“氧化物”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果3217509个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体装置及包括该半导体装置的显示装置-CN201710317084.5有效
发明人：山崎舜平;中泽安孝;保坂泰靖;冈崎健一 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2017-05-08 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的一个方式的目的之一是提高具有氧化物半导体膜的晶体管的场效应迁移率及可靠性。本发明的一个方式包括：栅电极；栅电极上的绝缘膜；绝缘膜上的氧化物半导体膜；以及氧化物半导体膜上的一对电极，其中，氧化物半导体膜包括第一氧化物半导体膜及第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜，第一氧化物半导体膜是In氧化物或In‑Zn氧化物，第二氧化物半导体膜是In‑M‑Zn氧化物(M为Al、Ga或Y)，并且，第二氧化物半导体膜包括In原子的数量为In、M和Zn原子的总数的40％以上且50％以下的区域及M原子的数量为
半导体装置包括显示装置

[发明专利]氮氧化物纳米片及其制备方法和光催化剂、光催化抗菌剂-CN202111075195.2有效
发明人：薛冬峰;王鑫;王晓明 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本申请涉及光催化材料技术领域，提供了一种氮氧化物纳米片及其制备方法和光催化剂、光催化抗菌剂，其中，所述层状氧化物含挥发金属元素；沿所述层状氧化物的[001]晶相方向，将所述层状氧化物进行剥离处理，获得氧化物纳米片；将所述氧化物纳米片进行氮化处理，获得氮氧化物纳米片。通过对层状氧化物进行剥离处理所得到的超薄的片状形貌便于光生电荷快速移动到表面，显著提高了电荷分离效率，进而有效改善氮氧化物纳米片光催化水分解活性；此外，氧化物纳米片中所含的挥发金属元素在氮化处理过程中从氧化物纳米片表面挥发，其余元素在氨气氛围下定向转化为氮氧化物纳米片，在保留原始的片状形貌的同时解决了传统氮氧化物晶面只暴露低活性晶面的问题。
氧化物纳米及其制备方法光催化剂光催化抗菌剂

[发明专利]染料敏化太阳能电池及其制造方法-CN201110170374.4无效
发明人：尾花良哲;铃木祐辅;村上洋介 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-06-20 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： H01G9/04 文献下载
摘要：该光电转换元件包括电极，该电极具备含有纺锤形锐钛型钛氧化物颗粒的钛氧化物层。本发明也提供了一种用于制造该光电转换元件的方法。该方法可以包括如下步骤：提供透明导电层；形成含有过氧改性的锐钛型钛氧化物颗粒的钛氧化物层，该钛氧化物层与该透明导电层相邻；以及烧结该钛氧化物层。形成该钛氧化物层的步骤可以包括形成多孔钛氧化物层，以及将该多孔钛氧化物层浸渍在含有过氧改性的锐钛型钛氧化物颗粒的分散体中。可替换地，形成该钛氧化物层的步骤可以包括将含有过氧改性的锐钛型钛氧化物颗粒的钛氧化物胶涂布到该透明导电层。
染料太阳能电池及其制造方法

[发明专利]一种除氮氧化物的新型催化体系及其制备方法-CN201811600475.9在审
发明人：乔培根 -专利权人：乔培根
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： B01J31/34 文献下载
摘要：本发明属于除氮氧化物领域，提供了一种除氮氧化物的新型催化体系，组分至少包含载体、还原剂、催化剂、活性助剂；所述载体为多孔聚酰亚胺；所述还原剂为NH₃和/或H₂S；所述催化剂选自铂氧化物、钯氧化物、钴氧化物、镍氧化物、锰氧化物、金属钼、铜铬系、铁铬系中的一种或多种的组合；所述活性助剂为稀土氧化物。
氮氧化物新型催化体系活性助剂还原剂催化剂多孔聚酰亚胺稀土氧化物铂氧化物锰氧化物镍氧化物钯氧化物钴氧化物金属钼铁铬铜铬制备

[发明专利]显示基板-CN201110008745.9有效
发明人：金己园;尹甲洙;金度贤;李贤贞 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-01-17 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：该显示基板包括：设置在基板上的栅互连；设置在该栅互连上且包括氧化物半导体的氧化物半导体图案；以及设置在该氧化物半导体图案上的数据互连。该氧化物半导体图案包括：具有第一氧化物和第一元素的第一氧化物半导体图案；以及具有第二氧化物的第二氧化物半导体图案。
显示

[发明专利]具有涂覆碳化硼的金属氧化物/磷酸盐的燃料电池催化剂载体及其制备方法-CN200880131198.X无效
发明人： B·默佐圭;M·邵;L·V·普罗特塞罗 -专利权人： UTC电力公司
申请日： 2008-09-19 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01M4/96 文献下载
摘要：一种燃料电池催化剂载体包括含有金属氧化物和/或金属磷酸盐的载体结构，且在该载体结构上涂覆有碳化硼层。示例性的金属氧化物包括钛氧化物，锆氧化物，钨氧化物，钽氧化物，铌氧化物，以及钇、钼、铟和锡的氧化物，及其磷酸盐。碳化硼层可通过例如化学或机械方式设置在该载体结构上。最后，催化剂层沉积在该碳化硼层上。
具有碳化金属氧化物磷酸盐燃料电池催化剂载体及其制备方法

[发明专利]一种铜锆铈复合氧化物催化剂及其制备方法-CN202010006663.X在审
发明人：吴培华;雷泽;乌巴特;蔡美慧;靳现林;杨志宾 -专利权人：神华新能源有限责任公司;中国矿业大学（北京）
申请日： 2020-01-03 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： B01J23/83 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜锆铈复合氧化物催化剂，包括锆铈复合氧化物载体和活性组分铜。本发明还公开了上述催化剂的制备方法，包括如下步骤：S1.使铈源、锆源和沉淀剂反应，得到锆铈复合氧化物；S2.使改性剂与所述锆铈复合氧化物反应，得到改性的锆铈复合氧化物；S3.使铜源与所述改性的锆铈复合氧化物反应，得到铜锆铈复合氧化物；S4.对所述铜锆铈复合氧化物进行洗涤、焙烧处理，得到所述铜锆铈复合氧化物催化剂。本发明的方法可在在锆铈复合氧化物表面形成高度分散的CuO，制备高性能铜锆铈复合氧化物催化剂，可用于CO的选择性氧化。
一种铜锆铈复合氧化物催化剂及其制备方法

[发明专利]用于通过火焰喷雾热解制备涂覆有氧化硅的颗粒的方法-CN202080090054.5在审
发明人：瓦莱丽·珍妮-罗斯;亨利·萨曼;扬尼斯·德利贾纳基斯;玛利亚·卢卢蒂 -专利权人：欧莱雅
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： C01F5/06 文献下载
摘要：本发明涉及用于通过火焰喷雾热解技术制备涂覆有氧化硅的氧化物颗粒、特别是金属氧化物颗粒的方法，涂覆有氧化硅的氧化物颗粒、特别是金属氧化物颗粒，以及包含所述颗粒的组合物。本发明还涉及由此种方法得到的涂覆有氧化硅的特定氧化物颗粒、特别是金属氧化物颗粒，包含此类颗粒的组合物以及其用途。
用于通过火焰喷雾制备涂覆有氧化颗粒方法

[其他]超导氧化物和超导氧化金属复合物的制备方法-CN88101708无效
发明人：格雷戈里·J·尤力克;约翰·B·范德山迪 -专利权人：麻省理工学院
申请日： 1988-03-26 - 公布日： 1988-10-05 - 主分类号： H01B12/00 文献下载
摘要：超导氧化物的制备方法是将氧化物的金属元素组合成合金，接着将该合金氧化成氧化物。贵金属相与氧化物相紧密混合制备的超导氧化金属复合物具有改进的机械性能。可提供各种各样有用形式的超导氧化物和超导氧化金属复合物。
超导氧化物氧化金属复合物制备方法

[发明专利]金属超导氧化物的制造方法及其制成品-CN88101708.6无效
发明人：格雷戈里·J·尤力克;约翰·B·范德山迪 -专利权人：麻省理工学院
申请日： 1988-03-26 - 公布日： 1998-04-15 - 主分类号： H01B12/00 文献下载
摘要：超导氧化物的制备方法是将氧化物的金属元素组合成合金，接着将该合金氧化成氧化物。贵金属相与氧化物相紧密混合制备的超导氧化金属复合物具有改进的机械性能。可提供各种各样有用形式的超导氧化物和超导氧化金属复合物。
金属超导氧化物制造方法及其制成品

[发明专利]结构物、该结构物的制造方法、半导体元件以及电子电路-CN201780062422.3在审
发明人：霍间勇辉;川岛绘美;长崎义和;关谷隆司;上冈义弘 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2017-10-11 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种结构物，包含金属氧化物半导体层与贵金属氧化物层，所述金属氧化物半导体层与所述贵金属氧化物层邻接，所述贵金属氧化物层的膜厚超过10nm。
贵金属氧化物层结构物金属氧化物半导体层半导体元件电子电路邻接膜厚制造

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201810335239.2有效
发明人：山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2013-08-01 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：其包括在其中层叠有第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层以及第三氧化物半导体层的氧化物半导体叠层，与氧化物半导体叠层接触的源电极层以及漏电极层，与氧化物半导体层重叠的栅电极层(在所述氧化物半导体层和所述栅电极层之间设置有栅极绝缘层)，以及第一氧化物绝缘层及第二氧化物绝缘层(在所述第一氧化物绝缘层及所述第二氧化物绝缘层之间夹有氧化物半导体叠层)。第一至第三氧化物半导体层中的每个包含铟、镓及锌。第二氧化物半导体层中的铟的比例比第一及第三氧化物半导体层中的每个的铟的比例多。第一氧化物半导体层是非晶的。第二及第三氧化物半导体层都具有晶体结构。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]聚合组合物、其制造方法和包含其的制品-CN202180085913.6在审
发明人：艾伦·詹姆斯·莱塞;丹尼尔·斯科特·卡马尔达;安娜·玛丽亚·米勒-克里斯塔多罗;马丁·林嫩布林克;马库斯·许特;约翰·达盖尔-布拉德福德 -专利权人：马萨诸塞大学;巴斯夫欧洲公司
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C08G18/32 文献下载
摘要：本申请公开了泡沫组合物，该泡沫组合物包含：含有第一缩水甘油基环氧化物和/或第一非缩水甘油基环氧化物的第一环氧化物；含有第二缩水甘油基环氧化物和/或第二非缩水甘油基环氧化物的第二环氧化物；引发剂；以及稀释剂；其中，第一缩水甘油基环氧化物不同于第二缩水甘油基环氧化物，且其中第一非缩水甘油基环氧化物不同于第二非缩水甘油基环氧化物；其中，第一环氧化物和第二环氧化物是阳离子可聚合的；其中，基于该组合物的总重量，稀释剂以约0.1至30wt％存在；其中，在外部刺激下，该组合物在空间传播的反应前沿或在整个组合物中发生的全局反应中经历离子聚合反应。
聚合组合制造方法包含制品

[发明专利]一种复合氧化物载体及其制备方法-CN202010447294.8在审
发明人：乐毅;毛祖旺;彭晖;杨晨熹;铁锴 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司北京化工研究院
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： B01J21/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合氧化物载体及其制备方法，其中，所述复合氧化物选自氧化铝和其它氧化物的组合，所述其它氧化物选自氧化硅、氧化钛、氧化钡和氧化钙中至少一种；在所述复合氧化物载体中含有卤素元素，所述卤素元素占所述复合氧化物载体总重量的所述方法包括以下步骤：将粉末原料混合，所述粉末原料包括复合氧化物、扩孔剂和成型剂；加入含卤素元素的有机物，混合；加入酸性水溶液后捏合成型、切粒；干燥焙烧得到所述复合氧化物载体。利用本发明所述方法得到高比表面积、高孔容、低堆密度等综合性能较好的复合氧化物载体。
一种复合氧化物载体及其制备方法

[发明专利]一种载体及其制备方法和催化剂及其制备方法、应用-CN202210590805.0在审
发明人：黄家辉;张军营;谢妍 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： B01J23/745 文献下载
摘要：本申请公开了一种载体及其制备方法和催化剂及其制备方法、应用，所述载体包括氧化物I和氧化物II，所述氧化物II包裹在所述氧化物I上；所述氧化物II包裹在所述氧化物I上的载量为1～15wt％，通过在氧化物I表面沉积一层抗烧结的氧化物II，形成包裹型氧化物载体，然后再将贵金属和氧化物III一起沉淀到载体的表面，制成贵金属载量为0.1～5wt％的催化剂。
一种载体及其制备方法催化剂应用

首页
«上一页
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条