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- [发明专利]半导体装置-CN201710085601.0有效
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小仓常雄;末代知子
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株式会社东芝
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2017-02-17
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2020-01-21
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H01L29/739
- 根据一个实施方式，第3电极设于第1半导体区域与第2电极之间。第4电极设于第1半导体区域与第2电极之间。第2半导体区域设于第1半导体区域与第2电极之间、以及第3电极与第4电极之间。第3半导体区域设于第2半导体区域与第2电极之间。第4半导体区域设于第1半导体区域与第2电极之间，与第2电极电连接，且隔着第4电极与第2半导体区域并列。第1绝缘膜设于第3电极与第1半导体区域、第2半导体区域、第3半导体区域、以及第2电极之间。第2绝缘膜设于第4电极与第1半导体区域、第2半导体区域、以及第4半导体区域之间。第5半导体区域设于第1电极与第1半导体区域之间。
- 半导体装置
- [发明专利]能过大电流的电插件-CN201710996707.6在审
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谭欣荣;万希
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湖南格瑞普新能源有限公司
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2017-10-20
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2018-01-23
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H01R13/502
- 本发明涉及电池领域，公开了一种能过大电流的电插件，包括公插件的第一电极辅导体公件与第一电极主导体公件电连接，第一电极辅导体公件的阻抗大于第一电极主导体公件；母插件的第一电极辅导体母件与第一电极主导体母件电连接，且阻抗大于第一电极主导体母件；第一电极辅导体公件的末端长度长于第一电极主导体公件，并且，第一电极辅导体母件的末端长度长于第一电极主导体母件，从而使当公插件与母插件相嵌套插接时，第一电极辅导体公件与第一电极辅导体母件的接触先于第一电极主导体公件与第一电极主导体母件的接触
- 过大电流插件
- [发明专利]半导体装置-CN202010020259.8在审
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诹访刚史;末代知子;岩鍜治阳子
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株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
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2020-01-09
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2021-03-19
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H01L29/06
- 实施方式提供针对由动作时的发热引起的损坏模式具有较高的耐性的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：半导体部，包含第1导电型的第1半导体层；设置于半导体部的表面侧的电极；第1控制电极，配置于半导体部与电极之间，与半导体部电绝缘；及第2控制电极，在半导体部与电极之间与第1控制电极并排而配置，与半导体部电绝缘。半导体部还包括：第2导电型的第2半导体层，设置于第1半导体层与电极之间；及第1导电型的第3半导体层，选择性地设置于第2半导体层与电极之间。第1控制电极及第2控制电极具有设置于与第2半导体层对置的位置、且位于第1半导体层中的端部。第2控制电极包含与第1控制电极的材料相比导热率更大的材料。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN201910022530.9在审
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末代知子;岩鍜治阳子;诹访刚史
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株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
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2019-01-10
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2020-03-27
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H01L29/739
- 半导体装置具备：半导体部，包括第一导电型的第一半导体层；第一电极，设在半导体部表面上；第二电极，设在半导体部背面上；多个控制电极，设在半导体部中，在从第一电极朝第二电极的方向上延伸；及绝缘膜，使多个控制电极与半导体部电绝缘；半导体部包括：第二导电型的第二半导体层，位于邻接的两个控制电极间，且设在第一电极与第一半导体层之间；第一导电型的第三半导体层，设在第一电极与第二半导体层之间；第二导电型的第四半导体层，设在邻接的另外两个控制电极间，且设在第一电极与第一半导体层间；第二导电型的第五半导体层，设在第一电极与第四半导体层之间；及第六半导体层，设在第四与第五半导体层之间，包含第一导电型杂质。
- 半导体装置
- [实用新型]一种旋转导电结构-CN201921719603.1有效
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张育诚
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家颖科技（苏州）有限公司
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2019-10-15
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2020-10-16
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H01R39/02
- 本实用新型公开了一种旋转导电结构，包括电极模组、与所述电极模组连接的导体模组、用于容置所述电极模组和所述导体模组的外壳；其中，所述电极模组包括第一电极片、第二电极片和电极支撑件，所述第一电极片和所述第二电极片间隔地安装在所述电极支撑件上；所述导体模组包括第一导体片、第二导体片和导体支撑件，所述第一导体片和所述第二导体片间隔地安装在所述导体支撑件上；所述第一导体片和所述第二导体片上分别设有多个凸起部，所述第一导体片通过多个所述凸起部与所述第一电极片连接，所述第二导体片通过多个所述凸起部与所述第二电极片连接。本实用新型的方案具有确保对应的电极片和导体片一直处于连接状态，提高产品导电稳定性的优点。
- 一种旋转导电结构
- [发明专利]半导体装置以及半导体模块-CN202211148034.6在审
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岛崎广野
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蓝碧石科技株式会社
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2022-09-20
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2023-03-31
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H01L25/16
- 本发明提供一种半导体装置。半导体装置具备：半导体芯片，包括第一芯片电极及第二芯片电极；电容器元件，具有第一电极及第二电极；支承部，包括支承部分，上述支承部分具有支承上述电容器元件及上述半导体芯片的主面；第一导体及第二导体，以将上述电容器元件的上述第一电极及上述第二电极与上述半导体芯片的上述第一芯片电极及上述第二芯片电极分别连接的方式延伸；密封体，包围上述电容器元件、上述半导体芯片、上述第一导体、上述第二导体以及上述支承部分，上述半导体芯片的上述第一芯片电极、上述第二芯片电极、上述电容器元件的上述第一电极、上述第二电极、上述第一导体以及上述第二导体配置在比上述支承部分的上述主面的外缘靠近内侧
- 半导体装置以及模块
- [发明专利]半导体装置-CN201410397505.6有效
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小仓常雄
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株式会社东芝
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2014-08-13
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2018-04-06
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H01L29/739
- 本发明提供一种抑制负阻的半导体装置。实施方式的半导体装置，具备在第1电极与第2电极之间设置的第1半导体区域；在第1电极与第1半导体区域之间设置的第2半导体区域；设置在第1电极与第2半导体区域之间，在第2方向上排列的第3半导体区域以及第4半导体区域；位于第3半导体区域与第2电极之间，设置在第1半导体区域与第2电极之间的第5半导体区域；位于第4半导体区域与第2电极之间，设置在第1半导体区域与第2电极之间的第6半导体区域；设置在第5半导体区域与第2电极之间的第7半导体区域；以及隔着第1绝缘膜而与第7半导体区域、第5半导体区域以及第1半导体区域相接的第3电极。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN201910739299.5有效
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南川和生;西川幸江;财满康太郎
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株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
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2019-08-12
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2023-09-08
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H01L29/739
- 有关实施方式的半导体装置具有第1电极、半导体层、第2电极、第3电极、半绝缘层和第1绝缘层。半导体层设于第1电极之上。半导体层具有第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、第2导电型的第3半导体区域、第1导电型的第4半导体区域。第2半导体区域设于第1半导体区域之上，第3半导体区域设于第2半导体区域的周围。第4半导体区域设于第3半导体区域的周围。第2电极具有被设于第2半导体区域之上的第1电极部分和被设于第1电极部分的周围的第2电极部分。第3电极设于第2电极的周围，与第4半导体区域电连接。半绝缘层与第2电极及第3电极电连接。第1绝缘层的第1下表面的第1端部位于第3半导体区域之上。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置及半导体模块-CN201980103124.3在审
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鹿口直斗
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三菱电机株式会社
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2019-12-23
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2022-07-29
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H01L27/04
- 目的在于提供能够进行耐压特性的判定以及成本的削减的半导体装置。半导体装置包含半导体基板、第1电极、第2电极及绝缘膜。半导体基板在表面包含半导体元件，在背面包含对半导体元件的动作进行控制的背面电极。第1电极及第2电极设置于末端区域，该末端区域是在半导体基板的外周部形成的，位于形成有半导体元件的有源区域的外侧。绝缘膜设置于第1电极和第2电极之间。第2电极设置于在半导体基板的表面设置的绝缘性的层间膜之上。第1电极与半导体基板的表面接触，并且，与第2电极相比设置于半导体基板的端部侧，该第1电极与背面电极电连接。
- 半导体装置模块
- [发明专利]半导体装置-CN201510555653.0在审
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小仓常雄;三须伸一郎;末代知子
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株式会社东芝
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2015-09-02
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2016-03-23
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H01L29/739
- 半导体装置具备：第1电极与第2电极；第1半导体区域，设于两电极之间；第1元件区域，有设于第1半导体区域与第1电极之间的第2半导体区域、设于第1半导体区域与第2电极之间的第3半导体区域、设于第3半导体区域与第2电极之间的第4半导体区域、隔着第1绝缘膜设于第1半导体区域、第3半导体区域及第4半导体区域内的第3电极；第2元件区域，有设于第1半导体区域与第1电极之间杂质浓度高于第1半导体区域的第5半导体区域、设于第1半导体区域与第2电极之间的第6半导体区域；分离区域，有第7半导体区域，位于第1元件区域与第2元件区域之间，第7半导体区域设于第1半导体区域与第2电极之间，与第2电极相接。
- 半导体装置
- [实用新型]电路基板以及电子设备-CN202123323502.2有效
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外川惠生
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株式会社村田制作所
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2021-12-27
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2022-06-07
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H05K1/02
- 电路基板具备：绝缘性基板，具有在第1方向上排列的两个主面；第1电极导体层以及第2电极导体层，设置于绝缘性基板；第1线路导体层以及第2线路导体层，设置于绝缘性基板，分别与第1电极导体层以及第2电极导体层电连接，且在第1方向上观察具有线形状；和电极用导电性构件，在第1方向上观察，与第1电极导体层以及第2电极导体层重叠，且与第1电极导体层以及第2电极导体层电连接，且从绝缘性基板露出到外部，第1电极导体层以及第1线路导体层分别不与第2电极导体层以及第2线路导体层接触，在第1线路导体层传输信号，在第2线路导体层传输用于反馈控制的信号。
- 路基以及电子设备
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