专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]图像形成装置-CN200610005994.1有效
  • 山口泰永 - 冲数据株式会社
  • 2006-01-17 - 2006-07-26 - G03G15/08
  • 本发明提供一种图像形成装置,该图像形成装置可以解决由于黑点等的发生而导致基于输入到曝光器的图像信息算出的累积显像剂消耗量和实际的显像剂消耗量之间产生误差这个问题。该图像形成装置把输入的图像信息变换为二进制图像信息,并根据该二进制的图像信息使感光体曝光且在记录媒介物上形成显像剂图像,还具有一个计算在构成所述的二进制图像信息的像素中被曝光的像素数的曝光像素数计数部;一个检测出所定的打印条件的打印条件检测部;一个根据所述的打印条件记忆修正信息的修正信息记忆部;和一个根据被所述的曝光像素数计数部。
  • 图像形成装置
  • [发明专利]双重曝光方法-CN201010619489.2无效
  • 胡红梅 - 上海集成电路研发中心有限公司
  • 2010-12-31 - 2011-06-15 - G03F7/20
  • 根据本发明的双重曝光方法包括步骤:提供半导体衬底;在所述半导体衬底上涂布光刻胶材料;在所述光刻胶材料上涂布阻挡层材料;以及在涂布阻挡层材料之后执行双重曝光。根据本发明的双重曝光方法通过引入阻挡层材料,以降低现有的双重曝光技术中光刻胶在两次曝光之间的记忆,从而减少第二次曝光对第一次曝光光刻胶材料的影响;并且,根据本发明的双重曝光方法减少了双重图形技术的刻蚀等工艺步骤
  • 双重曝光方法
  • [发明专利]表面检查装置及其方法-CN201180059328.5有效
  • 深泽和彦;藤森义彦;武田信介 - 株式会社尼康
  • 2011-12-14 - 2013-08-14 - H01L21/027
  • 提供一种能以短时间、高精度测量曝光时的聚焦状态的装置。表面检查装置1具有以照明系20照明具有既定图案的晶圆(wafer)10的表面并拍摄来自晶圆10的光所形成的影像的摄影装置35、储存关于显示影像的信号强度与聚焦偏移量的关系的聚焦曲线的信息(基准数据)的记忆部45、利用记忆部45中储存的基准数据从以摄影装置35拍摄的影像信号强度判定对晶圆10上的图案曝光时的聚焦状态的影像处理部40。
  • 表面检查装置及其方法
  • [发明专利]图像形成装置以及图像形成方法-CN201410213420.8在审
  • 峯岸夏子;田中秀明;石川哲也;五十里亮英;曾根慎太郎 - 柯尼卡美能达株式会社
  • 2014-05-20 - 2014-12-03 - G03G15/00
  • 本发明涉及图像形成装置以及图像形成方法,能够防止显影记忆的发生。图像形成装置(100)具备:图像形成部(140),其具有对感光鼓(201)进行曝光来形成静电潜像的曝光装置(203),通过在感光鼓(201)上形成调色剂像,并将该调色剂像转印至记录纸张来在该记录纸张形成图像;推断部(控制部(101)),其基于由图像形成部(140)形成的图像的图像数据,推断该图像中的相对于预先设定的图像浓度发生图像浓度降低的位置,作为浓度降低发生位置;以及控制部(101),其控制曝光装置(203),以便针对由推断部推断出的浓度降低发生位置,使对感光鼓(201)的曝光量比预先设定的曝光量增大。
  • 图像形成装置以及方法
  • [发明专利]一种半导体的标记方法及半导体-CN202111134372.X在审
  • 宿志影 - 东莞新科技术研究开发有限公司
  • 2021-09-27 - 2023-03-31 - H01L23/544
  • 本发明公开了一种半导体的标记方法及半导体,包括:将感光物质涂覆在半导体的待标记表面上;根据预设的曝光强度对待标记表面上的感光物质进行选择性曝光,以在待标记表面上形成曝光区域,曝光区域的形状为预设的标识图形的形状;曝光完成后对感光物质进行烘烤;烘烤完成后将待标记表面暴露于感光区域,对曝光区域进行显影,以去除感光区域内的感光物质;显影完成后对曝光区域进行蚀刻,以在待标记表面上形成标识图形;蚀刻完成后对待标记表面上的感光物质进行清除处理采用本发明的技术方案能够通过半导体表面上标记的标识图形,简单、方便地识别半导体表面,提高了标记方案的通用性,并且标识图形容易识别记忆,方便后续加工操作。
  • 一种半导体标记方法
  • [发明专利]一种基于多曝光生成融合的弱光车辆检测方法-CN202310410770.2有效
  • 喻莉;杜博阳 - 华中科技大学
  • 2023-04-18 - 2023-07-21 - G06V20/54
  • 本发明公开了一种基于多曝光生成融合的弱光车辆检测方法,属于计算机视觉技术领域。本发明设计了多曝光生成融合网络,实现了端到端的图像增强与车辆检测的功能,并可以使任意检测框架与本发明兼容;在多曝光生成网络中选取了双输入单输出的卷积循环模块来避免过度平滑与过度曝光问题,并设计单门控记忆单元来进行实现在伪监督预训练时,设计了SMAE与SSIM相结合的损失函数,综合了整体视觉质量与像素值误差这两点进行计算;在端到端训练的损失函数中,加入双平衡因子损失函数,使损失函数重点关注暗光下难以检测的车辆样本;在多曝光生成网络与多曝光融合网络之间加入压缩激励网络
  • 一种基于曝光生成融合弱光车辆检测方法

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