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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]有机薄膜晶体管及其制造方法-CN201110126581.X无效
发明人：张学辉 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2011-05-16 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机薄膜晶体管及其制造方法，涉及有机半导体器件领域。本发明制造方法包括：在衬底上形成有机半导体层；在有机半导体层上形成由光敏材料制成的栅绝缘层；对所述栅绝缘层进行曝光；对曝光后的所述栅绝缘层进行显影，获得图案化的栅绝缘层；在形成有所述图案化的栅绝缘层的所述有机半导体层上形成金属膜，即形成覆盖所述栅绝缘层顶部表面的栅电极、隔着所述栅绝缘层彼此相对并分别紧靠所述栅绝缘层侧壁的源电极和漏电极。本发明简化了有机薄膜晶体管制造工艺，降低了有机薄膜晶体管的制造成本。
有机薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]一种双栅结构的光敏有机场效应晶体管及其制备方法-CN201610021254.0在审
发明人：张璇;唐莹;韦一;彭应全 -专利权人：中国计量学院
申请日： 2016-01-08 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明提供的一种具有双栅结构的光敏有机场效应晶体管及其制备方法，其结构如图1所示，包括顶部栅电极(1)、顶栅绝缘层(2)、有机半导体层(3)、源电极(4)、漏电极(5)、底栅绝缘层(6)、底部栅电极(7该双栅结构的有机光敏场效应晶体管中，顶部栅电极和底部栅电极可以分别控制晶体管的开启和关闭，也可同时控制晶体管的开启和关闭；底栅绝缘层覆于底栅之上，源漏电极覆于底栅绝缘层的两侧，中间部分形成沟道，有机半导体层覆于沟道及电极之上，顶栅绝缘层覆于有机半导体层之上，顶栅覆于顶栅绝缘层之上；底部栅电极和顶部栅电极材料相同，底栅绝缘层和顶栅绝缘层材料相同，材料结构对称。
一种结构光敏有机场效应晶体管及其制备方法

[实用新型]一种双栅结构的光敏有机场效应晶体管-CN201620030937.8有效
发明人：张璇;唐莹;韦一;彭应全 -专利权人：中国计量学院
申请日： 2016-01-08 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本实用新型提供的一种具有双栅结构的光敏有机场效应晶体管，其结构包括顶部栅电极(1)、顶栅绝缘层(2)、有机半导体层(3)、源电极(4)、漏电极(5)、底栅绝缘层(6)、底部栅电极(7)。该双栅结构的有机光敏场效应晶体管中，顶部栅电极和底部栅电极可以分别控制晶体管的开启和关闭，也可同时控制晶体管的开启和关闭；底栅绝缘层覆于底栅之上，源漏电极覆于底栅绝缘层的两侧，中间部分形成沟道，有机半导体层覆于沟道及电极之上，顶栅绝缘层覆于有机半导体层之上，顶栅覆于顶栅绝缘层之上；底部栅电极和顶部栅电极材料相同，底栅绝缘层和顶栅绝缘层材料相同，材料结构对称。
一种结构光敏有机场效应晶体管

[发明专利]显示装置-CN202210964986.9在审
发明人：金永大;朴商鎭;金次东;梁东炫 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10K59/12 文献下载
摘要：公开了显示装置，并且该显示装置包括衬底、薄膜晶体管、第一无机绝缘层、第一有机绝缘层、第二无机绝缘层和第二有机绝缘层。薄膜晶体管在衬底上面并且包括半导体层和栅电极。第一无机绝缘层包括在半导体层与薄膜晶体管的栅电极之间的第一绝缘层和在栅电极上面的第二绝缘层。第一有机绝缘层在第一无机绝缘层上面。第二无机绝缘层在第一有机绝缘层上面。第二有机绝缘层在第二无机绝缘层上面。穿过第一无机绝缘层和第二无机绝缘层的至少一个孔形成在薄膜晶体管的外围部分中。
显示装置

[实用新型]显示装置-CN202222122515.1有效
发明人：金永大;朴商鎭;金次东;梁东炫 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：公开了显示装置，并且该显示装置包括衬底、薄膜晶体管、第一无机绝缘层、第一有机绝缘层、第二无机绝缘层和第二有机绝缘层。薄膜晶体管在衬底上面并且包括半导体层和栅电极。第一无机绝缘层包括在半导体层与薄膜晶体管的栅电极之间的第一绝缘层和在栅电极上面的第二绝缘层。第一有机绝缘层在第一无机绝缘层上面。第二无机绝缘层在第一有机绝缘层上面。第二有机绝缘层在第二无机绝缘层上面。穿过第一无机绝缘层和第二无机绝缘层的至少一个孔形成在薄膜晶体管的外围部分中。
显示装置

[发明专利]一种有机薄膜晶体管阵列基板制作方法-CN201210257084.8有效
发明人：张学辉;宁策;杨静 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2012-07-23 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机薄膜晶体管阵列基板制作方法，包括：在基板上依次制备栅线图形、栅绝缘层、像素电极层、源漏金属薄膜、有机半导体层和刻蚀阻挡层，其中，形成栅绝缘层之后，在其上旋涂光刻胶，通过对光刻胶曝光显影并刻蚀掉栅线PAD区域的栅绝缘层之后，保留晶体管沟道区域的光刻胶，再形成像素电极层和源漏金属薄膜，后再剥离掉光刻胶。本发明通过在刻蚀栅绝缘层以露出栅线PAD区域的过程中，通过部分保留光刻胶用以占位作为有机薄膜晶体管的沟道区域，避免了刻蚀源漏金属薄膜的过程中破坏栅绝缘层表面，能保证栅绝缘层表面质量，使形成有源层的有机半导体在栅绝缘层表面上能够很好的排列
一种有机薄膜晶体管阵列制作方法

[发明专利]一种有机场效应晶体管、其制备方法及应用-CN201510224077.1在审
发明人：宋晶尧 -专利权人： TCL集团股份有限公司
申请日： 2015-05-05 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明提供了一种有机场效应晶体管、其制备方法及应用，所述有机场效应晶体管包括源电极、漏电极和栅电极，还包括基板、有机半导体层和有机绝缘层，其中，所述基板、源电极、有机半导体层和所述漏电极依次层叠结合，所述栅电极由多个彼此分离的栅电极单元构成，且每一栅电极单元由所述有机绝缘层包覆，并平行设置在所述有机半导体层中，且使得所述栅电极与所述源电极平行。该有机场效应晶体管的制备方法为在基板上制备源电极；在源电极上涂覆第一有机半导体层；在第一有机半导体层上涂覆第一有机绝缘层；在第一有机绝缘层上制备栅电极；在栅电极上制备第二有机绝缘层；刻蚀所述栅电极；涂覆第二有机半导体层；在第二有机半导体层上制备漏电极。
一种有机场效应晶体管制备方法应用

[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法-CN201210167850.1有效
发明人：吴在焕;张荣真;陈圣铉;朴世勳;李俊雨;金广海;崔锺炫;郑宽旭;李源规;崔宰凡 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2012-05-25 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：有机发光显示装置，包括有机发光设备，包括第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、像素电极、相对电极和有机发射层，第二绝缘层在第一绝缘层上且包括不平坦部分，第三绝缘层在第二绝缘层上，像素电极在第三绝缘层上，相对电极面向像素电极，有机发射层处于像素电极和相对电极之间；薄膜晶体管，包括有源层、栅电极、源电极/漏电极，源电极/漏电极连接至有源层，第一绝缘层处于有源层和栅电极之间，第二绝缘层处于栅电极与源电极/漏电极之间；以及电容器，包括下电极、上电极和介电层，下电极设置在与栅电极相同的层上，介电层由与第三绝缘层相同的材料形成，上电极设置在与像素电极相同的层上。
有机发光显示装置及其制造方法

[发明专利]具有集成选通驱动器的阵列基板及其制造方法-CN201410858132.8有效
发明人：姜寅;郑泰容;李泰根 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2014-12-24 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： G02F1/133 文献下载
摘要：一种阵列基板包括：基板；栅连接线，该栅连接线在所述基板上位于选通电路区域中；栅绝缘层，该栅绝缘层位于所述栅连接线上；有源图案，该有源图案位于所述栅绝缘层上；源连接线和像素图案，该源连接线和该像素图案被依次布置在所述有源图案上；层间绝缘层和有机图案，该层间绝缘层和该有机图案被依次布置在所述栅绝缘层上；第一钝化层，该第一钝化层位于所述有机图案上；以及导电图案，该导电图案位于所述第一钝化层上，该导电图案连接至所述栅连接线并且连接至所述像素图案
具有集成驱动器阵列及其制造方法

[发明专利]显示装置和制造该显示装置的方法-CN202010553825.1在审
发明人：李昇录;金薛基;权度县 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2020-06-17 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：该显示装置包括：基底基板；设置在基底基板上并且包括有源图案、栅电极、源电极和漏电极的薄膜晶体管；设置在有源图案与栅电极之间的无机绝缘层；设置在薄膜晶体管上的第一有机绝缘层；设置在第一有机绝缘层上的第二有机绝缘层；以及设置在第一有机绝缘层与第二有机绝缘层之间并且与第一有机绝缘层和第二有机绝缘层直接接触的绝缘层。
显示装置制造方法

[发明专利]一种有机薄膜晶体管及其制造方法-CN201611022500.0有效
发明人：谢应涛 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2016-11-17 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：一种有机薄膜晶体管及其制造方法。本发明是要解决现有薄膜晶体管中自图案化绝缘层形成的过孔较难实现上下电极层互联的问题。有机薄膜晶体管包括绝缘基板、源漏电极层、有机半导体层、自图案化有机栅绝缘层、栅电极层、有机平坦化层和像素电极。方法：形成依次包括绝缘基板、源漏电极层、有机半导体层、自图案化有机栅绝缘层、栅电极层和有机平坦化层在内的多层结构。本发明继承了自图案化绝缘层工艺简单的优点，同时解决了上下电极层互联断线的问题，实现了低成本制备有机薄膜晶体管。
有机薄膜晶体管图案化绝缘层有机半导体层有机平坦化层有机栅绝缘层源漏电极层绝缘基板上下电极栅电极层图案化互联薄膜晶体管多层结构像素电极低成本断线制备制造继承

[发明专利]用于X射线探测器的薄膜晶体管阵列衬底和X射线探测器-CN200810109963.X有效
发明人：郑宽旭;秋大镐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-06-11 - 公布日： 2008-12-17 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：在用于X射线探测器的薄膜晶体管(“TFT”)阵列衬底和具有该TFT阵列衬底的X射线探测器中，所述TFT阵列衬底包括栅极布线、栅绝缘层、有源层、数据布线、光电二极管、有机绝缘层和偏置布线。栅极布线形成在绝缘衬底上，并且包括栅极线和栅电极。栅绝缘层覆盖栅极布线。有源层形成在栅绝缘层上。数据布线形成在栅绝缘层上，并且包括数据线、源电极和漏电极。光电二极管包括下部和上部电极以及光电导层。有机绝缘层覆盖数据布线和光电二极管。偏置布线形成在有机绝缘层上。因此，提高了孔径比和可靠性。
用于射线探测器薄膜晶体管阵列衬底

[发明专利]有机薄膜晶体管及其制造方法-CN200810096614.9无效
发明人：陈方中;廖呈祥;黄昱仁;黄维邦;黄伟明 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2008-04-29 - 公布日： 2008-09-17 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明一种有机薄膜晶体管及其制造方法，其中该有机薄膜晶体管包括一栅极、一栅绝缘层、一有源层、一源极以及一漏极，该有机薄膜晶体管还包括一有机修饰绝缘层设置在该栅绝缘层表面上。本发明有机薄膜晶体管适当地使用有机修饰绝缘层修饰栅绝缘层，能够为N型薄膜晶体管提供良好的接触表面，减少电子被局限在有源层与栅绝缘层的接口，降低了氢氧根密度，进而提升电子在通道中的传递能力，并且可以提高有机薄膜晶体管在大气环境中的稳定性
有机薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]有机薄膜晶体管及其制造方法-CN200610145257.1有效
发明人：韩敞昱;李在允 -专利权人： LG.菲利浦LCD株式会社
申请日： 2006-11-24 - 公布日： 2007-08-08 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机薄膜晶体管及其制造方法，其通过降低在有机半导体层和源极/漏极之间的接触面积中产生的接触电阻而提高器件特性。该有机薄膜晶体管包括形成在基板上的栅极；形成在该栅极上的栅绝缘层；与栅极两侧边缘重叠并形成在栅绝缘层上的源极/漏极；形成在包括源极/漏极的栅绝缘层上的有机半导体层；形成在栅绝缘层和源极/漏极之间具有亲水特性的第一粘合层；以及形成在有机半导体层和栅绝缘层之间具有疏水特性的第二粘合层。
有机薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]基于微结构栅绝缘层的压力传感器及其制备方法-CN201310397699.5有效
发明人：潘革波;王凤霞 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2013-09-04 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于微结构栅绝缘层的压力传感器包括依次设置的基底、有源层、栅绝缘层和柔性基底，其中，所述基底和有源层之间设置有源电极、漏电极，所述柔性基底和栅绝缘层之间设置有栅电极，所述栅绝缘层包括绝缘层以及所述绝缘层上的聚二甲基硅氧烷（PDMS）微结构，所述有源层为交联的半导体化合物纳米晶。本发明压力传感器包括栅电极、源电极、漏电极、栅绝缘层、有源层，其中，所述有源层为交联的有机半导体层材料的纳米晶，其通过有机半导体分子之间的相互作用力形成。
基于微结构绝缘压力传感器及其制备方法

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