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- [发明专利]半导体装置-CN201380021928.1有效
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岩室宪幸;星保幸;原田祐一;原田信介
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富士电机株式会社
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2013-03-18
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2019-01-29
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H01L29/06
- 在n‑漂移层(2)以及p+区(3)的表面设置p基极层(4),在p基极层(4)设置MOS构造。在活性区(100a)的其他部分,在p+区(3)上设置与源极电极(10)相接的p+区(33)。在耐压构造区(100b),按照包围活性区(100a)的方式,至少由p‑区(21)构成的JTE构造(13)设为与p+区(3)以及p基极层(4)远离。在活性区(100a)和耐压构造区(100b)的边界附近的、未形成MOS构造的部分,p‑区(21)与p+区(33)相接。由此,能够提供具有稳定地表现出高耐压特性的元件构造、且导通电阻低的半导体装置。
- 半导体装置
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