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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]集成组合件及形成集成组合件的方法-CN201811545021.6在审
发明人： K·R·帕雷克;J·B·德胡特;N·M·洛梅利 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本申请案涉及集成组合件及形成集成组合件的方法。一些实施例包含一种具有从导电结构向上延伸的沟道材料结构的组合件。一些实施例包含形成具有沟道材料结构及锚固结构的组合件的方法。
集成组合件导电结构沟道材料组合件导电材料锚固结构机械稳定性结构横向向上延伸配置的申请案源极线偏移穿透三维

[发明专利]集成组合件及形成集成组合件的方法-CN202010273027.3在审
发明人： J·D·格林利;T·D·阮;J·M·梅尔德里姆;A·K·保谢尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-04-09 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明涉及集成组合件及形成集成组合件的方法。一些实施例包含一种具有位于导电基底结构上方的绝缘质量块的集成组合件。导电互连件穿过所述绝缘质量块延伸到所述导电基底结构的上部表面。一些实施例包含在集成组合件内形成导电互连件的方法。
集成组合形成方法

[发明专利]集成组合件以及形成集成组合件的方法-CN201910602219.1在审
发明人：库纳尔·R·帕雷克 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-07-05 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本申请案涉及集成组合件以及形成集成组合件的方法。一些实施例包含具有导电结构的集成组合件，所述导电结构包含在含金属材料上方的半导体材料。交替的导电层级及绝缘层级的堆叠位于所述导电结构上方。一些实施例包含形成集成组合件的方法。
集成组合件导电结构半导体材料拐角区域层级堆叠分区含金属材料延伸穿过壁区域交替的申请案所述壁导电个壁绝缘相交延伸

[发明专利]集成组合件及形成集成组合件的方法-CN201910912837.6在审
发明人： A·努尔巴赫什;J·K·查胡瑞;S·D·唐;S·博尔萨里;李红 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本申请案涉及集成组合件及形成集成组合件的方法。一些实施例包含一种集成组合件，所述集成组合件具有沿着第一方向延伸的数字线及位于所述数字线上方的轨道。所述轨道包含与中介绝缘区相交替的半导体材料柱。一些实施例包含形成集成组合件的方法。
集成组合形成方法

[发明专利]集成组合件及形成集成组合件的方法-CN202011039795.9在审
发明人： N·考希克;F·A·席赛克-艾吉;D·C·潘迪 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本申请案涉及集成组合件及形成集成组合件的方法。一些实施例包含集成组合件，所述集成组合件具有存储器阵列且具有沿着第一方向延伸穿过所述存储器阵列的数字线。绝缘间隔件沿着所述数字线的侧壁。一些实施例包含形成集成组合件的方法。
集成组合形成方法

[发明专利]集成组合件和形成集成组合件的方法-CN202110230783.2在审
发明人：罗双强 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-03-02 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： G11C5/12 文献下载
摘要：本申请涉及集成组合件和形成集成组合件的方法。一些实施例包含一种集成组合件，所述集成组合件具有存储器阵列区域，所述存储器阵列区域包含延伸穿过交替的导电层和绝缘层的堆叠的沟道材料柱。一些实施例包含形成集成组合件的方法。
集成组合形成方法

[发明专利]集成组合件以及形成集成组合件的方法-CN202110494767.4在审
发明人： A·N·斯卡伯勒;J·D·霍普金斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-05-07 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请案涉及集成组合件以及形成集成组合件的方法。一些实施例包含一种其中形成交替的第一和第二级的第一堆叠的方法。所述第一和第二级中的至少一些被配置成台阶。蚀刻终止材料和衬层形成于所述堆叠之上。第一材料形成于所述蚀刻终止材料之上。开口形成为延伸穿过所述第一材料到所述蚀刻终止材料。牺牲材料形成于所述开口内。第二堆叠形成于所述第一堆叠之上。第二材料形成于所述第一材料之上。导电层形成于所述第一级内。额外开口形成为延伸到所述牺牲材料，且接着延伸穿过所述牺牲材料，到所述台阶内的所述导电层。一些实施例包含集成组合件。
集成组合以及形成方法

[发明专利]集成组合件和形成集成组合件的方法-CN202110453113.7在审
发明人： A·M·洛 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本公开涉及集成组合件和用于形成集成组合件的方法。一些实施例包含一种具有包括半导体材料的有源区的集成晶体管。一些实施例包含形成例如集成晶体管、集成存储器等集成组合件和装置的方法。
集成组合形成方法

[发明专利]集成组合件及形成集成组合件的方法-CN202080043935.1在审
发明人： G·A·哈勒 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：一些实施例包含一种形成集成组合件的方法。在导电结构上形成第一堆叠。所述第一堆叠包含第一层与第三层之间的第二层。所述第一层及所述第三层是导电的。形成穿过所述第一堆叠的第一开口。在所述第一开口内形成牺牲材料。在所述第一堆叠上形成第二堆叠。所述第二堆叠具有交替第一层级及第二层级。形成穿过所述第二堆叠及穿过所述牺牲材料的第二开口。在所述第二开口内形成第一半导体材料。形成穿过所述第二堆叠、穿过所述第三层到所述第二层的第三开口。移除所述第二层以形成导管。在所述导管内形成第二半导体材料。使掺杂剂从所述第二半导体材料向外扩散到所述第一半导体材料中。一些实施例包含集成组合件。
集成组合形成方法

[发明专利]集成组合件和形成集成组合件的方法-CN202110952896.3在审
发明人：中村吉孝;李宜芳;J·A·伊莫尼吉;S·E·西里斯;A·M·洛 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本申请案涉及集成组合件和形成集成组合件的方法。一些实施例包含具有存储元件与导电结构之间的存取装置的集成组合件。所述存取装置具有包含半导体材料的沟道材料。一些实施例包含形成集成组合件的方法。
集成组合形成方法

[发明专利]集成组合件及形成集成组合件的方法-CN202111141970.X在审
发明人： S·E·西利士;李宜芳;K·J·特雷克 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本申请案涉及集成组合件及形成集成组合件的方法。一些实施例包含一种集成组合件，其包含基底结构。所述基底结构包含沿第一方向延伸的一系列导电结构。所述导电结构具有沿所述第一方向与凹入区交替的台阶。一些实施例包含形成集成组合件的方法。
集成组合形成方法

[发明专利]集成组合件和形成集成组合件的方法-CN202111073577.1在审
发明人：陈卓;I·V·瓦西里耶沃;D·F·范;K·K·穆图克里希南 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本申请涉及集成组合件和形成集成组合件的方法。一些实施例包含一种形成集成组合件的方法。沿着所述第一向上突出结构和所述第二向上突出结构且在所述第一间隙和所述第二间隙内形成导电材料。在所述第二间隙内的所述导电材料的区域上方形成保护材料的第一片段和第二片段，且接着利用蚀刻将所述导电材料图案化为所述第一间隙内的第一导电结构且图案化为所述第二间隙内的第二导电结构。一些实施例包含集成组合件。
集成组合形成方法

[发明专利]集成组合件及形成集成组合件的方法-CN202110972243.1在审
发明人： D·K·黄;R·J·希尔;G·S·桑胡 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本申请案涉及集成组合件及形成集成组合件的方法。一些实施例包含具有拥有侧壁表面的向上延伸结构的集成组合件。二维材料沿所述侧壁表面延伸。一些实施例包含形成集成组合件的方法。
集成组合形成方法

[发明专利]集成组合件和形成集成组合件的方法-CN202111439615.0在审
发明人： A·M·洛;陈卓;M·米洛耶维奇;T·A·奎克;R·J·希尔;S·E·西里斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本公开涉及集成组合件和形成集成组合件的方法。一些实施例包含一种具有包括半导体材料的有源区的集成晶体管。导电门控结构邻近于所述有源区。一些实施例包含集成组合件。一些实施例包含形成集成组合件的方法。
集成组合形成方法

[发明专利]集成组合件及形成集成组合件的方法-CN202080075090.4在审
发明人：杨立涛;S·普卢居尔塔;刘海涛 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一些实施例包含一种集成组合件，其具有含有半导体材料的有源区。一些实施例包含形成集成组合件的方法。
集成组合形成方法

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