结合剂，以氮碳化钛微粉为烧结助剂，在高温高压条件下进行多晶立方氮化硼磨料的烧结制备。该方法实现了以普通的立方氮化硼微粉为原料烧结制成优质多晶立方氮化硼磨料的良好效果，具有操作方便、生产效率高、成本低廉等优点，适合于多晶立方氮化硼磨料大规模生产。
多晶立方氮化磨料生产方法

[发明专利]一种高效去除水中铅离子的氮化硼纳米片的低温合成方法-CN201711347319.1在审
发明人：孔令涛;张开胜;刘涛;陈希凡 -专利权人：中霖中科环境科技（安徽）股份有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： C01B21/064 文献下载
摘要：本发明公开一种用于高效吸附去除水中铅离子的氮化硼纳米片的低温合成方法，步骤为将硼酸和尿素混合，在马弗炉中高温加热并保温，获得白色产物为超薄多孔氮化硼纳米片。该方法克服了传统方法合成氮化硼纳米片合成温度高、工艺复杂的特性，提高了氮化硼材料的比表面积，大大增加了氮化硼材料对水中铅离子的吸附性能；同时，该氮化硼纳米片能够克服常见吸附剂再生能力差等问题。
一种高效去除水中离子氮化纳米低温合成方法

[发明专利]一种多巴胺改性氮化硼导热硅脂及其制备方法-CN202011587889.X在审
发明人：吕树申;陈鹏;赵程浩;莫冬传 -专利权人：中山大学
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： C08L83/04 文献下载
摘要：本发明涉及导热硅脂技术领域，公开了一种多巴胺改性氮化硼导热硅脂及其制备方法，包括以下步骤：步骤1：在室温条件下，利用多巴胺对氮化硼（BN）表面进行改性，制备得到多巴胺改性氮化硼（BN‑PDA）填料。步骤2：多巴胺改性氮化硼（BN‑PDA）和其他填料与硅油混合，制备导热硅脂。本发明采用多巴胺改性氮化硼表面，制备方法简单，绿色环保，且氮化硼经过多巴胺改性后制备的导热硅脂导热性能和渗油情况都得到改善。
一种多巴胺改性氮化导热及其制备方法

[发明专利]六方氮化硼粉末及其制造方法-CN202080078703.X在审
发明人：台木祥太;广实佑树 -专利权人：株式会社德山
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C01B21/064 文献下载
摘要：提供磁性异物含量高度减少、电绝缘性优异的六方氮化硼粉末、以及能够以低成本制造前述六方氮化硼粉末的制造方法。一种六方氮化硼粉末、及包括特定的多个工序的前述磁性异物含量减少的六方氮化硼粉末的制造方法，所述六方氮化硼粉末的特征在于，其为由六方氮化硼的单颗粒和/或聚集颗粒形成的粉末，Co、Cr、Cu、Fe、Mg、Mn
氮化粉末及其制造方法

[发明专利]纳米晶氮化硼膜、图像传感器、和电场效应晶体管-CN202310469579.5在审
发明人：崔太镇;金玟秀;申铉石;申铉振 -专利权人：三星电子株式会社;蔚山科学技术院
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明涉及纳米晶氮化硼膜、图像传感器、和电场效应晶体管。公开了具有相对低的介电常数和优异的机械性质的纳米晶氮化硼膜。所述纳米晶氮化硼膜包括具有在5nm至100nm范围内的尺寸的多个纳米晶氮化硼晶体，所述纳米晶氮化硼膜在100kHz工作频率下具有在2.5至5.5的范围内的介电常数，和所述纳米晶氮化硼膜具有1GPa至10GPa
纳米氮化图像传感器电场效应晶体管

[发明专利]多晶立方氮化硼磨料生产方法-CN201010223176.5有效
发明人：张相法;张奎;刘云飞 -专利权人：郑州中南杰特超硬材料有限公司
申请日： 2010-07-12 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： C04B35/5831 文献下载
摘要：本发明涉及一种多晶立方氮化硼磨料生产方法，它是采用立方氮化硼微粉为原料，以铝粉、镍粉和钴粉的混合物为结合剂，以氮碳化钛微粉为烧结助剂，在高温高压条件下进行多晶立方氮化硼磨料的烧结制备。该方法实现了以普通的立方氮化硼微粉为原料烧结制成优质多晶立方氮化硼磨料的良好效果，具有操作方便、生产效率高、成本低廉等优点，适合于多晶立方氮化硼磨料大规模生产。
多晶立方氮化磨料生产方法