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[发明专利]太阳能电池的电极制作方法-CN200910089818.4无效
发明人：吴桂龙 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2009-07-24 - 公布日： 2011-02-02 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种太阳能电池的电极制作方法，包括：在基底上沉积本征氧化锌薄膜；对所述本征氧化锌薄膜进行掺杂，以形成掺杂氧化锌薄膜。所述掺杂采用离子注入工艺或者扩散工艺。所述离子注入工艺包括：向本征氧化锌薄膜内注入掺杂物，然后对注入后的薄膜进行热处理。所述基底为玻璃基板，则所述掺杂氧化锌薄膜为前电极。采用所述太阳能电池的电极制作方法，将本征氧化锌薄膜沉积工艺和掺杂工艺分为两个步骤，先沉积薄膜而后才进行掺杂，这样一来，薄膜的掺杂浓度或掺杂元素种类就并不依赖于靶材，方便的在更宽的范围内调整掺杂浓度和掺杂元素种类，从而改善掺杂氧化锌薄膜制作工艺的可调性、增大工艺窗口。
太阳能电池电极制作方法

[实用新型]一种硫化亚锡薄膜太阳能电池-CN201520436776.8有效
发明人：罗云荣;陈慧敏;陈春玲 -专利权人：湖南师范大学
申请日： 2015-06-24 - 公布日： 2015-09-23 - 主分类号： H01L31/0445 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硫化亚锡薄膜太阳能电池，所述太阳能电池具有玻璃衬底，在玻璃衬底上制备有P电极和N电极，P电极和N电极呈插指状，P电极上完全覆盖有P型硫化亚锡薄膜，P型硫化亚锡薄膜上完全覆盖有本征氧化锌薄膜，本征氧化锌薄膜与N电极不直接接触，本征氧化锌薄膜表面、N电极表面、本征氧化锌薄膜和N电极之外的间隙完全覆盖有N型硫化锌薄膜，N型硫化锌薄膜上制备有抗反射的氟化镁薄膜。此结构的优点在于，一方面，增加了太阳能电池的光吸收面积；另一方面，利用本征氧化锌的钝化作用，有效减少P型硫化亚锡薄膜和N型硫化锌薄膜的表面缺陷态密度，减少载流子的复合几率，增大光电流，提高太阳能电池的光电转换效率
一种硫化薄膜太阳能电池

[发明专利]一种CIGS太阳能芯片TCO层的制备方法-CN202211351953.3在审
发明人：连重炎;郑威;尚航;曹云虎;吴忧 -专利权人：宣城开盛新能源科技有限公司;宣城先进光伏技术有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及CIGS电池制备方法技术领域，具体涉及一种CIGS太阳能芯片TCO层的制备方法，包括在芯片缓冲层上通过磁控溅射沉积本征氧化锌膜层，溅射的靶材选用0.05‑0.15wt％AL的ZnO靶材，通入的反应气体为氢气和氧气，沉积完成的本征氧化锌膜层厚度为90‑110nm，在本征氧化锌膜层上通过磁控溅射沉积掺杂氧化锌膜层，溅射的靶材选用1.9‑2.1wt％AL的ZnO靶材，通入的工艺气体为氩气，沉积完成的掺杂氧化锌膜层厚度为
一种 cigs 太阳能芯片 tco 制备方法

[发明专利]采用氧化锌层改善性能的金刚石肖特基同位素电池及其制备方法-CN201910735205.7有效
发明人：朱嘉琦;刘本建;代兵;刘康;杨磊;韩杰才 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2019-08-09 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： G21H1/06 文献下载
摘要：采用氧化锌层改善性能的金刚石肖特基同位素电池及其制备方法，本发明属于微能源领域，它为了解决现有同位素电池的短路电流、开路电压以及能量转换效率较低的问题。本发明采用氧化锌层改善性能的金刚石肖特基同位素电池包括放射源、电池肖特基电极、氧化锌层、本征金刚石层、掺硼p型金刚石层和电池欧姆电极，该金刚石肖特基同位素电池从上至下依次由放射源、电池肖特基电极、氧化锌层、本征金刚石层、掺硼p型金刚石层和电池欧姆电极形成叠层结构。本发明在本征金刚石层和肖特基电极之间插入一层氧化锌层，此氧化锌层能够阻挡空穴、同时传输电子，从而起到了减少电子空穴对复合的作用，进而提升能量转换效率。
采用氧化锌改善性能金刚石肖特基同位素电池及其制备方法

[实用新型]一种CIGS基薄膜太阳能电池-CN201520140537.8有效
发明人：李艺明;田宏波 -专利权人：厦门神科太阳能有限公司
申请日： 2015-03-12 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L31/0392 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种CIGS基薄膜太阳能电池，其包括：衬底、背电极层、光吸收层、缓冲层、本征氧化锌膜层、掺杂氧化锌膜层、透明导电窗口层。本实用新型通过在光吸收层上设置一缓冲层可减少硫化镉膜层的厚度，从而减少硫化镉废液的产生量，这可降低电池的制造成本；在本征氧化锌膜层上设置具有高电阻率的掺杂氧化锌膜层，可防止电池内部的泄漏，提高电池的填充因子等
一种 cigs 薄膜太阳能电池

[发明专利]带绒面导电氧化锌薄膜的晶体硅太阳能电池及其制造方法-CN201010607488.6无效
发明人：刘金彪;熊文娟;欧文;李俊峰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-12-27 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：一种带绒面导电氧化锌薄膜的晶体硅太阳能电池及其制造方法，制造方法包括：在电池衬底表面扩散PN结；在所述PN结表面生长本征氧化锌高阻层；在所述本征氧化锌高阻层上制备一层低阻氧化锌薄膜；用稀酸溶液腐蚀所述低阻氧化锌薄膜表面同时透明导电膜替代了传统钝化层，简化了工艺，另外在制绒方面以稀盐酸湿法腐蚀氧化锌，仅需30秒左右，药液的消耗也明显减少，从而降低了成本提高了生产效率。
带绒面导电氧化锌薄膜晶体太阳能电池及其制造方法

[发明专利]一种双结薄膜太阳能电池及其制作方法-CN202111031385.4在审
发明人：陈园;丁志武;雷佳 -专利权人：上饶捷泰新能源科技有限公司
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本申请公开了一种双结薄膜太阳能电池及其制作方法，该电池包括由下至上依次层叠的衬底、背电极、p型CIGS吸收层、n型CdS缓冲层、p型CdTe吸收层、绝缘层、顶电极，绝缘层包括由下至上层叠的本征氧化锌层和n型氧化锌层。本申请电池包括两个吸收层，吸收的光子能量增加，且在p型CIGS吸收层和p型CdTe吸收层两个吸收层之间设置n型CdS缓冲层，从而形成一个梯度的带隙，使得光电转换效率提升；绝缘层设置在顶电极和p型CdTe吸收层之间，隔绝空气中的水汽，防止电池性能失效，并且，绝缘层包括本征氧化锌层和n型氧化锌层两层，本征氧化锌层导电性差，透光性高，减小漏电同时提高光学利用率，进一步提升光电转换效率。
一种薄膜太阳能电池及其制作方法

[发明专利]一种镀纳米氧化锌膜层的玻璃-CN02136643.8无效
发明人：叶志镇;诸葛飞 -专利权人：浙江大学
申请日： 2002-08-20 - 公布日： 2003-02-26 - 主分类号： C03C17/23 文献下载
摘要：本发明的镀纳米氧化锌膜层的玻璃是由玻璃和镀在玻璃表面的纳米氧化锌膜层组成。由于氧化锌能带结构(3.3eV)的本征特点，可透过太阳光的可见光，而吸收绝大部分的紫外光，因此本发明的镀氧化锌膜层玻璃具有很强的屏蔽紫外线功能，而且纳米氧化锌活性高，可以分解有机物，具有自清洁和杀菌、消毒作用
一种纳米氧化锌玻璃

[发明专利]一种镀氧化锌膜层的玻璃-CN02136642.X无效
发明人：叶志镇 -专利权人：浙江大学
申请日： 2002-08-20 - 公布日： 2003-02-26 - 主分类号： C03C17/23 文献下载
摘要：本发明的镀氧化锌膜层的玻璃是由玻璃和镀在玻璃表面的氧化锌膜层组成。由于氧化锌能带结构(3.3eV)的本征特点，可透过太阳光的可见光，而吸收绝大部分的紫外光，因此本发明的镀氧化锌膜层玻璃具有很强的屏蔽紫外线功能。这种镀膜玻璃可以广泛应用于建筑和汽车上。
一种氧化锌玻璃

[发明专利]一种提高薄膜太阳能电池转换效率的方法-CN201410537692.3在审
发明人：汤安东;蒿俊波 -专利权人：广东汉能薄膜太阳能有限公司
申请日： 2014-10-10 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：所述的窗口层包括本征层和掺杂导电层，所述的本征层为本征氧化锌i-ZnO薄膜，所述的掺杂导电层为铝掺杂氧化锌ZnO∶Al薄膜或硼掺杂氧化锌ZnO∶B薄膜，所述的本征层和掺杂导电层均以二乙基锌或二甲基锌作为锌源采用低气压化学气相沉积法沉积成膜，所述的本征层和掺杂导电层依序沉积在N型缓冲层表面。
一种提高薄膜太阳能电池转换效率方法

[实用新型]镀纳米氧化锌膜层的玻璃-CN02266543.9无效
发明人： -专利权人：
申请日： 2002-08-20 - 公布日： 2003-08-13 - 主分类号： C03C17/23 文献下载
摘要：本实用新型的镀纳米氧化锌膜层的玻璃是由玻璃和镀在玻璃表面的纳米氧化锌膜层组成。由于氧化锌能带结构(3.3eV)的本征特点，可透过太阳光的可见光，而吸收绝大部分的紫外光，因此本实用新型的镀氧化锌膜层玻璃具有很强的屏蔽紫外线功能，而且纳米氧化锌活性高，可以分解有机物，具有自清洁和杀菌
纳米氧化锌玻璃

[发明专利]一种氧化锌基透明电极发光二极管及其制作方法-CN201010102817.1有效
发明人：王书方;张建华 -专利权人：上海大学
申请日： 2010-01-29 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧化锌基透明电发光二极管及其制作方法。本发光二极管包括：蓝宝石衬底、缓冲层、本征层、n型氮化镓、量子阱、p型氮化镓、氧化锌基透明电流扩展层、n型金属电极(PAD)、p型金属电极(PAD)，其中缓冲层、本征层、n型氮化镓、量子阱、p型氮化镓是在MOCVD中依次生长完毕；利用干法刻蚀将n型氮化镓暴露出来，利用光刻胶掩膜的方法是利用磁控溅射方法沉积氧化锌基透明电流扩展层，然后再利用热蒸发或电子束蒸发等薄膜沉积方法生长金属电极。该芯片制备工艺先进行p型氮化镓的刻蚀，再进行氧化锌透明电极的沉积，克服了氧化锌与氮化镓不同材料需分别刻蚀的问题。而且由于无须刻蚀氧化锌电极层，节约了工艺时间，简化了生产工艺，提高了生产效率。
一种氧化锌透明电极发光二极管及其制作方法

[发明专利]透明电极发光二极管及其制作方法-CN201010102725.3无效
发明人：王书方;张建华 -专利权人：上海大学
申请日： 2010-01-29 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：本发光二极管包括：蓝宝石衬底、缓冲层、本征层、n型氮化镓、量子阱、p型氮化镓、氧化锌基透明电流扩展层、n型金属电极(PAD)、p型金属电极(PAD)，其中缓冲层、本征层、n型氮化镓、量子阱、p型氮化镓是在MOCVD中依次生长完毕；氧化锌基透明电流扩展层是利用磁控溅射方法沉积在p型氮化镓表面；用湿法刻蚀将氧化锌透明导电层腐蚀掉，再利用干法刻蚀将n型氮化镓暴露出来，利用热蒸发或电子束蒸发等薄膜沉积方法生长金属电极氧化锌材料湿法腐蚀简单，彻底、快捷。氧化锌透明电极提高了LED芯片光提取效率，从而提高LED芯片的可靠性。
透明电极发光二极管及其制作方法

[发明专利]一种氧化锌避雷器电阻片直流老化寿命的预测方法-CN201811025997.0在审
发明人：李盛涛;张磊;何锦强;蔺家骏;周万迪;张升 -专利权人：西安交通大学;全球能源互联网研究院有限公司
申请日： 2018-09-04 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化锌避雷器电阻片直流老化寿命的预测方法，包括：将待测电阻片切成薄片用于介电性能测试；以复介电常数虚部ε″为纵坐标，频率f为横坐标，得到复介电常数虚部ε″在低温范围内随频率f的变化规律，按Arrhenius公式计算出各个损耗峰对应的松弛活化能值，通过松弛活化能来判断损耗峰对应的缺陷分别是氧空位和锌填隙本征缺陷；对电阻片薄片在‑100℃下的复介电常数虚部ε″～f进行拟合分峰处理，区分电导过程和缺陷松弛过程，得到锌填隙本征缺陷等效浓度系数k₂，根据锌填隙本征缺陷等效浓度系数k₂来预测氧化锌电阻片的直流老化寿命。本发明可以更加准确地从微观角度对氧化锌避雷器电阻片的直流老化寿命进行预测。
老化寿命电阻片氧化锌避雷器复介电常数本征缺陷填隙虚部松弛预测浓度系数活化能氧化锌电阻片变化规律待测电阻介电性能氧空位电导拟合片切微观测试

[发明专利]原位制造本征氧化锌层的方法及该方法制造的光伏器件-CN201310047532.6有效
发明人：陈世伟;徐伟伦;严文材;吴忠宪;李文钦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-02-06 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：制造光伏器件的方法包括在衬底上方形成用于光子吸收的吸收层，在吸收层之上形成缓冲层，其中，吸收层和缓冲层都是半导体，以及通过在含锌盐和碱性化学物质的溶液中的水热反应在缓冲层之上形成本征氧化锌层。本发明还提供了原位制造本征氧化锌层的方法及该方法制造的光伏器件。
原位制造氧化锌方法器件

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