“导通电阻”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1417850个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]IGBT驱动电路、芯片及电子设备-CN202211695787.9在审
发明人：蓝海;黄辉;傅俊寅 -专利权人：深圳青铜剑技术有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H03K17/567 文献下载
摘要：本申请公开了一种IGBT驱动电路、芯片及电子设备，所述IGBT电路包括若干个并联的门级开通电阻调节模块，用于与IGBT门级连接，根据导通的门级开通电阻调节模块的数量设置IGBT门级开通电阻；若干个并联的门级关断电阻调节模块，用于与IGBT门级连接，根据导通的门级关断电阻调节模块的数量设置IGBT门级关断电阻；控制模块，用于生成第一电阻调节信号或生成第二电阻调节信号输出；第一选通模块，用于根据第一电阻调节信号输出N个第三电阻调节信号以控制N个门级开通电阻调节模块导通；第二选通模块，用于根据第二电阻调节信号输出M个第四电阻调节信号以控制M个门级关断电阻调节模块导通。本申请的IGBT驱动电路能够精确调节IGBT门极电阻，提高IGBT器件的测试效率。
igbt 驱动电路芯片电子设备

[实用新型]IGBT驱动电路、芯片及电子设备-CN202223515334.1有效
发明人：蓝海;黄辉;傅俊寅 -专利权人：深圳青铜剑技术有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H03K17/567 文献下载
摘要：本申请公开了一种IGBT驱动电路、芯片及电子设备，所述IGBT电路包括若干个并联的门级开通电阻调节模块，用于与IGBT门级连接，根据导通的门级开通电阻调节模块的数量设置IGBT门级开通电阻；若干个并联的门级关断电阻调节模块，用于与IGBT门级连接，根据导通的门级关断电阻调节模块的数量设置IGBT门级关断电阻；控制模块，用于生成第一电阻调节信号或生成第二电阻调节信号输出；第一选通模块，用于根据第一电阻调节信号输出N个第三电阻调节信号以控制N个门级开通电阻调节模块导通；第二选通模块，用于根据第二电阻调节信号输出M个第四电阻调节信号以控制M个门级关断电阻调节模块导通。本申请的IGBT驱动电路能够精确调节IGBT门极电阻，提高IGBT器件的测试效率。
igbt 驱动电路芯片电子设备

[发明专利]一种小比导通电阻的MOSFET理想开关结构-CN201911306118.6在审
发明人：廖永波;李平;曾祥和;胡兆晞;唐瑞枫;林凡;李垚森;邹佳瑞;聂瑞宏;彭辰曦;冯轲 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：新型小比导通电阻的MOSFET理想开关结构，涉及半导体器件以及相关的工艺实现方法。本发明的新型小比导通电阻的MOSFET理想开关采用纵向、四面栅极的器件结构。本发明所要解决的关键技术问题是：提供一种新型小比导通电阻的MOSFET理想开关结构及其工艺实现方法，通过采用N型MOSFET、N‑漂移区和四面沟道的结构，以及半导体材料的选择，增大了导通电流密度，降低了导通电阻
一种通电 mosfet 理想开关结构

[发明专利]一种电阻修调电路及方法-CN202111399727.8在审
发明人：满雪成;顾雨婷 -专利权人：圣邦微电子（北京）股份有限公司
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：一种电阻修调电路，其特征在于：所述电路包括修调单元和补偿单元；其中，所述修调单元，基于修调电阻和开关管的控制实现对于输出电压的修调；所述补偿单元，与所述修调单元连接，用于对所述修调单元中的开关导通电阻进行补偿，以使得所述输出电压两侧的修调电阻之和的比例固定。本发明方法，通过合理设计多个开关管导通电阻的比例关系，使得环境温度等对导通阻抗发生影响的因素变化时，输出电压抵消导通电阻的影响，实现预设比例的输出。
一种电阻电路方法

[发明专利]一种超低比导通电阻的横向高压器件-CN201310743344.7有效
发明人：乔明;章文通;李燕妃;李肇基;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-12-30 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及半导体功率器件技术领域，涉及一种超低比导通电阻的横向高压器件。本发明的超低比导通电阻的横向高压器件在N型漂移区中引入了高浓度的N型掺杂条为开态电流提供低阻通道，在介质槽中引入体场板辅助耗尽N型漂移区和N型掺杂条，提高器件的击穿电压。本发明的有益效果为，具有导通电阻低、耐压高和版图面积小的优点，同时还降低了工艺难度和成本。本发明尤其适用于超低比导通电阻的横向高压器件。
一种通电横向高压器件

[发明专利]一种SGT MOSFET器件优化设计方法-CN202210777865.3有效
发明人：王新;代同振;周仲建;张乃介;张帅 -专利权人：成都复锦功率半导体技术发展有限公司
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，公开了一种SGT MOSFET器件优化设计方法，本方法从SGT MOSFET的物理结构出发，建立器件的比导通电阻模型并进行验证，最后绘制SGT MOSFET器件比导通电阻随平台区宽度以及沟槽宽度变化的曲线图表，最终从曲线图表中选择器件最佳比导通电阻时的平台区宽度以及沟槽宽度作为SGT MOSFET器件的结构设计参数。本发明可以准确分析器件导通电阻随结构参数变化的趋势，对指导该类器件研制具有一定参考价值。
一种 sgt mosfet 器件优化设计方法

[发明专利]具有可变电阻电路的半导体集成电路-CN201110153796.0有效
发明人：宇都宫文靖 -专利权人：精工电子有限公司
申请日： 2011-06-09 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： H03K19/08 文献下载
摘要：本发明提供一种具有可变电阻电路的半导体集成电路，其不会因微调用的开关元件的导通电阻而在电阻值中产生误差，且不存在电源电压依赖性和温度依赖性，布局面积小。作为解决手段，采用了如下结构，即，具有：电阻电路，其串联连接有多个电阻；选择电路，其具有选择多个电阻的串联连接数量的多个开关元件；以及控制电路，其控制开关元件的导通电阻值，其中，控制电路控制为，使得开关元件的导通电阻值与电阻电路的电阻的电阻值成为预定比例
具有可变电阻电路半导体集成电路

[实用新型]一种电源启动用假负载电路-CN201420437367.5有效
发明人：罗烽;闵荣峰 -专利权人：深圳市立创电源有限公司
申请日： 2014-08-04 - 公布日： 2014-12-17 - 主分类号： H02M1/36 文献下载
摘要：它包括肖特基二极管、第一导通电阻、第二导通电阻、第三导通电阻、假负载电阻、第一三极管和第二三极管；肖特基二极管的输入端通过第一导通电阻连接于第一三极管的基极、输出端连接于开关电源输出端，第二导通电阻的一端与第一三极管的基极连接、另一端与第一三极管的发射极、第二三极管的发射极同时接地，第三导通电阻的一端连接于开关电源的正极输出端、另一端分别连接第一三极管的集电极和第二三极管的基极，第二三极管的集电极通过假负载电阻连接于开关电源输出端
一种电源启动负载电路

[发明专利]一种高带宽高隔离度低导通电阻CMOS模拟开关电路及其实现方式-CN200910053923.2无效
发明人：杨永华;陈碧;葛利明;吴蕾 -专利权人：上海英联电子科技有限公司
申请日： 2009-06-26 - 公布日： 2010-12-29 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明为一种具有较宽带宽、高隔离度、低导通电阻的CMOS开关电路，用于多路高频模拟信号切换。其采用了浮动阱及栅极阻抗控制技术，解决了传统CMOS模拟开关电路导通电阻和传输带宽相互制约的问题，大大提高了同样导通电阻及隔离度下CMOS开关的信号传输带宽。
一种带宽隔离度低导通电 cmos 模拟开关电路及其实现方式

[发明专利]扫描线驱动电路和具备其的显示装置-CN202080097740.5在审
发明人：三谷昌弘;横山真;上田直树 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2020-03-02 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：单位电路包含：第1晶体管，其一个导通电极被施加第1电平的电压，另一个导通电极连接到第1节点；电阻，其一端连接到第1节点；第2晶体管，其一个导通电极被施加第2电平的电压，另一个导通电极连接到电阻的另一端；以及输出晶体管，其控制电极连接到第1节点，一个导通电极连接到输出端子。电阻形成于半导体层，在电阻之上形成有上部电极。由此，提供能够防止由单位电路内的电阻的特性变动引起的动作不良的扫描线驱动电路。
扫描驱动电路具备显示装置

[发明专利]用于开关的驱动电路-CN201911016898.0有效
发明人：出羽哲也 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2019-10-24 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：驱动电路(Dr)对在开关(SW)处于导通状态时的开关(SW)的集电极‑发射极间电压进行检测，作为导通电压(Von)。当检测到的导通电压(Von)大时，驱动电路(Dr)将开关(SW)被切换为断开状态时的放电电阻器(53)的电阻值(Rd)设定为大于检测的导通电压(Von)小时的电阻值(Rd)。更具体地，驱动电路(Dr)随着检测到的导通电压(Von)的增加而将电阻值(Rd)设定为更大的值。
用于开关驱动电路

[发明专利]一种MOS管导通电阻匹配电路-CN202310741236.X在审
发明人：潘俊;邱雷;杜自豪 -专利权人：艾创微（上海）电子科技有限公司
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H03K19/018 文献下载
摘要：本发明提供一种MOS管导通电阻匹配电路包括第一MOS管M1、第一电阻R1、第一电阻电压转换网络和第一放大器A1，通过第一电阻电压转换网络1将第一MOS管M1的导通电阻与第一电阻R1的阻值转换成差分电压信号送到放大器的差分输入端，放大器根据差分信号产生栅极控制信号，以负反馈的方式控制第一MOS管M1，使其第一电阻R1的阻值相等，从而实现MOS管导通电阻与电阻阻值的匹配。
一种 mos 通电匹配电路

[发明专利]基于深线性区MOS管的可控电阻电路-CN202211516035.1在审
发明人：施刚;于翔 -专利权人：骏盈半导体（上海）有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H03H11/46 文献下载
摘要：本公开的实施例提供一种基于深线性区MOS管的可控电阻电路，包括：底层可控模块和扩展层可控模块，其中，底层可控模块，被配置为基于恒定电流信号控制工作在深线性区的第一晶体管的栅源电压来调控第一晶体管的第一导通电阻，第一导通电阻为底层可控电阻；扩展层可控模块，被配置为基于恒定电流信号控制工作在深线性区的第二晶体管的栅源电压来调控第二晶体管的第二导通电阻，第二导通电阻为扩展层可控电阻，扩展层可控电阻的阻值等于底层可控电阻的阻值；底层可控模块与至少一个扩展层可控模块按照底层可控电阻与扩展层可控电阻串联的方式叠加融合。
基于线性 mos 可控电阻电路

[实用新型]一种可以大幅降低导通电阻的SGT器件-CN202222397689.9有效
发明人：王伟伦;周光挺 -专利权人：杭州昱芯微电子有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种可以大幅降低导通电阻的SGT器件包括硅衬底，硅衬底上设置有外延层，所述外延层的顶部开设有两个对称设置的深沟槽，每个深沟槽的内壁上设置有栅氧化层。本实用新型提供了一种可以大幅降低导通电阻的SGT器件，旨在降低SGT器件的电阻；提高氧化层的质量，可以降低SGTMOSFET导通电阻和成本，增强市场竞争力。
一种可以大幅降低通电 sgt 器件

[发明专利]一种锂离子电池的可控补锂方法-CN202210875961.1在审
发明人：王化胜;葛科;顾玲铭;吴晓琴;郑渊博 -专利权人：江苏海基新能源股份有限公司
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01M10/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种锂离子电池的可控补锂方法，包括以下步骤：芯包烘烤；引线焊接；锂离子电池盖板装配导通钉，选择合适的导通电阻，导通电阻通过第二引线分别与导通钉、盖板的极柱焊接；芯包焊接；补锂盒装配；电池装配入壳本发明不改变原极片的成分与结构，在导通钉与相应极柱间接通一定阻值的导通电阻，补锂盒就与锂离子电池的相应极片组成了一个在放电的锂电池，其源源不断的给锂离子电池的相应极片补充锂源；如果不需要补锂，切断导通电阻即可，如果需要提高或减慢补锂速度，只需要调换对应的导通电阻即可；可以根据需要随时开启补锂及调节补锂速度，不仅提高了锂离子电池的能量密度，而且提高锂离子电池的寿命。
一种锂离子电池可控方法