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[发明专利]三维存储器及其形成方法-CN202010031318.1在审
发明人：杨芳 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-01-13 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种三维存储器及其形成方法。所述三维存储器包括：依次层叠的第一存储器件、第一外围电路器件和第二存储器件；所述第一存储器件、第二存储器件均与所述第一外围电路器件电连接。本发明一方面，提供了更大的存储空间和存储密度，并改善了三维存储器的结构稳定性；另一方面，有助于降低单个存储器件中台阶区域的高度，从而增强了三维存储器的结构稳定性。
三维存储器及其形成方法

[发明专利]RAID存储设备、主机及RAID系统-CN202110737715.5在审
发明人：林在焕;林承佑;金成昱;金昭昑;金载殷;刘大训;全镇完 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：一种独立硬盘冗余阵列(RAID)存储设备包括：存储装置，所述存储装置包括第一存储器件和第二存储器件，所述第一存储器件被配置为存储数据块和相应的奇偶校验数据中的至少一者(数据块/奇偶校验数据)，所述第二存储器件被配置为用作备用存储器区域；以及RAID控制器，所述RAID控制器包括被配置为存储计数表的RAID内部存储器，并且被配置为响应于从主机接收到的命令来控制重建操作的执行，其中，一旦识别出故障的第一存储器件，所述RAID控制器就基于所述计数表访问非故障的第一存储器件的已用区域，并使用所述第二存储器件重建所述故障的第一存储器件的数据。
raid 存储设备主机系统

[发明专利]与三维存储器器件集成的无源器件-CN201680016914.4有效
发明人： M.尼西卡瓦;R.洪马;T.米瓦;M.马茨莫托;Y.米祖塔尼;H.科凯茨;J.阿尔斯梅尔 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2016-06-09 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：三维存储器器件，包含含有多个非易失性存储器器件的存储器器件区域、含有有源驱动器电路器件的外围器件区域以及外围器件区域和存储器器件区域之间的阶梯表面区域，阶梯表面区域含有多个无源驱动器电路器件。
三维存储器器件集成无源

[发明专利]包括缓冲器器件和集成电路存储器器件的存储器系统拓扑-CN200880016745.X有效
发明人： E·特塞;I·沙埃弗;C·汉佩尔 -专利权人：拉姆伯斯公司
申请日： 2008-04-03 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： G11C5/06 文献下载
摘要：系统，除了其他实施列之外，包括集成电路缓冲器器件(可以耦合到主设备，诸如存储器控制器)和多个集成电路存储器器件之间的拓扑(数据和/或控制/地址信息)。例如，响应使用单一飞越(或总线)信号通路从集成电路缓冲器器件提供到多个集成电路缓冲器器件的控制/地址信息，可以使用不同分段(或点对点链路)信号通路，在多个集成电路存储器器件和集成电路缓冲器器件之间提供数据集成电路缓冲器器件支持多个集成电路存储器器件的可配置有效存储器组织。由集成电路缓冲器器件向存储器控制器表示的存储器组织可以与集成电路缓冲器器件后面或耦合到集成电路缓冲器器件的实际存储器组织不同。缓冲器器件分段和合并在预期特殊存储器组织的存储器控制器和实际存储器组织之间传送的数据。
包括缓冲器器件集成电路存储器系统拓扑

[发明专利]包括模块基板的存储模块-CN202210791501.0在审
发明人：金东槿;姜敏;高东郁;吴映树;尹铉柱;全焌弦 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G11C11/4074 文献下载
摘要：存储模块，包括模块基板、多个存储器件、第一电源线和第二电源线。存储器件安装在模块基板上。每个存储器件包括电源管理构件。第一电源线可以布置在模块基板中以向每个存储器件提供电力。第二电源线可以电连接在相邻的存储器件的电源管理构件之间以控制和共享提供给相邻的存储器件的电力。
包括模块存储

[发明专利]用于检测并校正数据中的错误的技术-CN201910151664.0在审
发明人： D.M.德拉姆 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：一些实施例特别涉及利用管理存储器器件为存储存储器器件组提供错误检测、定位和校正中的一个或多个。在一个或多个实施例中，存储存储器器件和管理存储器器件中的每一个均可以包括存储器芯片，诸如包括在双列直插存储器模块(DIMM)中的一组存储器芯片中的一个。例如，每个存储器器件是包括在DIMM中的动态随机存取存储器(DRAM)集成电路。在各种实施例中，存储管理存储器器件组可以用于存储存储器行，诸如驱逐高速缓存行。在许多实施例中，还可以利用所述管理存储器器件为所述存储存储器器件组提供密码安全的存储器加密和/或完整性。
存储存储器管理存储器存储器器件存储器芯片校正数据器件组动态随机存取存储器双列直插存储器模块高速缓存行存储管理错误检测管理数据密码安全存储器纠错码检测校正集成电路加密

[发明专利]具有屏蔽层的三维存储器器件以及用于制造其的方法-CN201880000972.7有效
发明人：霍宗亮;夏志良;肖莉红;陈俊 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L27/11578 文献下载
摘要：公开了具有屏蔽层的三维(3D)存储器器件的实施例和用于形成3D存储器器件的方法。在示例中，3D存储器器件包括衬底、设置在衬底上的外围器件、均在外围器件上竖直地延伸的多个存储器串、设置在多个存储器串上方并与多个存储器串接触的半导体层、以及设置在外围器件和多个存储器串之间的屏蔽层。屏蔽层包括被配置为在3D存储器器件的操作期间接收接地电压的传导区。
具有屏蔽三维存储器器件以及用于制造方法

[发明专利]具有屏蔽层的三维存储器器件以及用于制造其的方法-CN202010253476.1有效
发明人：霍宗亮;夏志良;肖莉红;陈俊 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：公开了具有屏蔽层的三维(3D)存储器器件的实施例和用于形成3D存储器器件的方法。在示例中，3D存储器器件包括衬底、设置在衬底上的外围器件、均在外围器件上竖直地延伸的多个存储器串、设置在多个存储器串上方并与多个存储器串接触的半导体层、以及设置在外围器件和多个存储器串之间的屏蔽层。屏蔽层包括被配置为在3D存储器器件的操作期间接收接地电压的传导区。
具有屏蔽三维存储器器件以及用于制造方法

[发明专利]包括用于管理存储器的电力的存储器控制器的系统-CN201410705074.5有效
发明人：崔勋;李相炖;金渊郁;姜奭准 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2014-11-26 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： G06F1/26 文献下载
摘要：一种系统包括电源、存储器控制器和存储器件。存储器控制器被配置成从电源接收电力、基于从电源接收到的电力来产生由存储器件使用的存储器电源电压、以及将存储器电源电压提供至存储器件。
包括用于管理存储器电力控制器系统

[发明专利]存储器和数据处理方法-CN201010205835.2有效
发明人：肥后丰;细见政功 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-06-17 - 公布日： 2010-12-29 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：本发明涉及存储器及数据处理方法。其中，该存储器包括：存储器件，每个均存储1位数据；以及读出单元，其通过利用在具有预定单位数目的存储器件的存储组块中所包括的多个存储器件中的一个预定存储器件作为反转标记器件，在写入反转标记器件的1位数据是表示“0”和“1”中任一个的第一值的情况下，将写入其他存储器件的(预定单位数目-1)位的数据在位反转后读出，而在1位写入反转标记器件的数据是不同于第一值的第二值的情况下，直接读出写入其他存储器件的(预定单位数目
存储器数据处理方法

[发明专利]包括自身ID信息的存储器件-CN200410103718.X有效
发明人：安龙福 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2004-12-28 - 公布日： 2005-11-02 - 主分类号： G11C7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种包括自身ID信息的存储器件。该存储器件具有用于存储关于该存储器件的信息如制造工厂、制造日期、晶片号码，晶片上的坐标等的存储单元。存储器件的每个存储体都存储关于该存储器件的自身ID信息，并在测试模式期间为其提供地址时将自身ID信息输出到芯片外部。
包括自身 id 信息存储器件

[发明专利]存内计算装置、神经网络芯片和电子设备-CN202310179670.3在审
发明人：陈一鸣;李学清;尹国栋;李旻谚;唐文骏;刘勇攀;杨华中 -专利权人：清华大学
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G06F15/78 文献下载
摘要：本公开涉及一种存内计算装置、神经网络芯片和电子设备，所述装置包括：至少一个存算单元，存算单元包括至少一个只读存储器件、读写存储器件、开关器件、控制字线、计算位线，其中，所述读写存储器件存储的控制电压用于控制所述开关器件的导通状态，以调整所述只读存储器件的控制端和所述控制字线的连接关系，所述只读存储器件的第一端接地，所述只读存储器件的第二端连接于所述计算位线；控制模块，用于：通过所述控制字线写入待操作数据；通过所述计算位线获取所述待操作数据与所述只读存储器件的存储数据的运算结果本公开实施例可以实现高效的存内运算，并且利用只读存储器件、读写存储器件实现存算单元，可以提高存内计算装置的面积效率。
计算装置神经网络芯片电子设备

[发明专利]位恢复系统-CN201480064456.2有效
发明人： T·金;J·P·金;S·金 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2014-11-07 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：特定设备包括基于电阻的存储器器件、标记随机存取存储器(RAM)、以及位恢复(BR)存储器。基于电阻的存储器器件被配置成存储数据值以及与该数据值相关联的纠错码(ECC)数据。标记RAM被配置成存储将主存储器的存储器地址映射到高速缓存存储器的字线的信息，其中该高速缓存存储器包括基于电阻的存储器器件。BR存储器被配置成存储与该数据值相关联的附加纠错数据，其中BR存储器对应于易失性存储器器件。
恢复系统

[发明专利]中心单元、存储器模块、存储器系统和对其读和写的方法-CN200510072711.0无效
发明人：李起薰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-05-17 - 公布日： 2005-12-14 - 主分类号： G06F13/37 文献下载
摘要：一种中心单元、存储器模块、存储器系统和对其进行读和写的方法。在测试模式中，可以忽略存储器模块、存储器器件、或存储器单元识别信息，从而可以测试写入或测试读取所有的存储器模块、存储器器件、或存储器单元。忽略存储器识别信息可以允许所有的存储器模块、存储器器件、或存储器单元同时被写入或读取，从而减少了测试时间。
中心单元存储器模块系统方法

[发明专利]包括存储器控制器的存储设备及存储器控制器的操作方法-CN202111414918.7在审
发明人：金希贞;姜喆皓;裵德镐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G06F11/14 文献下载
摘要：提供了一种包括存储器控制器的存储设备以及存储器控制器的操作方法。该存储设备包括：非易失性存储器件，包括写入缓冲器和日志缓冲器，写入缓冲器被配置为存储从主机提供的写入数据，日志缓冲器被配置为存储日志；易失性存储器件，被配置为临时存储元数据；以及存储器控制器，被配置为向非易失性存储器件提供日志命令，该日志命令包括日志和对应于日志缓冲器的物理地址，并且该日志命令发出将日志存储在日志缓冲器中的命令，以更新临时存储在易失性存储器件中的元数据，并控制易失性存储器件将更新的元数据存储到非易失性存储器件。
包括存储器控制器存储设备操作方法

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