专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]氮化纳米管的制备方法及氮化纳米管-CN202310208969.7在审
  • 姚亚刚;王赢;张凯 - 南京大学
  • 2023-03-07 - 2023-06-02 - C01B21/064
  • 本申请公开了一种氮化纳米管的制备方法及氮化纳米管,制备方法包括称取原料至反应器中,所述原料包括碳酸盐、氧化镁和前驱体;将所述反应器在惰性气氛下升温至反应温度,以生成前驱体,所述反应温度为850~1200℃;将所述反应器置于氨气气氛下,保持所述反应温度,持续反应生成氮化纳米管;将所述反应器在惰性气氛下冷却至室温,得到氮化纳米管。本申请制备方法可在850℃的相对低温下生长氮化纳米管,在950℃下即可得到大量高品质氮化纳米管,有效降低氮化纳米管的合成温度,降低氮化纳米管的制备成本,有助于氮化纳米管的广泛应用和工业化生产。
  • 氮化纳米制备方法
  • [发明专利]一种制备晶片级均匀六方氮化薄膜的方法-CN201910298770.1在审
  • 武斌;姚文乾;刘云圻 - 中国科学院化学研究所
  • 2019-04-15 - 2020-10-27 - C30B25/00
  • 本发明公开了一种制备晶片级均匀六方氮化薄膜的方法。该方法采用化学气相沉积法,利用大单晶铜基底预先进行电化学抛光,而后放入高温管式炉进行生长六方氮化,即可得到晶片级六方氮化薄膜。在不同的晶面上氮化会形成三角、六方等多种晶型,在同一晶面上六方氮化会实现单晶晶型的无缝拼接,最终形成均匀连续晶片级六方氮化薄膜,六方氮化作为优异的介电材料在光电材料、微电子器件等方面都有极高的潜在应用价值,本发明为六方氮化材料的产业化应用提供了进一步可能。
  • 一种制备晶片均匀氮化薄膜方法
  • [发明专利]切削刀片和切削刀具-CN202080046242.8在审
  • 矶部太志;萩原亚寿纱 - 京瓷株式会社
  • 2020-06-24 - 2022-02-01 - B23B27/16
  • 本发明的切削刀片具备具有第1面的氮化烧结体。在与第1面垂直的氮化烧结体的截面所对应的透射型X射线衍射中,设与第1面垂直方向的立方晶氮化的111衍射峰顶点的X射线强度为IcBN(111)v。设压缩型氮化的002衍射峰顶点的X射线强度为IhBN(002)v。设与第1面平行的方向的立方晶氮化的111衍射峰顶点的X射线强度为IcBN(111)h。设压缩型氮化的002衍射峰顶点的X射线强度为IhBN(002)h。根据这些X射线强度求得的压缩型氮化含有值大于0.005。立方晶取向值大于0.5,压缩型氮化取向值大于立方晶取向值。
  • 切削刀片刀具
  • [发明专利]一种立方氮化磨料表面处理方法-CN201910784014.X有效
  • 崔治国;李保中 - 河南富莱格超硬材料有限公司
  • 2019-08-23 - 2021-08-20 - C09K3/14
  • 本发明提供了一种立方氮化磨料表面处理方法,包括以下步骤:高温粗化 先向立方氮化磨料中加入强碱粉末,再加热至400℃~600℃,并恒温30~60 min,获得立方氮化磨料粗化前驱体,其中,所述立方氮化磨料经过提纯处理;中和处理 所述立方氮化磨料粗化前驱体先用水清洗至中性,再用酸性溶液浸泡进行中和处理,然后再用水洗至中性,干燥,得到粗化过的立方氮化磨料成品。上述方法主要利用强碱粉末在高温下腐蚀所述立方氮化磨料的表面,以粗化所述立方氮化磨料的表面,从而达到增加其表面粗糙度,降低其在使用过程中与工件界面的热阻的目的。
  • 一种立方氮化磨料表面处理方法

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