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[发明专利]一种扩散氢的分析装置及分析方法-CN201610266015.1在审
发明人：郑子行;崔伟;梁丽;田海义;段旭川;陈峰 -专利权人：天津大桥焊材集团有限公司
申请日： 2016-04-25 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： G01N21/84 文献下载
摘要：本发明公开了一种扩散氢的分析装置及分析方法，其装置包括：扩散氢释放炉，扩散氢吸附管和显微镜。其方法如下：(1)在400℃下加热含有扩散氢的金属试样，使扩散氢被释放，(2)释放出的扩散氢被载气载入到吸附管，使扩散氢在150℃-550℃与吸氢金属反应被固定，(3)将反应后的吸氢金属在显微镜下观察金属表面的变化程度进而来分析扩散氢的含量
一种扩散分析装置方法

[发明专利]储氢结构-CN200680010484.1无效
发明人：筱沢民夫;松永朋也 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2006-03-31 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： C01B3/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种吸氢量较大并且室温附近的吸氢速率较快的储氢结构。该储氢结构包括：包含镁或镁基吸氢合金的吸氢层；和氢扩散层，其布置成将所述吸氢层夹在所述氢扩散层之间并包含氢扩散材料。
结构

[发明专利]奥氏体不锈钢及其除氢方法-CN200980106703.X无效
发明人：村上敬宜;松冈三郎;峯洋二;金崎俊彦 -专利权人：独立行政法人产业技术综合研究所
申请日： 2009-02-09 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： C21D6/00 文献下载
摘要：本发明着眼于成为奥氏体不锈钢的氢脆性原因的扩散性氢及非扩散性氢，提供除去其的奥氏体不锈钢及其除氢方法。为了除去成为本奥氏体不锈钢的氢脆性原因的扩散性氢及非扩散性氢，将奥氏体不锈钢边保持在大气环境下，边以200℃以上、1100℃以下的加热温度加热而进行时效处理。由此，使奥氏体不锈钢含有的氢(H)除去至0.001质量％(1质量ppm)以下。
奥氏体不锈钢及其方法

[发明专利]一种评价搪瓷用钢鳞爆性能的方法-CN201910215534.9有效
发明人：吴玮巍;周庆军;刘明亮;王双成;陶孝勇 -专利权人：宝山钢铁股份有限公司
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： G01N5/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种评价搪瓷用钢鳞爆性能的方法，其包括步骤：(1)对搪瓷钢样板进行充氢，直至搪瓷钢样板内的可逆氢陷阱和不可逆氢陷阱都被氢充满；(2)以第一温度对搪瓷钢样板进行第一次加热，以使搪瓷钢样板内的可逆氢陷阱捕获的氢全部扩散析出；(3)以第二温度对搪瓷钢样板进行第二次加热，以使搪瓷钢样板内的不可逆氢陷阱捕获的氢全部扩散析出，并检测扩散析出的搪瓷钢样板中的不可扩散氢的质量；第二温度高于第一温度；(4)基于检测到的不可扩散氢的质量得到单位质量的搪瓷钢样板中的不可扩散氢的质量该方法可以精确测量搪瓷用钢中不可逆氢陷阱捕获氢能力，并且评价结果更为准确可靠。
一种评价搪瓷用钢鳞爆性能方法

[发明专利]一种氢溴储能电池结构-CN201110435992.7有效
发明人：邵志刚;张林松;俞红梅;衣宝廉 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2011-12-22 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H01M8/18 文献下载
摘要：一种氢溴储能电池结构，由依次叠合的溴电极扩散层、溴电极、电解质膜、氢电极和氢电极扩散层组成；所述溴电极扩散层为具有催化活性的耐腐蚀扩散层，溴电极为亲水电极，氢电极为疏水电极，氢电极扩散层为疏水扩散层，电解质膜为质子交换膜或纳米微孔膜
一种氢溴储能电池结构

[发明专利]氧化物半导体薄膜晶体管及其制作方法-CN201510580206.0有效
发明人：王培筠;胡晋玮;陈佳楷;黄雅琴;许庭毓 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2015-09-14 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种氧化物半导体薄膜晶体管，包括图案化氧化物半导体层、图案化栅极介电层、栅极、氢扩散控制层、一氢来源层、源极以及漏极。图案化氧化物半导体层设置于一基板上。图案化栅极介电层设置于图案化氧化物半导体层上。氢扩散控制层设置于栅极与图案化氧化物半导体层上，且氢扩散控制层包覆栅极与图案化栅极介电层。氢来源层设置于氢扩散控制层以及图案化氧化物半导体层上，源极漏极设置于氢来源层上，且氢来源层的含氢量大于氢扩散控制层的含氢量。
氧化物半导体薄膜晶体管及其制作方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200510107113.2有效
发明人：和泉宇俊 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2005-09-28 - 公布日： 2006-12-13 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明提供一种具有以氢扩散阻挡膜覆盖的层间绝缘膜的半导体器件及其制造方法。在半导体衬底上形成由绝缘材料制成的层间绝缘膜。在层间绝缘膜上形成氢扩散阻挡膜，该氢扩散阻挡膜由氢扩散阻挡能力高于层间绝缘膜材料的材料制成。对形成有层间绝缘膜和氢扩散阻挡膜的半导体衬底进行热处理。即使在形成氢扩散阻挡膜之后进行退火处理，也难以在下面的层间绝缘膜中形成裂缝。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN200810149007.4有效
发明人：和泉宇俊 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2005-09-28 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种具有以氢扩散阻挡膜覆盖的层间绝缘膜的半导体器件的制造方法。在半导体衬底上形成由绝缘材料制成的层间绝缘膜。在层间绝缘膜上形成氢扩散阻挡膜，该氢扩散阻挡膜由氢扩散阻挡能力高于层间绝缘膜材料的材料制成。对形成有层间绝缘膜和氢扩散阻挡膜的半导体衬底进行热处理。即使在形成氢扩散阻挡膜之后进行退火处理，也难以在下面的层间绝缘膜中形成裂缝。
半导体器件制造方法

[发明专利]使扩散式氮氢检漏仪不受环境本底影响的装置-CN201310412243.1无效
发明人：艾子蔚;刘德亮 -专利权人：博益（天津）气动技术研究所有限公司
申请日： 2013-09-11 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： G01M3/20 文献下载
摘要：本发明提供一种使扩散式氮氢检漏仪不受环境本底影响的装置，包括开关阀、储气罐、进气阀、罩盒、扩散式氮氢检漏仪，且依次串联气路连接；被测物局部或全部位于罩盒内，罩盒还连接一排气阀，开关阀与储气罐间联接一压力控制器；本发明用于辅助扩散式氮氢检漏仪的泄漏检测，避免了环境本底对检测的影响，提高了扩散式氮氢检漏仪的稳定性、正确性和精度，解决了扩散式氮氢检漏仪的弊端，降低了扩散式氮氢检漏仪对用户现场环境本底的限制要求。
扩散式氮氢检漏不受环境本底影响装置

[实用新型]使扩散式氮氢检漏仪不受环境本底影响的装置-CN201320563612.2有效
发明人：艾子蔚;刘德亮 -专利权人：博益（天津）气动技术研究所有限公司
申请日： 2013-09-11 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： G01M3/20 文献下载
摘要：本实用新型提供一种使扩散式氮氢检漏仪不受环境本底影响的装置，包括开关阀、储气罐、进气阀、罩盒、扩散式氮氢检漏仪，且依次串联气路连接；被测物局部或全部位于罩盒内，罩盒还连接一排气阀，开关阀与储气罐间联接一压力控制器；本实用新型用于辅助扩散式氮氢检漏仪的泄漏检测，避免了环境本底对检测的影响，提高了扩散式氮氢检漏仪的稳定性、正确性和精度，解决了扩散式氮氢检漏仪的弊端，降低了扩散式氮氢检漏仪对用户现场环境本底的限制要求
扩散式氮氢检漏不受环境本底影响装置

[发明专利]一种快速准确测量焊缝金属中扩散氢含量的方法-CN201710464661.3在审
发明人：倪磊;钱刚;许晓红;白云;范海东 -专利权人：江阴兴澄特种钢铁有限公司
申请日： 2017-06-19 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： G01N27/62 文献下载
摘要：本发明涉及一种快速准确测量焊缝金属中扩散氢含量的方法，属于钢铁理化检验技术领域。该方法通过把焊缝金属试样置入到高真空状态下的电气炉中加热，按照工艺要求的程序加热，使焊缝中扩散氢获得能量而加速扩散，同时用高精度质谱仪进行联测。实现了快速准确高效测量焊缝金属中扩散氢含量，克服了以前传统方法测量扩散氢含量周期长、精度低、毒性大、污染环境等缺点。
一种快速准确测量焊缝金属扩散含量方法

[发明专利]一种真空扩散连接TiAl金属间化合物的方法-CN200710144686.1无效
发明人：何鹏;冯吉才;王明;刘永斌;黄麟 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2007-11-28 - 公布日： 2008-05-14 - 主分类号： B23K20/16 文献下载
摘要：一种真空扩散连接TiAl金属间化合物的方法，它属于TiAl金属间化合物焊接领域。它解决了现有TiAl金属间化合物扩散连接技术中扩散连接温度高、扩散连接压力大的技术不足。本发明用置氢钛或钛合金箔片作为扩散连接中间层，利用钛在扩散连接温度下能形成Ti₃Al+TiAl双相(α2+γ)组织，有利于形成高强度的TiAl金属间化合物扩散连接接头。而且由于氢导致钛或钛合金热变形流动应力的下降，热塑性的增加，从而使置氢钛或钛合金在高温下易于变形；同时氢在钛或钛合金中的自扩散和溶质扩散能力较高，特别是在β相内更高，因而氢可以加速合金元素的扩散，降低原子结合能，减小扩散激活能，提高扩散协调变形能力，可以在相对较低的温度下实现TiAl金属间化合物接头可靠的扩散连接。
一种真空扩散连接 tial 金属化合物方法

[发明专利]一种用于应力场中氢扩散测量的加载装置及加载方式-CN200910219680.5无效
发明人：权高峰 -专利权人：大连交通大学
申请日： 2009-11-04 - 公布日： 2010-05-12 - 主分类号： G01N17/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于应力场中氢扩散测量的加载装置及加载方式，采用加载框架和加载条施加载荷1和/或采用轴向加载台施加载荷2，配合氢渗透双电解池，可实现在一定范围内任意改变薄膜内氢渗透方向上的力学场，即应力场大小、方向及其梯度，从而改变氢扩散的条件，模拟实际材料中氢的扩散条件，广泛应用于测量指定应力场中金属氢通量、氢扩散系数，对石油天然气钻采、输运设备、加氢反应器装置、油气输送设备、海洋固定结构、海底管线等使用的钢铁材料和钛合金等进行氢腐蚀、氢渗透以及氢脆敏感性的检测提供了一种先进的技术手段。
一种用于力场扩散测量加载装置方式

[发明专利]化学和电化学电池电子器件保护系统-CN202310259559.5在审
发明人： D·A·基恰耶夫;M·科恩布鲁斯;K·加德拉布;J·麦罗阿;C·图费尔 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01M8/0662 文献下载
摘要：一种电化学系统，其包括将该系统物理地分隔成富氢区和贫氢区的氢扩散阻隔件、位于贫氢区中并且暴露于从富氢区扩散的氢的电子组件、位于富氢区和贫氢区中的氢泵，该氢泵包括：阴极、阳极、分隔阴极和阳极的电解质、接触阳极和电解质的一部分的阳极封装、以及外部电路，该外部电路被偏置为将H+电流从阳极驱动到阴极，以将从富氢区扩散到贫氢区中的氢泵送回富氢区中。
化学电化学电池电子器件保护系统

[发明专利]一种置氢Ti2-CN202010350732.9在审
发明人：李细锋;朱富慧;陈军 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： B23K20/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种置氢Ti2AlNb基合金与TC4钛合金低温扩散焊方法，将置氢的Ti2AlNb基合金与TC4钛合金置于包套内，将包套抽真空并保持密封，将密封的包套置于热压设备上压头和下压头之间，升至设定的扩散焊温度后，通过上、下压头对包套施加设定的扩散焊压力，保温保压一段时间后卸压，随炉冷却。本发明采用包套限制氢的逸出，使扩散焊始终处于氢氛围条件下进行，解决真空条件下氢的逸出导致置氢作用显著下降的问题。该方法所获得的扩散焊接头具有韧性断裂特征，接头剪切强度高，无界面孔洞及裂纹等，且操作简单，对扩散焊设备无特殊要求。
一种 ti base sub

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