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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]条形深槽基础开挖设备-CN201910007645.0在审
发明人：李沛海;张涛;张明明;陆航;彭期伟;田佳卉 -专利权人：重庆长征重工有限责任公司
申请日： 2019-01-04 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： E02F5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种条形深槽基础开挖设备，包括由多个刀头依次铰接形成环形封闭的链式刀具、用于驱动链式刀具循环移动的驱动轮，以及用于链式刀具换向的换向轮；驱动轮由驱动电机驱动；驱动轮与换向轮设在支撑杆上，用于张紧所述链式刀具采用本发明的技术方案，本发明提供了一种条形深槽基础开挖设备，通过驱动由多个刀头依次铰接形成环形封闭的链式刀具，使刀头上的刀刃切削土体，能够直接开挖出窄的条形槽，开挖过程简单，施工速度快。
链式刀具驱动轮刀头基础开挖换向轮深槽环形封闭铰接刀刃开挖啮合驱动啮合结构驱动电机循环移动驱动链条形槽支撑杆切削换向里端土体外端张紧刀具施工

[发明专利]具有深槽的车轮轮辋-CN201610154290.4在审
发明人：巴萨姆·诺威伊赫德 -专利权人：福特全球技术公司
申请日： 2016-03-17 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： B60B21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有深槽(4、18)的车轮轮辋，深槽(4、18)设置于轮辋外侧上的轮辋肩部(7)和轮辋内侧上的轮辋肩部(8)之间，轮辋肩部(7、8)在轴向上彼此隔开并且在各自的情况下在轴向外边缘或内边缘终止于轮辋边缘深槽(4、18)以它的整体相对于峰状部(5、6)径向向内偏置并且具有径向内部低轮廓部分(11)和与低轮廓部分(11)相对的向外侧径向偏置的至少一个高轮廓部分(12、20)，从高轮廓部分(12、20)到位于轮辋内侧上的峰状部
具有车轮

[发明专利]深槽和结混合隔离-CN202110010939.6在审
发明人：张志宏;林欣;祝荣华 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2021-01-06 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及深槽和结混合隔离。实施例涉及一种设备，包括横向扩散的金属氧化物半导体(LDMOS)，所述LDMOS包括可连接到漂移区的漏极和可连接到基体区的源极。第一深槽隔离(DTI)在所述源极附近且安置成横向地环绕所述LDMOS。屏蔽结在所述第一DTI附近且在所述源极的相对侧上，且电连接到所述阳极。
混合隔离

[发明专利]溢流砖深槽加工方法-CN202210687714.9在审
发明人：李青;李赫然;何邦明;姜文成;李志军;闫冬成;胡恒广 -专利权人：河北光兴半导体技术有限公司;北京远大信达科技有限公司
申请日： 2022-06-16 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： B28D1/18 文献下载
摘要：本发明涉及玻璃基板生产技术领域，公开了一种溢流砖深槽加工方法，包括：将溢流砖毛坯件装夹固定在机床的工作台面上，使溢流砖毛坯件上的预留槽的底面与机床的工作台面垂直；采用铣刀依序加工预留槽中与工作台面垂直的第一侧壁、预留槽的底面、下侧壁以及上侧壁，其中，铣刀的回转中心线与预留槽的第一侧壁在水平方向呈第一给定夹角、铣刀的回转中心线与预留槽的底面在竖直方向呈第二给定夹角、铣刀的回转中心线与下侧壁以及上侧壁在竖直方向呈第三给定夹角本发明提供的溢流砖深槽加工方法，降低了铣刀铣削过程中对溢流砖毛坯件的冲击，避免溢流砖毛坯件崩裂。
溢流砖深槽加工方法

[发明专利]晶圆深槽腐蚀方法-CN201410033084.9有效
发明人：徐春云;徐振宇 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2014-01-23 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明公开一种晶圆夹具及晶圆深槽腐蚀方法。该晶圆夹具包括外围挡圈，在所述外围挡圈的内表面连接有水平托台，在所述外围挡圈位于所述水平托台上方的内表面上设置有定位平面。在使用本发明的晶圆深槽腐蚀方法对晶圆进行深槽腐蚀后，晶圆与陪片通过光刻胶临时形成的整体具有足够的厚度，传输手臂真空吸住晶圆进行传输时不会传输掉片，从而顺利地完成晶圆的传输，进而保证生产的顺利进行。
夹具晶圆深槽腐蚀方法

[发明专利]活塞体槽深检测装置-CN201610505845.5有效
发明人：易波;杨波阳 -专利权人：成都市龙泉通惠实业有限责任公司
申请日： 2016-07-01 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： G01B21/18 文献下载
摘要：本发明公开了活塞体槽深检测装置，它包括底板以及安装在底板上的中心定位柱、高度测量传感器和直线传递机构，高度测量传感器为多个，且分布在同一圆周上，直线传递机构包括直线导轨、气缸、滑块、推杆和安装座，滑块滑动安装在直线导轨上，滑块的一侧安装有一L型导向块，推杆滑动配合在L型导向块内，且推杆与气缸连接，安装座固定安装在滑块上，且安装座上安装有传感器、弹簧和槽深测试杆，安装座上设置有空腔，传感器的触头和弹簧安装在空腔内，槽深测试杆的触碰端为柱形结构，且槽深测试杆通过安装在安装座上的锁紧螺钉锁紧。
活塞体槽深检测装置

[发明专利]深槽的制作方法-CN201510187465.7有效
发明人：张振兴;奚裴;熊磊 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2015-04-17 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明揭示了一种深槽的制作方法。包括提供前端结构，所述前端结构形成有初始深槽；在所述前端结构上顺次形成AMR层、第一阻挡层和第二阻挡层；在所述初始深槽中填充光刻填充材料层，并覆盖前端结构；形成图案化的第一光阻层，之后对光刻填充材料层进行开口，暴露出位于初始深槽底部的部分第二阻挡层；去除暴露出的位于初始深槽底部的部分第二阻挡层以及其下方的第一阻挡层，暴露出AMR层；去除光刻填充材料层及第一光阻层，形成图案化的第二光阻层，暴露出部分第二阻挡层；去除暴露出的部分第二阻挡层以及其下方的第一阻挡层，暴露出AMR层；去除第二光阻层，获得所需深槽。本方法获得的深槽侧壁及底壁平整，提高了器件的可靠性。
制作方法

[发明专利]深槽隔离工艺方法-CN201910794123.X有效
发明人：王星杰 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种深槽隔离工艺方法，包含：在半导体衬底表面依次形成一层氧化硅层及一层氮化硅层；通过光刻胶定义，对氮化硅层及氧化硅层进行刻蚀，打开欲形成深沟槽的区域，向下刻蚀形成一定深度的沟槽；在沟槽内形成衬垫氧化层
隔离工艺方法

[发明专利]不对称深槽托轮-CN201410095818.6无效
发明人：陈勇 -专利权人：山东科兴机电设备有限公司
申请日： 2014-03-12 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： B61B12/02 文献下载
摘要：一种不对称深槽托轮，其特征在于：包括有通过顶紧螺栓、锁紧螺母、管箍固定在外部钢管上的整个托轮组，所述的管箍一端用于箍住外部钢管，另一端设置有一圆轴，上套有两盘轴承；轴承上还套有轮体，轮体的外部固定有软质深槽轮衬，并设置有压盖，通过压盖，压住软质深槽轮衬，使之随轮体转动所述的轮衬上设置有放置钢丝绳的圆弧轮槽；内外侧轮沿高度相同，轮槽深度至少为40mm，轮槽内外侧采用不对称结构，其外侧，采用与水平面成大于50°的倾角
不对称托轮

[发明专利]深硅槽工艺技术-CN00112286.X无效
发明人：郑宜钧 -专利权人：无锡微电子科研中心
申请日： 2000-05-16 - 公布日： 2003-09-10 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路技术，尤其是指一种制作深硅槽的工艺。在硅衬底上氧化一层几百钠米到1微米厚的介质薄膜；b、涂胶，在介质薄膜层上涂一层尽可能厚的光刻胶，以常规方法光刻、湿法腐蚀介质薄膜，至露出硅衬底窗口为止；c、注入，选择合适的离子和分子离子种类、进行离子注入；d、腐硅槽，本发明具有工艺简单、深硅槽形貌好、无AL等金属沾污等优点。
深硅槽工艺技术

[发明专利]硅的深槽刻蚀方法-CN92103289.7无效
发明人：张利春;钱钢;阎桂珍;王咏梅;王阳元 -专利权人：北京大学
申请日： 1992-05-11 - 公布日： 1993-10-20 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：硅的深槽刻蚀技术是目前超大规模集成电路制造技术中的一项关键工艺。我们发明了一种新的刻蚀硅深槽的方法，采用极薄的Zr或ZrN膜(厚度为300A至1000A)作掩膜，利用反应离子刻蚀设备刻蚀硅槽，刻蚀气体选用对设备危害程度很小的SF6，并附加O2(或N2，或O2+N2)和Ar，在深槽侧壁形成阻挡刻蚀层，结果得到了侧壁垂直的深槽，可广泛应用于集成电路中器件之间的隔离。
刻蚀方法

[实用新型]深孔槽测量量具-CN201420777092.X有效
发明人：张杰;李耀勇;谭庆洪;田祥云;黄强;翁长江;周明元;杨志明 -专利权人：重庆耀勇减震器有限公司
申请日： 2014-12-10 - 公布日： 2015-04-08 - 主分类号： G01B3/26 文献下载
摘要：本实用新型提供一种深孔槽测量量具，包括内径百分表，内径百分表包括依次连接的百分表、表杆和测量座，所述测量部上背对地设置有第一测量头和第二测量头，所述第一测量头安装在测量座内通过定位销固定，所述第二测量头与测量座通过螺纹连接本实用新型第一测量头和第二测量头的结构尺寸合理，设计时将量头顶端设计为锥体加球面，使测量头较好进入到槽孔，准确的测量出槽孔的孔径。而且可以更具不同大小的槽孔更换不同长度的第二测量头，第一测量头可以通过弹簧进行微调，适应内径在小范围内变化的槽孔，第一测量头和第二测量头采用铬不锈钢制成，具有较高硬度和耐磨性。
深孔槽测量量具

[实用新型]深槽活动抱索器-CN201220311284.2有效
发明人：陈勇 -专利权人：山东科兴机电设备有限公司
申请日： 2012-06-29 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： B61B12/12 文献下载
摘要：一种深槽活动抱索器，包括有基体（6）和安装在基体（6）上的整套抱索器，其特征在于：所述基体（6）的中间设置有顶杆（1）穿过的孔，顶杆（1）上套有弹簧（3），顶杆（1）的前端铰接固定有左侧摆动爪（4），左侧摆动爪
活动抱索器

[实用新型]新型简易深槽托辊架-CN201220656152.3有效
发明人：周满山;李鹏;张华;王正涛;孙长征;侯辉 -专利权人：力博重工科技股份有限公司
申请日： 2012-12-04 - 公布日： 2013-05-29 - 主分类号： B65G21/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型简易深槽托辊架，包括边支柱、侧支柱、中支柱和横梁。新型简易深槽托辊架结构合理紧凑，体积小，质量轻，便于运输，能够有效的节省带式输送机的安装空间。
新型简易深槽托辊架

[实用新型]深孔内环槽测量装置-CN201220459371.2有效
发明人：范学江;韩敏;晏效锋;邓秀峰;赵晓琴 -专利权人：中国航空工业第六一八研究所
申请日： 2012-09-10 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： G01B5/08 文献下载
摘要：本实用新型属于新结构内环槽测量装置，尤其是涉及一种用于深孔内环槽直径的测量。所述深孔内环槽测量装置包括基套，双锥杆，测爪，固定套，千分表。
内环测量装置

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