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[发明专利]一种二极管电学特性曲线绘制方法及测试设备-CN201710796675.5有效
发明人：廖勇波 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2017-09-06 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：其中，该方法包括：在对二极管输入第一预设占空比D1的脉冲信号进行测试时，获取二极管处于最高结温下的最大正向平均电流及与最大正向平均电流对应的正向直流电压；根据第一预设占空比D1对应的最大正向平均电流与正向直流电压，计算出功率损耗；确定二极管的结到壳的热阻参数；根据二极管的结到壳的热阻参数与功率损耗，计算出最大功率损耗；根据第一预设占空比D1对应的最大正向平均电流、正向平均电流对应的功率损耗及最大功率损耗，绘制第一预设占空比D1对应的最大正向平均电流与功率损耗的关系曲线。
一种二极管电学特性曲线绘制方法测试设备

[发明专利]光伏汇流箱的能效分析方法及装置-CN201510849889.5在审
发明人：杨晓波;王婷;王萍;周丽霞;袁瑞铭;易忠林;丁恒春;沈宇;徐占河;席晓宇 -专利权人：国网冀北电力有限公司电力科学研究院;华北电力科学研究院有限责任公司;国家电网公司
申请日： 2015-11-27 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： H02S40/34 文献下载
摘要：一种光伏汇流箱的能效分析方法及装置，该能效分析方法包括：利用防反二极管的伏安特性，根据防反二极管的导通电流获取防反二极管的通态压降；根据所述通态压降及导通电流计算单个防反二极管的正向导通损耗；根据所述正向导通损耗计算单个防反二极管的正向导通近似损耗；获取根据光伏汇流的个数及防反二极管个数，根据光伏汇流的个数、防反二极管个数及所述正向导通近似损耗生成光伏汇流箱产生的总功率损耗；根据光伏汇流箱的总输入功率及所述光伏汇流箱产生的总功率损耗生成光伏汇流箱的能效值并输出所述能效值本发明通过分析和研究光伏汇流箱在工作过程中的功率损耗，能够确定各个组件对功率损耗的影响，为提高光伏发电效率提供了基础。
汇流能效分析方法装置

[发明专利]半导体装置以及使用该半导体装置的电力变换装置-CN201010254534.9有效
发明人：森睦宏 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2010-08-11 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：现有技术存在的问题是，电力变换装置中使用的使用现有的pn结的续流二极管，由于将使用寿命控制得较短，因此正向电压大且导通损耗大。另外，在反向恢复时反向恢复电流大且开关损耗大，电力变换装置的损耗大。本发明在正向电流流动时，使电流在正向电压小的pn二极管中流动，而在反向恢复时在反向恢复电流小的肖特基二极管中进行反向恢复。另外，本发明具有pn二极管与肖特基二极管的切换单元。由于降低了续流二极管的正向电压并且减小了反向恢复损耗，因此可以提供损耗小的半导体装置以及使用该半导体装置的电力变换装置。
半导体装置以及使用电力变换

[发明专利]具有Al组分的双波导半导体激光器结构及其制备方法-CN202210267493.X有效
发明人：董海亮;胡雪莹;许并社;梁建;贾志刚;贾伟 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本发明涉及半导体光电子学技术领域；Al组分正向渐变的单波导结构波导层的载流子损耗较大，反向渐变结构远场发散角小，内损耗严重，载流子的损耗和泄漏导致980 nm半导体激光器的阈值电流增大，工作电压增加，本发明提供一种具有Al组分的双波导半导体激光器结构及其制备方法，波导层内波导Al组分正向渐变，外波导Al组分反向渐变的双波导结构，正向渐变内波导结构提高了有源区载流子的限制能力，反向渐变外波导提高了波导层的载流子限制能力，本发明解决载流子泄漏和光学损耗严重的问题，降低了非辐射复合和泄漏电流，从而降低激光器的串联电阻和工作电压，提高激光器的输出功率和电光转换效率。
具有 al 组分波导半导体激光器结构及其制备方法

[发明专利]一种逆阻型IGBT及其制造方法-CN201710986427.7有效
发明人：张金平;赵倩;刘竞秀;李泽宏;任敏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-10-20 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明通过在在沟槽栅一侧引入浮空P型体区以及在集电区和场阻止层之内引入沟槽集电极结构，在不影响IGBT器件阈值电压和开通的情况下，提高了器件的正向击穿电压；减小栅极‑集电极电容，改善密勒效应带来的不利影响；降低整体栅极电容，提高器件的开关速度，降低器件的开关损耗，改善传统CSTBT器件正向导通压降与关断损耗之间的折中关系；避免器件开启动态过程中电流、电压振荡和EMI问题，提高器件可靠性；提高器件发射极端的载流子增强效应，改善漂移区的载流子浓度分布，进一步改善正向导通压降与关断损耗的折中；提高器件的反向击穿电压，在保证器件良好的正向特性的同时获得优异的反向阻断性能。
一种逆阻型 igbt 及其制造方法

[发明专利]一种确定直流避雷器电阻片的老化特性的方法及系统-CN202010692213.0有效
发明人：赵霞;张搏宇;郭璊;贺子鸣;时卫东;沈海滨;吕雪斌 -专利权人：中国电力科学研究院有限公司;国网湖北省电力有限公司;国家电网有限公司
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种确定直流避雷器电阻片的老化特性的方法及系统，包括：测量电阻片在加速老化试验前的第一正向直流参考电压、第一反向直流参考电压以及预设倍数的标称放电电流下的第一正向残压和第一反向残压；对所述电阻片进行加速老化试验，获取所述电阻片的功率损耗开始值、功率损耗最大值和功率损耗最小值；测量所述电阻片在加速老化试验后的第二正向直流参考电压、第二反向直流参考电压以及预设倍数的标称放电电流下的第二正向残压和第二反向残压；按照预设的老化特性判据
一种确定直流避雷器电阻老化特性方法系统

[发明专利]基于PT对称原理的频率可调非互易传输系统及其检测方法-CN202211120484.4在审
发明人：周怿;董蕾;黄庆安 -专利权人：东南大学
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：本发明公开一种基于PT对称原理的频率可调非互易传输系统及其检测方法，该电路系统包括：电感‑电容‑正电阻并联谐振的损耗谐振模块，可调耦合模块,以及电感‑电容‑负电阻并联的增益谐振模块；其中损耗谐振模块与增益谐振模块通过可调电容耦合模块连接构成PT对称系统；信号从损耗谐振模块往增益谐振模块传输为正向传输，反之为反向传输。通过改变可调电容耦合模块改变损耗模块与增益模块之间的耦合系数，从而改变系统的传输频率。调节传输信号幅值，利用增益谐振模块中负电阻的饱和性质实现正向传输系数与反向传输系数的差异，实现非互易传输。该系统具有高非互易比，低插入损耗等优点。
基于 pt 对称原理频率可调非互易传输系统及其检测方法

[发明专利]一种高压柔直换流阀IGBT模块温度场分布的仿真计算方法与系统-CN202210429435.2在审
发明人：刘黎;俞恩科;王勇;詹志雄;许鑫;甘纯;王有元;郑荣亮;钱伟荣 -专利权人：国网浙江省电力有限公司舟山供电公司;重庆大学
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：一种高压柔直换流阀IGBT模块温度场分布的仿真计算方法，包括：建立换流阀电路仿真模型，并设置仿真模型的运行参数；基于电路仿真模型，获得IGBT芯片的集电极电流与集射极电压，FRD芯片的正向压降和正向电流；根据IGBT芯片的集电极电流与集射极电压，以及FRD芯片的正向压降和正向电流，分别计算IGBT芯片以及FRD芯片的总损耗；代入IGBT芯片以及FRD芯片的总损耗，建立IGBT模块的有限元仿真模型；基于有限元仿真模型
一种高压换流 igbt 模块温度场分布仿真计算方法系统

[发明专利]一种多模混合动力汽车模式切换图的正向设计方法-CN201910391283.X有效
发明人：庄伟超;罗凯;殷国栋;叶建伟;耿可可;黄泽豪;刘好;唐卓人 -专利权人：东南大学
申请日： 2019-05-12 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： B60W40/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种多模混合动力汽车模式切换图的正向设计方法，从能量效率、模式切换能量损耗与最大输出扭矩等多个角度对模式切换图进行讨论与分析，并从中总结出一套多模混合动力汽车模式切换图的正向设计方法。不仅能够提高车辆经济性，还能提高模式切换的平顺性，降低由模式切换引起的冲击与能量损耗。
一种混合动力汽车模式切换正向设计方法

[实用新型]多通道光插回损测试仪-CN201220440139.4有效
发明人：尹晓民 -专利权人：上海光之虹光电通讯设备有限公司
申请日： 2012-08-31 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： G01M11/02 文献下载
摘要：公开了一种多通道光插回损测试仪，包括光源组、多个光分路器、偏振控制器、内置探测器多路光功率计、主控器和与主控器线路连接的外置探测器参考光功率计；具有1个或2个正向输出测试端口和多个正向输入测试端口，正向输出本实用新型消除了因连接损耗不确定引起的误差；多通道插回损、偏振相关损耗实时测量，测量效率高。
通道光插回损测试仪

[发明专利]确定逆变器的半导体结构元件的损耗功率的方法和装置-CN202211353548.5在审
发明人： S·普夫茨纳;F·韦恩德 -专利权人：大众汽车股份公司
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H02M7/5387 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于确定逆变器的半导体结构元件的损耗功率的方法，其中，针对逆变器的每个半桥接收或检测当前的相电流，由调节装置接收用于操控半桥的可控制的半导体结构元件的当前的开关信号和/或开关时间，在考虑相电流方向的情形下由相电流、相应的占空比和相应的电流‑电压特性曲线出发确定半导体结构元件的正向损耗功率，在考虑相电流方向的情形下由接通能量、断开能量和反向恢复能量和接通过程的数量和断开过程的数量出发确定半导体结构元件的开关损耗功率；且其中，由所确定的正向损耗功率和所确定的开关损耗功率确定和提供半导体结构元件的总损耗功率，且其中，损耗功率的确定以逆变器的调节装置的调节节拍进行。
确定逆变器半导体结构元件损耗功率方法装置

[发明专利]一种逆阻型IGBT及其制造方法-CN201710998712.0在审
发明人：张金平;赵倩;刘竞秀;李泽宏;任敏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-10-20 - 公布日： 2018-03-13 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：及其制造方法，属于半导体功率器件技术领域，本发明通过引入沟槽发射极和沟槽集电极结构，在不影响IGBT器件阈值电压和开通的情况下，提高器件的反向击穿电压；降低整体栅电容，提高器件的开关速度，降低器件的开关损耗和驱动功耗，改善传统CSTBT结构正向导通压降与关断损耗之间的折中；避免器件开启动态过程中的电流、电压振荡和EMI问题，提高器件可靠性；改善沟槽底部电场集中效应，提高器件正向击穿电压，进一步提高器件可靠性；进一步提高器件发射极端的载流子增强效应，改善漂移区的载流子浓度分布，进一步改善正向导通压降与关断损耗的折中。
一种逆阻型 igbt 及其制造方法

[发明专利]一种高速低损耗的多槽栅高压功率器件-CN201910805724.6有效
发明人：魏杰;黄俊岳;马臻;王晨霞;鲁娟;郗路凡;宋旭;罗小蓉;杨永辉;朱坤峰 -专利权人：电子科技大学;重庆中科渝芯电子有限公司
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种高速低损耗的多槽栅高压功率器件。相对与传统结构，本发明在发射极端与集电极端均引入多个槽栅结构。正向导通时，集电极端槽栅侧壁沟道关断，N+集电区与N型缓冲层连通路径被阻断，因而可消除电压折回效应。发射极端槽栅结构不仅增加沟道密度以降低沟道区电阻，而且阻挡槽栅和载流子存储层可有效提高漂移区载流子浓度，因此新器件可获得更低的正向导通压降。关断过程中，随着集电极电压升高，集电极端槽栅侧壁沟道开启，使N+集电区与N型缓冲层连通而形成电子快速抽取路径，加速器件关断以降低关断损耗。因此，本发明具有更小的正向导通压降和关断损耗，而且没有电压折回效应。
一种高速损耗多槽栅高压功率器件

[发明专利]风机的变流器、IGBT模块的结温监测方法和装置-CN201710959481.2有效
发明人：刘佳 -专利权人：北京金风科创风电设备有限公司
申请日： 2017-10-16 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：该IGBT模块的结温监测方法包括：获取IGBT模块的正向峰值电流、IGBT模块的功率因数、IGBT模块的调制比、IGBT模块的开关频率和IGBT模块的当前结温的预估值；根据IGBT模块的正向峰值电流、IGBT模块的功率因数、IGBT模块的调制比、IGBT模块的开关频率和IGBT模块的当前结温的预估值，计算IGBT模块的导通损耗和IGBT模块的开关损耗；根据IGBT模块的导通损耗、IGBT模块的开关损耗和IGBT
风机变流器 igbt 模块监测方法装置

[发明专利]一种光纤故障检测方法、装置、设备及计算机存储介质-CN201910252060.5有效
发明人：王东;李允博;张德朝;赵阳;王磊;李晗 -专利权人：中国移动通信有限公司研究院;中国移动通信集团有限公司
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H04B10/079 文献下载
摘要：该方法包括：在检测到待检测光纤出现故障时，在光纤环路的一端，沿着所述光纤环路的第一方向，测量第一事件点和第二事件点之间的分段光纤的正向损耗值；在所述光纤环路的所述一端，沿着所述光纤环路的第二方向，测量所述分段光纤的反向损耗值；根据所述分段光纤的正向损耗值以及所述分段光纤的反向损耗值，确定是否存在光纤混接的情况；本发明实施例可提高光纤故障检测的效率。
一种光纤故障检测方法装置设备计算机存储介质

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