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- [发明专利]有机聚硅氧烷组合物和半导体装置-CN201110044078.X有效
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平松星纪
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三菱电机株式会社
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2011-02-21
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2012-03-14
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C08L83/05
- 本发明提供形成耐热性优异，并且高温下也不产生剥离、龟裂的固化物的有机聚硅氧烷组合物。有机聚硅氧烷组合物，其特征在于，含有：(A)有机聚硅氧烷，其为具有二官能性硅氧烷单元(D单元)和三官能性硅氧烷单元(T单元)，并且重均分子量为37,000～140,000的有机聚硅氧烷，D单元与T单元的摩尔比(T/D)为0.3～0.8，(B)有机聚硅氧烷，其为具有二官能性硅氧烷单元(D单元)和三官能性硅氧烷单元(T单元)，并且重均分子量为1,000～60,000的有机聚硅氧烷，D单元与T单元的摩尔比(T/D)为0.15以下；上述(A)有机聚硅氧烷与上述(B)有机聚硅氧烷的摩尔比(B/A)为1.5～6.5。
- 有机聚硅氧烷组合半导体装置
- [发明专利]使用了含硅组合物的半导体基板的平坦化方法-CN201780013335.9有效
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志垣修平;谷口博昭;中岛诚
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日产化学株式会社
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2017-02-10
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2023-06-02
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H01L21/312
- 本发明提供用于将使用了含硅组合物的半导体基板平坦地被覆的方法。本发明提供一种聚硅氧烷被覆基板的制造方法，所述聚硅氧烷被覆基板是经过下述工序制造的：第一工序，将包含第一被覆用聚硅氧烷的第一被覆用聚硅氧烷组合物涂布于高低差基板上并进行烧成，从而制成第一聚硅氧烷被覆膜，以及，第二工序，将包含第二被覆用聚硅氧烷的第二被覆用聚硅氧烷组合物涂布于第一聚硅氧烷被覆膜上并进行烧成，从而制成第二聚硅氧烷被覆膜，所述第二被覆用聚硅氧烷与第一被覆用聚硅氧烷不同，上述第二聚硅氧烷被覆膜的Iso‑dense偏差为50nm以下，上述第一被覆用聚硅氧烷包含下述水解性硅烷原料的水解缩合物，所述水解性硅烷原料以在全部硅烷中成为0～50摩尔％的比例包含每一分子具有4个水解性基团的第一水解性硅烷，上述第二被覆用聚硅氧烷以相对于
- 使用组合半导体平坦方法
- [发明专利]硅酮组合物-CN201910827083.4有效
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松本诚;安廷谟;姜承铉;郑印洪
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KCC有机硅株式会社
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2019-09-02
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2022-08-02
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C08L83/07
- 本发明涉及含有有机聚硅氧烷混合物和铂催化剂的硅酮组合物，其中所述有机聚硅氧烷混合物含有：在其分子中包括具有至少一个烯基的单元和至少一个SiO4/2单元的第一有机聚硅氧烷(a)、在其分子中具有至少两个烯基的第二有机聚硅氧烷(b)、以及有机氢聚硅氧烷(c)，其中所述有机氢聚硅氧烷(c)包含高反应性有机氢聚硅氧烷和直链有机氢聚硅氧烷，其中所述高反应性有机氢聚硅氧烷包含第一有机氢聚硅氧烷(c‑1)或第二有机氢聚硅氧烷(c‑2)，所述第一有机氢聚硅氧烷(c‑1)在其分子中包括具有与至少一个硅直接键合的氢基团的单元和至少一个SiO4/2单元，所述第二有机氢聚硅氧烷(c‑2)在其分子中包括与至少两个硅直接键合的氢基团和与以介于中间的氧原子邻接至上述硅基团的硅原子直接键合的至少一个芳基或卤代烷基，并且所述直链有机氢聚硅氧烷包含第三有机氢聚硅氧烷(c‑3)，所述第三有机氢聚硅氧烷(c‑3)在其分子中包括与至少一个硅直接键合的氢基团。
- 硅酮组合
- [发明专利]具有亲水性取代基的可聚合聚硅氧烷-CN201580051509.1有效
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F·昌;黄进宇;V·尚卡尔
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爱尔康公司
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2015-09-21
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2020-06-12
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G02B1/04
- 本发明提供了可光化聚合的两亲性聚硅氧烷，该聚硅氧烷包含聚硅氧烷聚合物链和(甲基)丙烯酰氨基基团，该聚硅氧烷聚合物链包含聚硅氧烷片段，该聚硅氧烷片段包含至少一个硅氧烷单元，该硅氧烷单元具有与该硅氧烷单元的硅原子连接的低分子量亲水性聚合物链，该(甲基)丙烯酰氨基基团各自共价键合至该聚硅氧烷聚合物链末端之一和/或共价键合至各自与一个硅原子连接的低分子量亲水性聚合物链之一的末端。本发明还涉及聚合物、可光化交联的含硅酮的预聚物、硅酮水凝胶聚合材料、或硅酮水凝胶接触镜片，该硅酮水凝胶接触镜片包含衍生自本发明的可光化聚合的两亲性聚硅氧烷的重复单元。此外，本发明提供了一种用于使用基于水的镜片形成配制品制作硅酮水凝胶接触镜片方法，该镜片形成配制品包含本发明的可光化聚合的两亲性聚硅氧烷。
- 具有亲水性取代聚合聚硅氧烷
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