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[发明专利]一种铟锡氧化物（ITO）纳米粉体及其制造方法-CN201210376860.6在审
发明人：祝渊;汤子康;陈克新;王岩;徐明强 -专利权人：中山大学
申请日： 2012-10-08 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： C01G19/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米铟锡氧化物粉体，该纳米铟锡氧化物粉体包括铟化合物和锡化合物；其中，氧化铟：氧化锡的质量比为9：1；该纳米铟锡氧化物粉体为不规则椭球状。该纳米铟锡氧化物粉体为不规则椭球状。本发明铟锡氧化物（ITO）纳米粉体制造方法所得到的铟锡氧化物（ITO）纳米粉体，粒径较为均匀，基本在60nm左右，分散性良好。
一种氧化物 ito 纳米及其制造方法

[发明专利]氧化锡形成组合物-CN202080031863.9在审
发明人：崔瀞颢;黄仁星;朴训民;李东哲;黃教贤;金洸贤;方晸业 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2020-09-14 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： C01G19/02 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化锡形成组合物和使用该氧化锡形成组合物的氧化锡形成方法。本发明的氧化锡形成组合物容易制造并且可以以高收率形成氧化锡。
氧化形成组合

[发明专利]一种导电膜及其制备方法-CN201410173893.X有效
发明人：王培红;李晨光 -专利权人：南昌欧菲光科技有限公司;深圳欧菲光科技股份有限公司;苏州欧菲光科技有限公司
申请日： 2014-04-28 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种导电膜，包括基底；以及位于所述基底上的铟锡氧化物透明导电层，所述铟锡氧化物透明导电层至少包括第一铟锡氧化物层和第二铟锡氧化物层，所述第一铟锡氧化物层位于所述基底和所述第二铟锡氧化物层之间，其中，所述第一铟锡氧化物层中二氧化锡的含量与所述第二铟锡氧化物层中二氧化锡的含量不相等。
一种导电及其制备方法

[发明专利]氧化铟锡废靶材中回收制备铟锡合金的方法、装置-CN202211673175.X在审
发明人：宋建勋;苏鲜伟;李少龙;吕泽鹏;杨斌;何季麟 -专利权人：郑州大学
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C25C3/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化铟锡废靶材中回收制备铟锡合金的方法，该方法包括：氧化铟锡废靶材制成氧化铟锡废靶颗粒，铺设在电解槽底部；熔盐电解质铺设在氧化铟锡废靶颗粒上方；氧化铟锡废靶材制作成棒状电极，设置在熔盐电解质中；以氧化铟锡棒状电极为阳极，氧化铟锡废靶颗粒作为阴极，与熔盐电解质形成电解体系；加热电解体系使熔盐电解质熔融，连接电解电源进行恒电位电解；电解过程中，氧化铟锡废靶颗粒被还原为液态铟锡合金，液态铟锡下沉到电解槽底部，进行收集；向电解槽中连续加入氧化铟锡废靶颗粒参与电解反应，电解过程连续进行，连续收集铟锡合金。
氧化铟锡废靶材中回收制备合金方法装置

[发明专利]一种触摸屏网格型电极及其制作方法-CN201410269865.8有效
发明人：陈祖辉;蔡曙日;蔡怀清;林玉辉 -专利权人：福建科创光电有限公司
申请日： 2014-06-17 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明公开了一种触摸屏网格型电极及其制作方法，该触摸屏网格型电极包括透明基板、氧化锡铟或掺氟二氧化锡层、镍层和金层。氧化锡铟或掺氟二氧化锡层、镍层和金层的形状相同，重合叠加在一起，其中氧化锡铟或掺氟二氧化锡层位于基板的第一表面上，镍层位于氧化锡铟或掺氟二氧化锡层之上，金层位于镍层之上。氧化锡铟或掺氟二氧化锡层、镍层和金层所具有形状是随机圆形或多边形并且随机相连的网格形状。本发明实现了在触摸屏上制作以氧化锡铟或掺氟二氧化锡为基础的网格型电极，具有较高的可制造性，可靠性，经济性等特点。
一种触摸屏网格电极及其制作方法

[发明专利]一种氧化锡纤维前驱体及氧化锡晶体纤维的制备方法-CN201310492460.6有效
发明人：林学军;许东;王新强;朱陆益;张光辉;刘雪松;刘本学;蔡宁宁 -专利权人：山东大学
申请日： 2013-10-19 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： D01F9/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧化锡纤维前驱体及氧化锡晶体纤维的制备方法。以锡的卤化物与醋酸钾（钠）盐采用复分解反应合成醋酸为配体的氧化锡纤维前驱体，前驱体溶液通过浓缩得纺丝液，再通过离心甩丝得到氧化锡前驱体纤维，前驱体纤维经过特殊气氛预处理、高温热处理等工序获得氧化锡晶体纤维本发明的氧化锡晶体纤维长径比大于1000，拉伸强度0.8～1.1GPa，白度良好且光泽柔和。本发明制备工艺简单、条件温和、批次纤维质量稳定，纺丝溶胶长期放置不变质。本发明的氧化锡晶体纤维可以应用于光催化、气敏、湿敏等领域。氧化锡纤维前驱体还可用于制备氧化锡薄膜、纳米粉、纳米线或者采用静电纺丝方法制备纳米氧化锡纤维等含锡功能材料。
一种氧化纤维前驱晶体制备方法

[发明专利]纳米氧化亚锡和纳米二氧化锡的制备方法-CN201210105281.8无效
发明人：邹勃;张品华;王英楠;邹广田 -专利权人：吉林大学
申请日： 2012-04-11 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： C01G19/02 文献下载
摘要：本发明的纳米氧化亚锡和纳米二氧化锡的制备方法属于纳米材料制备的技术领域。以块体氧化亚锡为原料，油酸和油胺为配体，通过简单的改变反应环境合成纳米氧化亚锡、纳米二氧化锡。在氮气保护下，加热并搅拌使块体氧化亚锡逐渐溶解得到锡-配体复合溶液，当温度升至260℃时热分解得到纳米氧化亚锡。在空气环境中，加热并搅拌使块体氧化亚锡逐渐溶解得到锡-配体复合溶液，当温度升至300℃时热分解得到纳米二氧化锡。本发明制备的产品纯度高、结晶性好、粒径分布均匀、单分散性好，合成的氧化亚锡还具有很好的空气稳定性；由于原料简单易得、制备工艺简单、生产周期短、可重复性高，具有大规模生产的潜力。
纳米氧化制备方法

[发明专利]一种基板玻璃窑炉寿命估算方法及寿命延长方法-CN202210178316.4在审
发明人：杨国洪;赵龙江;杨威;张峰;王答成 -专利权人：彩虹显示器件股份有限公司
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明提供一种基板玻璃窑炉寿命估算方法及寿命延长方法，测量基板玻璃产品中氧化锡的含量和基板玻璃料方中氧化锡的含量，通过氧化物元素守恒原理，计算出氧化锡电极消耗量；根据已拆解的线体对剩余氧化锡电极进行称重，结合每对氧化锡电极原始重量及剩余重量计算出基板玻璃窑炉不同位置氧化锡电极的消耗分配占比；将计算出的氧化锡电极消耗量按照占比分配计算出不同位置的氧化锡电极月消耗尺寸，得到寿命估算结果，根据氧化锡电极月消耗尺寸制定单位时间内推进氧化锡电极的长度
一种玻璃寿命估算方法延长

[发明专利]控制二氧化锡形貌的方法、锡-二氧化锡复合材料及应用-CN202010086720.X有效
发明人：张进涛;曹雪莹;马继臻 -专利权人：山东大学
申请日： 2020-02-11 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： C01G19/02 文献下载
摘要：本发明公开了控制二氧化锡形貌的方法、锡‑二氧化锡复合材料及应用，控制方法为：采用水热法制备二氧化锡，通过控制水热法中溶剂的体积与反应釜的容积比调控二氧化锡的形貌。本发明能够对二氧化锡的形貌进行控制，从而使锡‑二氧化锡复合材料具有可调控的特殊形貌，进而使锡‑二氧化锡复合材料表现出较快的动力学反应速度、较高的电流密度和较强的稳定性。
控制氧化形貌方法复合材料应用

[发明专利]一种氧化铟锡薄膜图案的制备方法-CN202110383560.X在审
发明人：彭俊彪;朱宇博;徐华;徐苗;李民 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L21/321 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化铟锡薄膜图案的制备方法。氧化铟锡薄膜图案的制备方法包括：提供基板；在基板的表面形成氧化铟锡薄膜；对氧化铟锡薄膜进行均匀化处理；对氧化铟锡薄膜进行图案化刻蚀。本发明达到了制备低电阻、高精细的氧化铟锡薄膜图案的效果。
一种氧化薄膜图案制备方法

[发明专利]稀土掺杂氧化锡及其制备方法和应用-CN201811508676.6在审
发明人：陈桂;郭风仪;李秀运;肖和导;徐春雪 -专利权人：怀化学院
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： B01J23/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种稀土掺杂氧化锡及其制备方法和应用。该稀土掺杂氧化锡的制备方法包括以下步骤：将稀土盐溶液与氧化锡混合，得混合物；及将所述混合物500℃～900℃下煅烧，得到稀土掺杂氧化锡。上述稀土掺杂氧化锡的制备方法简捷易实现，根据上述稀土掺杂氧化锡的制备方法得到的稀土掺杂氧化锡稳定、比表面积大、催化乙酰水杨酸的活性高。
氧化锡稀土掺杂制备制备方法和应用混合物稀土盐溶液乙酰水杨酸活性高煅烧催化

[发明专利]一种p型导电的掺铟氧化锡薄膜-CN03141558.X无效
发明人：季振国;何振杰 -专利权人：浙江大学
申请日： 2003-07-07 - 公布日： 2004-02-25 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明公开的p型导电的氧化锡薄膜为掺铟氧化锡薄膜，薄膜中铟/锡原子比为0.01～0.30，薄膜的晶体结构为金红石结构。本发明采用在氧化锡中掺铟，使得氧化锡薄膜成p型导电，由此可以获得氧化锡同质pn结，有利于制作基于氧化锡的宽禁带耐高温电子器件及光电器件。
一种导电氧化薄膜

[发明专利]多晶形铟锡氧化物薄膜以及多晶形铟锡氧化物电极的制造方法-CN200410074540.0有效
发明人：舒芳安 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2004-09-08 - 公布日： 2006-03-15 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：一种多晶形铟锡氧化物薄膜的制造方法，首先，于基材上形成非晶形铟锡氧化物薄膜，接着进行快速热退火处理，以将非晶铟锡氧化物薄膜转换为多晶形铟锡氧化物薄膜。另外，本发明还提出一种多晶形铟锡氧化物电极的制造方法，首先，于薄膜晶体管阵列基材上形成非晶铟锡氧化物薄膜。接着，在此非晶铟锡氧化物薄膜上制作布线图案，以于基材上形成多个非晶铟锡氧化物电极。之后，进行快速热退火处理，以将多个非晶铟锡氧化物电极转换为多晶形铟锡氧化物电极。上述的制造方法可形成较佳平坦度之多晶形铟锡氧化物薄膜，并可缩短处理时间并提高成品率。
多晶形铟锡氧化物薄膜以及电极制造方法

[发明专利]银复合氧化锡触头材料及其制备工艺-CN200610020688.5有效
发明人：刘辉;覃向忠 -专利权人：桂林金格电工电子材料科技有限公司
申请日： 2006-04-07 - 公布日： 2006-09-13 - 主分类号： B22F1/00 文献下载
摘要：本发明银复合氧化锡触头材料中锡和铋是以复合氧化锡—锡酸铋或者以氧化锡和锡酸铋的形式均匀分布在银基体中，氧化锡为0～14.87wt％，锡酸铋为0.92～18.36wt％，余量为银。还有镍、钛、锰、钴、铁、铜、锌中的1或2种，元素的氧化物，合计重量为0.25～1.50wt％，氧化镍和/或氧化铜效果最为明显。本发明银复合氧化锡触头材料制备工艺是将一定配比的材料熔炼、雾化制粉、氧化后在空气炉中于800～920℃锻烧0.5～7小时，所得复合粉末中的氧化铋和全部或部分氧化锡转化为结合紧密的锡酸铋，再成型、烧结、挤压成触头产品
复合氧化锡触头材料及其制备工艺

[发明专利]氧化铟锡膜及其制作方法-CN201110302041.2无效
发明人：杨能辉 -专利权人：光洋应用材料科技股份有限公司
申请日： 2011-10-09 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明关于一种氧化铟锡膜及其制法。该氧化铟锡膜包括：氧化铟锡主体层；以及设置于主体层上的氧化铟锡覆盖层；其覆盖层中O/(In+Sn)的原子比值小于主体层中O/(In+Sn)的原子比值，且覆盖层的厚度介于50至200埃之间。本发明还提供了一种氧化铟锡膜的制作方法，包括下列步骤：(A)、在氧气与氩气环境下沉积一氧化铟锡主体层；以及，(B)、在氩气与氢气环境下，于所述氧化铟锡主体层上沉积一氧化铟锡覆盖层，以制得上述氧化铟锡膜。本发明提供的氧化铟锡膜中的覆盖层可提供电性稳定作用，避免退火工艺对薄膜电性的影响，以形成具备绝佳透光率及导电性的氧化铟锡膜。
氧化铟锡膜及其制作方法