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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]成膜方法以及成膜装置-CN201810964713.8有效
发明人：我妻雄一郎;金子都;野吕尚孝 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本公开涉及成膜方法以及成膜装置。在使用包含有机金属化合物的气体对基板进行成膜时，防止基板的背面被金属污染。实施以下工序：预涂工序，向没有被搬入基板(W)的状态的处理容器(11)内供给包含硅的第一气体，利用由硅构成的膜来覆盖包括用于载置基板(W)的载置台(31)在内的所述处理容器(11)内的构件的表面；载置工序，接着，将所述基板(W)以其背面与由所述硅构成的膜接触的方式载置于所述载置台(31)；以及成膜工序，接着，向所述处理容器(11)内供给包含有机金属化合物的第二气体，从而在基板(W)上形成由构成所述有机金属化合物的金属构成的膜
方法以及装置

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN201410019338.1有效
发明人：加藤寿;中坪敏行;三浦繁博 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2014-01-16 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明提供成膜方法和成膜装置。成膜方法包括以下步骤输入步骤，使具有多个基板载置部的旋转台间歇性地旋转而将多个基板载置部依次配置于输入输出区域，将基板依次载置到基板载置部；成膜步骤，反复多次进行通过使旋转台旋转而使多个基板公转、并且将彼此反应的反应气体交替地向基板表面供给的循环
方法装置

[发明专利]成膜装置和成膜方法-CN201310016980.X有效
发明人：加藤寿;竹内靖;牛窪繁博;菊地宏之 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-08-31 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种活化气体注入装置、成膜装置和成膜方法。
装置方法

[发明专利]成膜装置和成膜方法-CN201210415298.3有效
发明人：广田悟史;山本兼司;玉垣浩 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2012-10-26 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： C23C14/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种成膜装置和成膜方法。本发明的成膜装置具有两台溅射蒸发源，该溅射蒸发源包括：非平衡磁场形成单元，该非平衡磁场形成单元由配备在内侧的内极磁铁和配备在该内极磁铁的外侧且磁力线密度比内极磁铁大的外极磁铁形成；以及靶，配备在非平衡磁场形成单元的前方，进而，所述成膜装置还具有交流电源，该交流电源通过在两台溅射蒸发源的各靶之间流过极性以10kHz以上的频率切换的交流电流，从而在两靶之间引起放电而进行成膜。
装置方法

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN201210199232.5有效
发明人：铃木启介;门永健太郎;森良孝 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-06-14 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明涉及成膜方法和成膜装置。该成膜方法是向收纳被处理体W且可抽真空的处理容器内供给含硼气体、氮化气体、硅烷系气体和烃气体，在被处理体的表面上形成含有硼、氮、硅和碳的薄膜的成膜方法，具有：第1工序，进行1次以上交替间歇地供给含硼气体和氮化气体的循环而形成BN膜；第2工序，进行1次以上间歇地供给硅烷系气体、烃气体和氮化气体的循环而形成SiCN膜。
方法装置

[发明专利]成膜装置和成膜方法-CN201210147817.2有效
发明人：加藤寿;菱谷克幸;菊地宏之;牛窪繁博;尾崎成则 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-05-11 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：本发明提供成膜装置和成膜方法。该成膜装置包括：真空容器，按顺序向其内部多次供给第一处理气体和第二处理气体；旋转台，其具有包括基板载置区域在内的一个表面，使基板载置区域在真空容器内旋转；第一处理气体供给部，向第一区域供给第一处理气体；
装置方法

[发明专利]成膜装置和成膜方法-CN201510333848.0有效
发明人：矢部和雄;清水亮 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2015-06-16 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜装置和成膜方法，该成膜装置用于在形成于真空容器内的真空气氛中在载置在台上的基板的表面上层叠氧化物的分子层而形成薄膜，其中，该成膜装置包括：旋转机构；原料气体供给部；处理空间形成构件，其形成处理空间
装置方法

[发明专利]成膜装置和成膜方法-CN201210084592.0有效
发明人：加藤寿;熊谷武司 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-03-27 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜装置，其特征在于，包含：旋转台，其包含载置基板的基板载置部且被设成能够在真空容器内旋转；第1反应气体供给部，对旋转台的形成有基板载置部的面供给第1反应气体；第2反应气体供给部，在旋转台的圆周方向与第
装置方法

[发明专利]成膜方法及成膜装置-CN201210045124.2有效
发明人：铃木启介;周保华;张德清 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-02-24 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供成膜方法和成膜装置。该成膜方法通过向基板交替供给至少第1原料气体和第2原料气体而在基板上堆积由第1原料气体和第2原料气体的反应产生的反应生成物质的薄膜。
方法装置

[发明专利]成膜方法及成膜装置-CN201210073108.4有效
发明人：柿本明修;高木聪;池内俊之;小森克彦;长谷部一秀 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-03-19 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜方法及成膜装置，该成膜方法包括：将多个基板呈多层状搭载于反应管的步骤，上述多个基板形成有包括凹部在内的图案；成膜步骤，通过向上述反应管供给含硅气体及含氧气体，在上述多个基板上形成氧化硅膜；蚀刻步骤，通过向上述反应管供给含氟气体及氨气，对在上述成膜步骤中形成的上述氧化硅膜进行蚀刻，该成膜方法交替地重复上述成膜步骤和上述蚀刻步骤。
方法装置

[发明专利]成膜装置和成膜方法-CN201510348818.7有效
发明人：仙波昌平;里吉务;田中诚治 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2015-06-23 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜装置和成膜方法，其进行分批式ALD成膜，能够不增大气体供给量，并且能够抑制生产节拍的降低、提高处理气体的利用效率、抑制在排气通路中的反应生成物的生成。分批式成膜装置(100)包括多个处理室(15)、气体供给单元(2)、排气单元(3)和控制部(4)。
装置方法

[发明专利]成膜方法及成膜装置-CN201110170022.9有效
发明人：村上博纪;长谷部一秀;山本和弥;高桥敏彦;铃木大介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-06-21 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明提供成膜方法及成膜装置。该成膜方法用于在处理容器内在被处理体的表面形成氧化硅膜，其包括：吸附工序，向处理容器内供给由硅烷系气体构成的晶种气体并使上述晶种气体吸附在被处理体的表面；膜形成工序，向处理容器内供给作为原料气体的含硅气体和含杂质的添加气体而形成被添加了杂质的硅膜；氧化工序，使硅膜氧化而将其转换成氧化硅膜。由此，在被处理体的表面形成高密度且高应力的氧化硅膜。
方法装置

[发明专利]成膜装置和成膜方法-CN201110078815.8有效
发明人：熊谷武司;加藤寿 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-03-28 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜装置和成膜方法，该成膜方法在进行由成膜处理和改性处理构成的成膜-改性步骤后，进行氧化硅膜的改性步骤，在该氧化硅膜的改性步骤中，将含Si气体的供给停止而采用等离子体，该成膜处理是这样进行的：通过使旋转台(2)旋转并使含Si气体吸附在晶圆(W)上，接着将O3气体供给到晶圆W的表面上并使O3气体与吸附在晶圆(W)的表面上的含Si气体发生反应而形成氧化硅膜，该改性处理采用等离子体对该氧化硅膜进行改性
装置方法

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN201110141591.0有效
发明人：原田豪繁;两角友一朗;菱屋晋吾 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-05-27 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜方法和成膜装置。向能保持真空的处理容器内搬入被处理体，将处理容器内保持为真空的状态，通过分别调整第1工序的次数和第2工序的次数地实施该第1工序和第2工序，一边控制膜中的Si浓度一边形成规定膜厚的氧化锆系膜，该第1工序为，向处理容器内以锆原料、氧化剂的顺序依次供给锆原料和氧化剂，从而在被处理体上形成ZrO膜；该第2工序为，向上述处理容器内以锆原料、硅原料、氧化剂的顺序依次供给锆原料、硅原料和氧化剂，从而在被处理体上形成掺杂有Si的ZrO膜。
方法装置

[发明专利]成膜装置和成膜方法-CN201110303041.4有效
发明人：加藤寿;竹内靖 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-09-29 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供成膜装置和成膜方法。成膜装置包括：载置基板的旋转台；第一反应气体供给部，配置在容器内的第一区域，供给第一反应气体；第二反应气体供给部，配置在沿旋转台旋转方向与第一区域分开的第二区域，供给第二反应气体；与第一区域及第二区域相连通地设置的第一排气口及第二排气口
装置方法

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