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[发明专利]用于提供高速缓存服务的方法、设备和计算机可读介质-CN201811278408.X有效
发明人：贾瑞勇;徐鑫磊;杨利锋;刘友生;奉昌玉 -专利权人：伊姆西IP控股有限责任公司
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G06F12/0806 文献下载
摘要：本公开涉及用于在存储系统中提供高速缓存服务的方法、设备和计算机程序产品。该存储系统包括存储单元池、高速缓存以及基础存储系统，存储单元池包括多个存储单元，多个存储单元中的存储单元经由存储系统的地址映射被映射至基础存储系统中的物理地址。具体地，接收针对存储单元池中的虚拟地址处的目标数据的访问请求，并确定访问请求的类型。基于确定的类型，利用高速缓存来服务于访问请求，在此高速缓存用于按照存储单元池中的存储单元的格式来存储数据。此时，高速缓存直接存储对于可见的存储单元池中的各个存储单元中的数据，进而可以提高针对访问请求的响应速度。进一步，提供了一种用于在存储系统中提供高速缓存服务的设备和计算机程序产品。
用于提供高速缓存服务方法设备计算机可读介质

[发明专利]涂料连续供给系统及其采用的涂料连续供给方法-CN200910310483.4无效
发明人：郑振兴;洪宗裕;魏清河 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2009-11-26 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： B05C5/00 文献下载
摘要：一种涂料连续供给系统，包括第一涂料存储单元、第二涂料存存储单元、进料口、出料口、用于连接上述各部分的连接管路、设于连接管路中的截止阀，以及控制单元和压力单元。控制单元与第一涂料存储单元及第二涂料存储单元分别相连，用于感应第一涂料存储单元及第二涂料存储单元内的涂料量，进而控制截止阀的开启与关闭。压力单元与第一、第二涂料存储单元分别相连，以提供压力至第一涂料存储单元及第二涂料存储单元使涂料喷出。本发明还提供一种上述涂料连续供给系统采用的涂料连续供给方法。
涂料连续供给系统及其采用方法

[发明专利]一种存储装置-CN202110221891.3在审
发明人：闫鑫;倪磊滨;吴威;赵俊峰;唐文涛;罗时江 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-02-27 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本申请提供一种存储装置，包括多个存储单元、写电路和电源反馈电路；其中，存储单元，用于存储数据；写电路，连接多个存储单元，用于在一个写入周期中向多个存储单元中写入多位数据；电源反馈电路，连接写电路和多个存储单元，用于在写电路向多个存储单元执行写操作时，调节多个存储单元的写入电压，使写电路在一个写入周期中将多位数据写入多个存储单元。由于一个写入周期可以写入多位数据，因此提高了写入效率，缩短了存储装置的重配置时间。
一种存储装置

[发明专利]用于确认芯片存储单元损坏的方法、装置和存储介质-CN202111683715.8在审
发明人：刘重阳;尹良;彭佳川;孙磊 -专利权人：紫光同芯微电子有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G06F11/07 文献下载
摘要：本申请涉及数据存储技术领域，公开一种用于确认芯片存储单元损坏的方法，包括：对芯片存储单元所存储的数据进行校验；在校验出数据发生单比特位错误的情况下，在数据集中记录发生单比特位错误的存储单元地址；对数据集中重复发生单比特位错误的存储单元地址进行复核；对于复核未通过的存储单元地址，确定出现损坏。该方法可以确认存储单元发生错误的地址以及是否是存储单元永久性损坏。本申请还公开一种用于确认芯片存储单元损坏的装置和存储介质。
用于确认芯片存储单元损坏方法装置介质

[发明专利]一种阻变存储器存储单元的多值操作方法-CN201410441414.8有效
发明人：袁方;张志刚;潘立阳 -专利权人：清华大学
申请日： 2014-09-01 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明提出一种阻变存储器存储单元的多值操作方法，通过综合调节存储单元的编程限制电流和擦除截止电压以实现多值存储。其中，通过对存储单元施加擦除电压和编程限制电流以实现存储单元的较低阻值状态，其中编程限制电流数值越大，存储单元阻值越小；通过对存储单元施加擦除截止电压和编程电压以实现存储单元的较高阻值状态，其中，擦除截止电压绝对值越大，存储单元阻值越大。本发明的方法具有存储窗口大、简单易行、误读率小、功耗小等优点。
一种存储器存储单元操作方法

[发明专利]信息处理方法、存储装置及电子设备-CN201510887951.X有效
发明人：黄华坤 -专利权人：联想（北京）有限公司
申请日： 2015-12-07 - 公布日： 2016-04-13 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种信息处理方法、存储装置及电子设备，所述方法包括：判断待写入第一存储单元的第一数据的数据量是否小于预定单位容量；若所述待写入所述第一存储单元的数据量小于所述预定单位容量，则将所述第一数据存入第二存储单元；当接收到第一预定指令时，将所述第一数据由第二存储单元转入所述第一存储单元进行存储；其中，所述第一存储单元和所述第二存储单元为不同存储介质类型的存储单元。
信息处理方法存储装置电子设备

[发明专利]一种闪存阵列及其参考电流产生方法-CN201810210397.5有效
发明人：胡剑 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-03-14 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：本发明公开一种闪存阵列及其参考电流产生方法，所述闪存阵列包括：n个存储单元子块，用于存储信息；参考单元子块，包括n个参考存储单元，用于产生各存储单元读出时的参考电流，于操作时，引入校正控制位FT_RCELL控制该参考单元子块的操作，本发明通过单独使用存储单元当作参考存储单元，在存储器主阵列即多个存储单元子块操作时不会作用到参考单元，且参考单元能追踪存储单元的变化，从而提高灵敏放大器的速度和精度。
一种闪存阵列及其参考电流产生方法

[发明专利]用于非易失性存储单元的方法和装置-CN201310019946.8有效
发明人：池育德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-01-18 - 公布日： 2017-07-04 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：本发明公开了非易失性存储单元和方法。在一种装置中，形成在半导体衬底的一部分中的非易失性存储单元的阵列包括第一存储单元，具有第一位单元和第二位单元；第二存储单元，具有第三位单元和第四位单元；以及列复用器，耦合至多条列线，列线中的选定一条耦合至第一存储单元和第二存储单元的第一源极/漏极端子并且耦合至第一存储单元和第二存储单元的第二源极/漏极端子，列复用器将电压耦合至连接至对应于数据的第一存储单元的列线中的一条，并且将电压耦合至连接至对应于互补数据的第二存储单元的列线中的一条。公开了用于操作非易失性存储单元的方法。本发明还公开了用于非易失性存储单元的方法和装置。
用于非易失性存储单元方法装置

[发明专利]数据处理方法和电子设备-CN202310478129.2在审
发明人：张圣杰 -专利权人：维沃移动通信有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：具体方案包括：获取目标存储单元组中第一存储单元的第一电压阀值和第二存储单元的第二电压阀值；根据所述第一电压阀值与所述第二电压阀值的差值确定所述目标存储单元组中的存储数据；其中，所述第一存储单元与所述第二存储单元为存储器中的两个相邻存储单元
数据处理方法电子设备

[发明专利]NAND型ROM-CN201910231180.7有效
发明人：张适纬 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： G11C5/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种NAND型ROM，列结构包括多个NAND型存储单元串联结构和位线；各存储单元串联结构连接在对应的位线和源线之间；行结构中各存储单元串联结构形成对应存储单元串联结构行；源线组成动态分裂式源极偏压结构，具体为：存储单元串联结构行中任意相邻两个存储单元串联结构所连接的源线不同；同一列中不同存储单元串联结构所连接的源线不同；在读取过程中的偏压设置为：所读取的存储单元对应的源线接低电平，同一行中和所读取的存储单元相邻的存储单元串联结构对应的源线接高电平，同一列结构中和所读取的存储单元相邻的存储单元串联结构对应的源线接高电平。
nand rom

[发明专利]在SONOS闪存中的双倍密度核心栅极-CN02819283.4有效
发明人： Y·孙;M·A·范布斯科克;M·T·拉姆斯比 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2002-09-30 - 公布日： 2005-02-16 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：一种形成非挥发性半导体内存装置的方法，包括在基板(12)的上方形成电荷捕捉介电质(114)；于核心区域中在该电荷捕捉介电质(114)的上方形成第一组存储单元栅极(116)；在该第一组存储单元栅极(116)的周围形成一致的绝缘材料层(118)；以及在该核心区域中形成第二组存储单元栅极(122)，其中该第二组存储单元栅极(122)的每一个存储单元栅极相邻于该第一组存储单元栅极(116)的至少其中一个存储单元栅极，该第一组存储单元栅极(116)的每一个存储单元栅极相邻于该第二组存储单元栅极(122)的至少其中一个存储单元栅极，以及该一致的绝缘材料层(118)置于已揭示的各个相邻的存储单元栅极之间。
sonos 闪存中的双倍密度核心栅极

[发明专利]一种存储单元分配的方法、装置及设备-CN201710848257.6在审
发明人：朱斌;姜怡坤;张永锋 -专利权人：郑州云海信息技术有限公司
申请日： 2017-09-19 - 公布日： 2018-01-16 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种存储单元分配的方法，包括分析接收到的存储单元分配请求，得到存储单元的需求数量；判断优先级队列中存储单元的可提供数量是否大于该需求数量；若是，则按照所述优先级队列的优先级由高到低的顺序分配存储单元；当接收到返回的存储单元时，根据该存储单元的当前磨损值将该存储单元放至当前磨损值对应的优先级队列。该方法通过上述方式达到各个存储单元的使用次数大致均匀的目的，由于存储单元是均匀分配到各个SSD盘的，因此各个SSD盘的擦写次数也是大致均匀的，简单友好的均衡了各个SSD盘的擦写次数。本申请同时还提供了一种存储单元分配的装置、设备及计算机可读存储介质，具有上述有益效果。
一种存储单元分配方法装置设备

[发明专利]空调数据的更新方法、空调及存储介质-CN202310888152.9在审
发明人：朱松伟;胡作平;卓秀波;徐经碧;韩东 -专利权人：广东万颗子智控科技有限公司
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： F24F11/49 文献下载
摘要：本申请提供一种空调数据的更新方法、空调及存储介质，空调数据的更新方法应用于空调，所述空调包括主控存储单元和备份存储单元，通过响应空调的控制指令，确定所述主控存储单元是否升级完成；若所述主控存储单元未升级完成，则按照所述备份存储单元中的第一控制数据控制所述空调运行；并接收服务器发送的升级包，将所述升级包中目标控制数据更新至所述主控存储单元。通过设置主控存储单元和备份存储单元，并在接收到空调控制指令时，若主控存储单元未完成升级，则控制空调备份存储单元中的第一控制数据运行的同时，控制主控存储单元继续进行更新升级操作，即实现空调控制和空调数据更新同步进行
空调数据更新方法存储介质

[发明专利]存储器电路的跨接结构-CN201610071611.4有效
发明人：廖忠志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-02-02 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器电路，包括第一存储单元和与第一存储单元相邻的第二存储单元。第一存储单元包括：第一字线跨接线部，与第一存储单元的传输器件电耦接；和第二字线跨接线部。第二存储单元包括：第一字线跨接线部；和第二字线跨接线部，与第二存储单元的传输器件电耦接。第一存储单元的第一字线跨接线部和第二存储单元的第一字线跨接线部在第一互连层处相互连接。第一存储单元的第二字线跨接线部和第二存储单元的第二字线跨接线部在第一互连层处相互连接。
存储器电路结构

[发明专利]非挥发性存储器及其制造方法与操作方法-CN200510081383.0无效
发明人：杨青松;翁伟哲;卓志臣 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2005-06-28 - 公布日： 2006-05-10 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一种非挥发性存储器，含有分别由第一存储单元与第二存储单元所构成的多个存储单元。第一存储单元设置于基底上。第二存储单元设置于第一存储单元一侧的侧壁与基底上。第一存储单元由设置于基底上的第一栅极、设置于第一栅极与基底之间的第一复合介电层所构成。第二存储单元由设置于基底上的第二栅极、设置于第二栅极与基底之间及第二栅极与第一存储单元之间的第二复合介电层所构成。第二存储单元透过第一绝缘间隙壁与第一存储单元相间隔。其中第一复合介电层与第二复合介电层分别是由底介电层、电荷陷入层与顶介电层所构成。
挥发性存储器及其制造方法操作方法